【ISL6537数据表2005年2月8日FN9142.4ACPI稳压器/控制器双通道DDR内存系统该I】,IC型号ISL6537CRZ-T,ISL6537CRZ-T PDF资料,ISL6537CRZ-T经销商,ic,电子元器件-51电子网

ISL6537

数据表

2005年2月8日

FN9142.4

ACPI稳压器/控制器

双通道DDR内存系统

该ISL6537提供了一个完整的符合ACPI电源

多达4个DIMM双通道DDR / DDR2内存解决方案

系统。包括均为同步降压控制器

电源V

DDQ

在S0 / S1和S3的状态。在S0 / S1

国家，一个完全集成的片源稳压器产生的

准确的（V

DDQ

/ 2 ）大电流V

电压不

需要负电源。在V的缓冲版本

DDQ

参考设置为V

REF

。两个LDO控制器也

集成了GMCH核心电压调节和对

GMCH与CPU V

终止电压调节。

开关模式PWM控制器驱动两个N沟道

在同步整流降压转换器的MOSFET

拓扑结构。在同步降压转换器采用电压 -

模式控制，具有快速的瞬态响应。开关

稳压器提供的最大静态监管宽容

线路，负载和温度范围内的2％。的输出是

用户可调节的以外部电阻下降到0.8V的手段。

一个集成的软启动功能将所有的输出入

当返回到S0 / S1的调节以控制的方式

国家从任何睡眠状态。在S0的VIDPGD信号

表示该GMCH和CPU V

终止电压

是在规范和操作。

每个输出进行监控欠压事件。该

开关调节器还具有过电压和过电流

保护。热关断集成。

特点

生成4稳压电压

- 同步降压PWM控制器，用于DDR V

DDQ

- 3A集成的吸入/源线性稳压

准确的VDDQ / 2分频参考DDR V

- LDO稳压器为核心GMCH

- LDO稳压器为CPU / GMCH V

终止

符合ACPI休眠状态控制

无干扰视线在状态变化

集成的V

REF

卜FF器

PWM控制器驱动低成本N沟道MOSFET

在250kHz恒定频率工作

严格的输出电压调节

- 所有输出：

2 ％过温

完全可调节的输出具有宽电压范围：羽绒服

到0.8V支持DDR和DDR2规格

简单的单回路电压模式PWM控制设计

快速PWM转换器的瞬态响应

在和过压监视所有输出

OCP上的开关稳压器

集成的热关断保护

无铅可（符合RoHS ）

应用

单通道和双通道DDR内存电源系统中

ACPI兼容电脑

引脚

LGATE

ISL6537 （ 6×6 QFN ）

顶视图

OCSET

相

UGATE

BOOT

GND

S5#

显卡 - GPU和显存供应

ASIC电源

嵌入式处理器和I / O电源

21 DRIVE4

20 REFADJ4

19 DRIVE3

5VSBY

S3#

P12V

GND

DDR_VTT

VDDQ

DSP用品

订购信息

产品型号

ISL6537CR

ISL6537CRZ

（见注）

TEMP 。 RANGE

(°C)

0到70

包

PKG 。

DWG 。＃

GND

18 FB3

17 FB4

16 COMP

15 FB

28 Ld的的6x6 QFN L28.6x6

（无铅）

*添加“ -T ”后缀部分号码磁带和卷轴包装。

注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料

套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡

板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容

既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅

产品分类MSL在无铅峰值回流温度下

达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

DDR_VTTSNS

DRIVE2

FB2

VIDPGD

VREF_OUT

VREF_IN

框图

5VSBY

VDDQ

P12V

S3#

S5#

COMP

P12V

EA4

RGL

RGU

BOOT

EA1

GMCH双路LDO

POR

PWM

5VSBY

UGATE

DRIVE4

FN9142.4

2005年2月8日

FB4

REFADJ4

P12V

EA3

DRIVE3

FB3

监视和控制

故障

250kHz

振荡器

LGATE

软启动&启用

软启动&允许B

软启动& ENABLE

ENABLE VIDPGD

ENABLE DDR_VTT

P12V

EA2

COMP

电压

参考

0.800V

0.680V (-15%)

0.920V (+15%)

VTT

REG

UV / OV

20A

相

OCSET

ISL6537

DRIVE2

FB2

VTTSNS

VDDQ(2)

VTT(2)

VREF_IN

VREF_OUT

VIDPGD

GND焊盘

GND(2)

