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ISL6529A
数据表
2004年12月28日
FN9127.1
双路稳压器,同步整流
降压PWM和线性电源控制器
该ISL6529A提供了电源控制和保护
在高性能显卡的两个输出电压和
其他嵌入式处理器应用。双输出
控制器驱动两个N沟道MOSFET的同步
修正降压变换器拓扑,一个N沟道
MOSFET在一个线性结构。该ISL6529A提供
无论稳压大电流,低电压电源和一个
独立的,低电流供给集成在一个14引脚
SOIC封装。该控制器非常适合显卡
应用中都调节图形
处理单元(GPU )和存储器设备是必需的。
同步整流降压转换器集成
简单的单反馈回路,电压模式控制,具有快速
瞬态响应。两个开关调节器和线性
稳压器提供的最大静态监管宽容
±
1%
过度
线,负载和温度范围为
ISL6529AC和
±
2%的ISL6529C 。每个输出用户自
可调的外部电阻器装置。
一个集成的软启动功能使两个电源到
调节以控制的方式。每个输出被监视
通过FB引脚欠压事件。如果任一输出下降
低于标称输出电平的51.5% ,两个转换器都
关机。
特点
提供两个稳压电压
- 一个同步整流降压PWM控制器
- 一个线性控制器
两个控制器驱动低成本的N沟道MOSFET
12V直接驱动节省了外部元件
小尺寸转换器
- 600kHz的恒定频率工作
- 小型外部元件数量
出色的输出电压调节
- 两路输出: ±随温度1 % - ISL6529AC
- 两路输出:在整个温度范围± 2 % - ISL6529C
5V降频转换
PWM和线性输出电压范围:低至0.8V
简单的单回路电压模式PWM控制设计
快速PWM转换器的瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0-100%占空比
线性控制器驱动N沟道MOSFET晶体管
完全可调输出
两个输出欠压故障监测
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
无铅可(符合RoHS )
订购信息
部分
ISL6529ACB
ISL6529ACBZ
(见注)
ISL6529ACR
ISL6529ACRZ
(见注)
TEMP 。 RANGE (
o
C)
0到70
0到70
0到70
0到70
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M14.15
M14.15
16 Ld的5×5 QFN L16.5x5B
16 Ld的5×5 QFN L16.5x5B
(无铅)
应用
显卡, GPU和显存供应
ASIC电源
嵌入式处理器和I / O电源
DSP用品
ISL6529EVAL1评估板
添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
相关文献
技术简介TB363
指引及处理
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD器件)
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6529A
引脚配置
ISL6529A ( SOIC )
顶视图
LGATE 1
保护地2
GND 3
5VCC 4
DRIVE2 5
FB2 6
NC 7
14 UGATE
13 12VCC
12 NC
11 NC
10 COMP
9 FB
8 NC
保护地
GND
5VCC
DRIVE2
NC - 无内部连接
5
FB2
6
NC
7
NC
8
NC
1
2
3
4
ISL6529A ( QFN )
顶视图
UGATE
14
LGATE
NC
NC
13
12 12VCC
11 NC
10 COMP
9
FB
16
15
NC - 无内部连接
2
FN9127.1
2004年12月28日
框图
5VCC
电压
参考
POWER- ON
复位( POR )
0.80V
0.41V
1.28V
3
关闭
FB2
12VCC
开始
和故障
逻辑
重新开始
12VCC
+5V
DRIVE2
UGATE
ISL6529A
EA2
抑制
软启动
+5VCC
EA1
COMP1
振荡器
保护地
LGATE
PWM
抑制
软启动
逻辑
GND
UV1
UV2
FB
COMP
FN9127.1
2004年12月28日
ISL6529A
简化的电源系统图
+V
IN
+12V
+5V
Q1
Q3
V
OUT2
+
线性
调节器
V
OUT1
PWM
调节器
Q2
ISL6529A
+
典型用途
+V
IN
( + 5V或+ 3.3V )
+12V
+5V
C
BP
5VCC
C
BP
12VCC
C
IN
Q3
V
OUT2
2.5V
+
FB2
DRIVE2
+
UGATE
Q1
L
OUT
V
OUT1
1.5V
+
C
OUT2
ISL6529A
LGATE
Q2
C
OUT1
FB
COMP
GND
保护地
4
FN9127.1
2004年12月28日
ISL6529A
绝对最大额定值
UGATE , LGATE , DRIVE2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至12VCC
5VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 7V
12VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 14V
FB , FB2 ,COMP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至5VCC + 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。类为4kV
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
68
不适用
QFN封装(注2,3) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
36
6
最高结温
(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度
(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
