IS61WV5128EDBLL
IS64WV5128EDBLL
512K ×8高速异步
CMOS静态RAM，带有ECC
特点
高速存取时间： 8 ， 10纳秒
低有功功率： 85毫瓦（典型值）
低待机功耗： 7毫瓦（典型值）
CMOS待机
单电源
— V
dd
2.4V to 3.6V (10 ns)
— V
dd
3.3V ± 10% (8 ns)
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
工业和汽车温度支持
无铅可
错误检测和纠错
2011年11月
4,194,304-bit static RAMs organized as 524,288 words by
8 bits. It is fabricated using
ISSI
的高性能CMOS
技术。这加上inno-高度可靠的工艺
vative电路设计技术，产量高的性能
和低功耗的器件。
什么时候？
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以重新
duced下来CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入， CE和OE 。该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读
的存储器。
The IS61/64WV5128EDBLL is packaged in the JEDEC
standard 44-pin TSOP-II, 36-pin SOJ and 36-pin Mini BGA
(6mm x 8mm).
描述
该
ISSI
IS61 / 64WV5128EDBLL是一个高速，
功能框图
A0-A18
解码器
存储阵列
(512Kx8)
ECC阵列
(512Kx4)
8
8
IO0-7
I / O数据
电路
8
ECC
12
4
列I / O
/ CE
/ OE
/ WE
控制
电路
Copyright 2011 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without
通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得lat-
该设备规范之前依靠任何公开信息，并把订单产品前EST版本。
集成的芯片解决方案，公司不建议在生命支持应用中使用其任何产品，其中产品的故障或失效推理
巧妙地预期造成的生命支持系统的故障或显著影响其安全性或有效性。产品未被授权用于此类应用
除非集成芯片解决方案，公司收到书面保证，满意，认为：
。一）损伤或损坏的风险被最小化;
。 b）使用者承担所有风险;和
角）的潜在集成芯片解决方案的责任，公司将受到充分保护的情况下，
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1
IS61/64WV5128EDBLL
引脚配置（ HIGH SPEED ） （ 61 / 64WV5128ALL / BLL ）
36微型BGA
44针TSOP （ II型）
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
I/O4
I/O5
GND
V
DD
I/O6
I/O7
A9
A1
A2
NC
WE
NC
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O0
I/O1
V
DD
GND
A18
OE
A10
CE
A11
A17
A16
A12
A15
A13
I/O2
I/O3
A14
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
V
DD
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
36引脚SOJ
引脚说明
A0-A18
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
dd
GND¤
NC
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
无连接
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
V
DD
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
2
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IS61/64WV5128EDBLL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
dd
t
英镑
P
t
参数
相对于GND端子电压
V
dd
涉及到GND
储存温度
功耗
价值
–0.5 to V
dd
+ 0.5
–0.3 to 4.0
–65 to +150
1.0
单位
V
V
°C
W
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
IS64WV5128EDBLL
V
DD
(10n
S
)
—
2.4V-3.6V
2.4V-3.6V
注意事项：
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的业务部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
in
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
in
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
2.测试条件：T已
a
= 25°C, f = 1 MHz, V
dd
= 3.3V.
错误检测和纠错
与汉明码每个字节独立的ECC
检测并纠正每字节一位错误
比奇偶校验码方案更好的可靠性只能检测到错误，但不能纠正错误
向后兼容：直接替代现行行业标准的设备（不含ECC ）
真值表
模式
CE
不选自H
（掉电）
禁止输出L
读？
L
写？
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作V
DD
当前
高-Z
i
sb
1
, i
sb
2
高-Z
d
OUT
d
in
i
CC
i
CC
i
CC
工作范围（V
DD
)
1
范围
产业
Automotive (A1)
Automotive (A3)
环境温度
–40°C to +85°C
–40°C to +85°C
–40°C to +125°C
IS61WV5128EDBLL
V
DD
(8, 10n
S
)
2.4V-3.6V (10ns)
3.3V ± 10% (8ns)
—
—
12
注意：
1. Contact SRAM@issi.com for 1.8V option
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3
IS61/64WV5128EDBLL
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 3.3V + 10%
符号
V
Oh
V
Ol
V
ih
V
il
i
li
i
lO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出泄漏
测试条件
V
dd
=最小值，我
Oh
= –4.0 mA
V
dd
=最小值，我
Ol
= 8.0 mA
GND ≤ V
in
≤ V
dd
GND ≤ V
OUT
≤ V
dd
，输出禁用
分钟。
2.4
—
2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
dd
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
il
(min.) = –0.3V DC; V
il
(min.) = –2.0V AC (pulse width < 10 ns). Not 100% tested.