ISL6537

简化的电源系统图

5VSBY

12V

5VDUAL

DDQ

SLP_S3

SLP_S5

睡觉

状态

逻辑

PWM

调节器

DDQ

GMCH

二阶段

线性

调节器

ISL6537

REF

TT_GMCH / CPU

线性

调节器

VTT

调节器

典型用途

5VSBY

12V

5VDUAL

5VSBY

P12V

BOOT

OCSET

BOOT

UGATE

相

DDQ_DDR

LGATE

VIDPGD

DDQ_DDR

SLP_S5

SLP_S3

S5#

S3#

DRIVE4

FB4

REFADJ4

GMCH

FB3

DRIVE3

ISL6537

DDR_VDDQ(x2)

COMP

TT_GMCH / CPU

FB2

DDR_VTT(x2)

GND

DDR_VTTSNS

TT_DDR

DRIVE2

VREF_OUT

VREF_IN

REF

FN9142.4

2005年2月8日

ISL6537

绝对最大额定值

5VSBY 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V至+ 7V

P12V变极。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V至+ 14V

绝对的启动电压，V

BOOT

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V

上部驱动器电源电压，V

BOOT

- V

相

. . . . . . . . . . . +6.0V

所有其他引脚。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 GND - 0.3V至5VCC + 0.3V

ESD分类科幻阳离子。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 TBD

热信息

热阻

（ ° C / W）

QFN封装（注1 ， 2 ）。。。。。。。。。

最高结温（塑料封装）。。。。。。。 150℃

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。 300℃

（ SOIC - 只会提示）

推荐工作条件

电源电压上5VSBY 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 5V ± 10 ％

电源电压上P12V变极。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 12V ±10 ％

环境温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 ° C至70℃

结温范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 ° C至125°C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看

技术简介TB379 。

为

的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。

电气规格

参数

5VSBY电源电流

额定电源电流

推荐工作条件，除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统

图和典型应用原理图

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

CC_S0

CC_S5

S3 ＃ & ＃ S5高， UGATE / LGATE开放

S5 ＃低， S3 ＃无所谓， UGATE / LGATE

开放

5.50

7.00

700

8.00

850

上电复位

瑞星5VSBY POR阈值

落5VSBY POR阈值

瑞星P12V变极POR阈值

落P12V变极POR阈值

振荡器和软启动

PWM频率

斜坡幅度

软启动间隔

参考电压

系统精度

DDQ

PWM控制器误差放大器

DC增益

增益带宽积

压摆率

控制I / O（＃ S3和S5 ＃）

低电平输入阈值

高电平输入阈值

PWM控制器栅极驱动

UGATE和LGATE源

UGATE和LGATE库

门

-0.8

0.8

0.75

2.2

增益带宽积

通过设计保证

兆赫

V / μs的

REF

-2.0

0.800

+2.0

OSC

220

6.5

250

1.5

8.2

280

9.5

千赫

4.10

3.60

10.0

8.80

4.45

3.95

10.5

9.75

FN9142.4

2005年2月8日

ISL6537

电气规格

参数

VTT稳压器

上部分阻抗

低阻抗分频器

VREF_OUT缓冲源电流

最大V

负载电流

VREF_OUT

VTT_MAX

周期性负载施加有30 ％的占空比

和10ms的使用期限

ISL6537_6506EVAL1评估板

（参见应用笔记AN1123 ）

-3

2.5

推荐工作条件，除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统

图和典型应用原理图

（续）

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

线性稳压器

DC增益

增益带宽积

压摆率

驱动高输出电压

驱动为低电平输出电压

驱动高输出源电流

驱动为低电平输出灌电流

VIDPGD

TT_GMCH / CPU

阈值上升

TT_GMCH / CPU

下降阈值

保护

OCSET电流源

TT_DDR

电流限制

DDQ

OV水平

DDQ

紫外线等级

TT_DDR

OV水平

TT_DDR

紫外线等级

GMCH

紫外线等级

TT_GMCH / CPU

紫外线等级

热关断限制

REF

VREF_IN

FB4

REF

FB2

REF

OCSET

通过设计

S0/S3

通过设计

-3.3

115

140

3.3

°C

0.725

0.74

0.70

0.715

= 770mV ; V

驱动的

= 0V

= 830mV ; V

驱动的

= 10V

增益带宽积

空载驱动

通过设计保证

9.75

10.0

0.16

1.7

1.2

0.50

2.6

1.75

兆赫

V / μs的

FN9142.4

2005年2月8日