电源电压上5VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 %
电源电压上12VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V ±10 %
电源电压漏上的MOSFET。 。 。 + 3.3V至+ 5V ± 10 %
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
额定电源电流12VCC
额定电源电流5VCC
上电复位
瑞星5VCC阈值
落5VCCThreshold
瑞星12VCC阈值
落12VCCThreshold
推荐工作条件,除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统
图和典型应用原理图
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
CC
I
CC
UGATE , LGATE和DRIVE2开放
UGATE , LGATE和DRIVE2开放
-
-
2.7
3.5
3.0
4.5
mA
mA
12VCC = 12V
12VCC = 12V
5VCC = 5V
5VCC = 5V
4.25
3.75
9.6
9.3
4.4
3.82
10.3
9.6
4.5
4.0
10.8
10.2
V
V
V
V
振荡器和软启动
自由运行频率
斜坡幅度
软启动间隔
参考电压
参考电压
系统精度
PWM控制器误差放大器
DC增益
增益带宽积
压摆率
FB输入电流
补偿高输出电压
补偿低输出电压
COMP高输出,源电流
COMP低输出,灌电流
欠电压电平(V
FB
/V
REF
)
增益带宽积
SR
I
I
V
OUT
V
OUT
I
OUT
I
OUT
V
UV
R
L
= 10K ,C
L
= 10pF的
R
L
= 10K ,C
L
= 10pF的
R
L
= 10K ,C
L
= 10pF的
V
FB
= 0.8V
-
-
-
-
3.0
-
-2.5
3.5
-
80
15
6
20
4.5
0.5
-3.3
5.0
51.5
-
-
-
150
-
1.0
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
nA
V
V
mA
mA
%
V
REF
对于ISL6529AC
-
-1.0
0.800
-
-
+1.0
V
%
F
OSC
DV
OSC
T
SS
550
-
3.1
600
1.5
3.45
650
-
3.75
千赫
V
P-P
ms
5
FN9127.1
2004年12月28日
ISL6529 , ISL6529A
数据表
2005年4月12日
FN9070.5
双路稳压器,同步整流
降压PWM和线性电源控制器
该ISL6529 , ISL6529A提供了电源控制和
保护在高性能两个输出电压
显卡等嵌入式处理器应用。
双输出控制器驱动两个N沟道MOSFET
在同步整流的降压转换器拓扑和一个
N沟道MOSFET在一个线性结构。该ISL6529 ,
ISL6529A同时提供一个规范的高电流,低电压
供应和一个独立的,较低的电流供给集成
采用14引脚SOIC封装。该控制器非常适合
显卡应用,无论是监管
图形处理单元(GPU)和存储器设备是
所需。
同步整流降压转换器集成
简单的单反馈回路,电压模式控制,具有快速
瞬态响应。两个开关调节器和线性
稳压器提供的最大静态监管宽容
±
线路,负载和温度范围内的2%。每路输出
用户可调节的以外部电阻装置。
一个集成的软启动功能使两个电源到
调节以控制的方式。每个输出被监视
通过FB引脚欠压事件。如果任一输出
下降到低于标称输出电平为51.5 %,二者
转换器被关断。
特点
提供两个稳压电压
- 一个同步整流降压PWM控制器
- 一个线性控制器
两个控制器驱动低成本的N沟道MOSFET
12V直接驱动节省了外部元件
小尺寸转换器
- 600kHz的恒定频率工作
- 小型外部元件数量
出色的输出电压调节
- 两路输出: ±随温度1 % - ISL6529AC
- 两路输出:在整个温度范围± 2 % - ISL6529C
5V降频转换
PWM和线性输出电压范围:低至0.8V
简单的单回路电压模式PWM控制设计
快速PWM转换器的瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0-100%占空比
线性控制器驱动N沟道MOSFET晶体管
完全可调输出
两个输出欠压故障监测
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
无铅可(符合RoHS )
订购信息
零件号*
ISL6529ACB
ISL6529ACBZ (注)
ISL6529ACR
ISL6529ACRZ (注)
ISL6529CB
ISL6529CBZ (注)
ISL6529CR
ISL6529CRZ (注)
ISL6529EVAL1
温度。
范围(° C)
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
14 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M14.15
14 Ld的SOIC (无铅) M14.15
16 Ld的5×5 QFN
16 Ld的5×5 QFN
(无铅)
14 Ld的SOIC
L16.5x5B
L16.5x5B
M14.15
应用
显卡, GPU和显存供应
ASIC电源
嵌入式处理器和I / O电源
DSP用品
14 Ld的SOIC (无铅) M14.15
16 Ld的5×5 QFN
16 Ld的5×5 QFN
(无铅)
L16.5x5B
L16.5x5B
相关文献
技术简介TB363
指引及处理
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD器件)
评估板
*添加
“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成,
模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既兼容
锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL分类,可达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002年至2005年。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6529 , ISL6529A