V
ih
（最大） = V
dd
+ 0.3V dC; V
ih
（最大） = V
dd
+ 2.0V aC (pulse width < 10 ns). Not 100% tested.
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 2.4V-3.6V
符号
V
Oh
V
Ol
V
ih
V
il
i
li
i
lO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出泄漏
测试条件
V
dd
=最小值，我
Oh
= –1.0 mA
V
dd
=最小值，我
Ol
= 1.0 mA
GND ≤ V
in
≤ V
dd
GND ≤ V
OUT
≤ V
dd
，输出禁用
分钟。
1.8
—
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
dd
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
il
(min.) = –0.3V DC; V
il
(min.) = –2.0V AC (pulse width < 10 ns). Not 100% tested.
V
ih
（最大） = V
dd
+ 0.3V dC; V
ih
（最大） = V
dd
+ 2.0V aC (pulse width < 10 ns). Not 100% tested.
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
i
CC
i
CC
1
i
sb
1
i
sb
2
参数
V
dd
工作动态
电源电流
经营？
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
dd
=最大，
i
OUT
= 0 mA, f = f
最大
V
dd
=最大，
i
OUT
= 0 mA, f = 0
V
dd
=最大，
V
in
= V
ih
或V
il
CE ≥ V
ih
, f = 0
V
dd
=最大，
CE ≥ V
dd
– 0.2V,
V
in
≥ V
dd
– 0.2V, or
V
in
≤ 0.2V ， F = 0
-8
分钟。马克斯。
— 40
— 45
— —
21
— 20
— 25
— —
—
10
— 15
— —
—
5
—
6
— —
1.5
-10
分钟。马克斯。
— 30
— 35
— 50
21
— 20
— 25
— 40
— 10
— 15
— 30
— 5
— 6
— 15
1.5
-20
分钟。马克斯。
— 25
— 30
— 45
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
25
40
10
15
30
5
6
15
单位
mA
mA
mA
COM 。
IND 。
自动。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
COM 。
IND 。
自动。
典型值。
(2)
mA
注意：
1. At f = f
最大
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
2. Typical values are measured at V
dd
= 3.0V, T
a
= 25
o
C and not 100% tested.
4
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IS61/64WV5128EDBLL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平（V
REF
)
输出负载
单位
(2.4V-3.6V)
0.4V to V
dd
-0.3V
1V/ ns
V
dd
/2
See Figures 1 and 2
1
2
3
319
AC测试负载
Z
O
= 50
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3.3V
50
1.5V
4
353
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
5
6
7
图1 。
图2中。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
t
rC
t
aa
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
Pu
t
Pd
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE访问时间
OE访问时间
OE为输出高阻态
OE为低阻抗输出
CE到高阻输出
CE为低阻抗输出
电时间
关机时间
-8
分钟。马克斯。
8 —
— 8
2.0 —
— 8
— 4.5
— 3
0 —
0 3
3 —
0 —
— 8
-10
分钟。马克斯。
10 —
— 10
2.0 —
— 10
— 4.5
— 4
0 —
0 4
3 —
0 —
— 10
-20
分钟。马克斯。
20 —
— 20
2.5 —
— 20
— 8
— 8
0 —
0 8
3 —
0 —
— 20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
9
10
11
12
注意事项：
1.试验条件和输出负载条件在AC测试条件和交流测试负载（图1）中指定。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。
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版本B
11/08/2011
5
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