引脚配置
ISL6529 , ISL6529A ( SOIC )
顶视图
LGATE 1
保护地2
GND 3
5VCC 4
DRIVE2 5
FB2 6
NC 7
14 UGATE
13 12VCC
12 NC
11 NC
10 COMP
9 FB
8 NC
保护地
GND
5VCC
DRIVE2
NC - 无内部连接
5
FB2
6
NC
7
NC
8
NC
1
2
3
4
12
11
10
9
12VCC
NC
COMP
FB
ISL6529 , ISL6529A ( QFN )
顶视图
UGATE
14
LGATE
NC
16
15
13
NC - 无内部连接
2
NC
FN9070.5
2005年4月12日
框图
5VCC
0.80V
0.41V
1.28V
3
电压
参考
POWER- ON
复位( POR )
ISL6529 , ISL6529A
关闭
FB2
12VCC
开始
和故障
逻辑
重新开始
12VCC
+5V
DRIVE2
UGATE
EA2
抑制
软启动
+5VCC
EA1
COMP1
振荡器
保护地
LGATE
PWM
抑制
软启动
逻辑
GND
UV1
UV2
FB
COMP
FN9070.5
2005年4月12日
ISL6529 , ISL6529A
简化的电源系统图
+V
IN
+12V
+5V
Q1
Q3
V
OUT2
+
线性
调节器
V
OUT1
PWM
调节器
Q2
+
ISL6529
ISL6529A
典型用途
+V
IN
( + 5V或+ 3.3V )
+12V
+5V
C
BP
5VCC
C
BP
12VCC
C
IN
Q3
V
OUT2
2.5V
+
FB2
DRIVE2
+
UGATE
Q1
L
OUT
V
OUT1
1.5V
+
C
OUT2
ISL6529
ISL6529A
LGATE
Q2
C
OUT1
FB
COMP
GND
保护地
4
FN9070.5
2005年4月12日
ISL6529 , ISL6529A
绝对最大额定值
UGATE , LGATE , DRIVE2 ,. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至12VCC
5VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 7V
12VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 14V
FB , FB2 ,COMP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至5VCC + 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。类为4kV
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
68
NA
QFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
36
5
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
工作条件
电源电压上5VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 %
电源电压上12VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V ±10 %
电源电压漏上的MOSFET。 。 。 + 3.3V至+ 5V ± 10 %
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
额定电源电流12VCC
额定电源电流5VCC
上电复位
瑞星5VCC阈值
落5VCCThreshold
瑞星12VCC阈值
落12VCCThreshold
推荐工作条件,除非另有说明。请参阅座和简化的电源系统
图和典型应用原理图
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
CC
I
CC
UGATE , LGATE和DRIVE2开放
UGATE , LGATE和DRIVE2开放
-
-
2.7
3.5
3.0
4.5
mA
mA
12VCC = 12V
12VCC = 12V
5VCC = 5V
5VCC = 5V
4.25
3.75
9.6
9.3
4.4
3.82
10.3
9.6
4.5
4.0
10.8
10.2
V
V
V
V
振荡器和软启动
自由运行频率
斜坡幅度
软启动间隔
参考电压
参考电压
系统精度
V
REF
ISL6529C
ISL6529AC
PWM控制器误差放大器
DC增益
增益带宽积
压摆率
FB输入电流
补偿高输出电压
补偿低输出电压
COMP高输出,源电流
增益带宽积
SR
I
I
V
OUT
V
OUT
I
OUT
R
L
= 10K ,C
L
= 10pF的
R
L
= 10K ,C
L
= 10pF的
R
L
= 10K ,C
L
= 10pF的
V
FB
= 0.8V
-
-
-
-
3.0
-
-2.5
80
15
6
20
4.5
0.5
-6.8
-
-
-
150
-
1.0
-
dB
兆赫
V / μs的
nA
V
V
mA
-
-2.0
-1.0
0.800
-
-
-
+2.0
+1.0
V
%
%
F
OSC
DV
OSC
T
SS
550
-
3.1
600
1.5
3.45
650
-
3.75
千赫
V
P-P
ms
5
FN9070.5
2005年4月12日
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数量
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单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ISL6529ACRZ-T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ISL6529ACRZ-T
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