ISL6520
数据表
2005年10月4日
FN9009.4
单同步降压脉宽
调制（PWM）控制器
该ISL6520使简单的工作，从实施的
完整的控制和保护方案的DC / DC
降压转换器。设计用于驱动N沟道MOSFET
在同步降压拓扑结构中， ISL6520集成
控制，输出调节，监视和保护
功能集成到一个单一的8引脚封装。
该ISL6520提供了简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。输出
电压可以被精确地调节到低至0.8V ，用
最大宽容
±1.5%
随温度和线路
电压的变化。固定频率振荡器降低
设计的复杂性，同时平衡的典型应用成本
和EF网络效率。
误差放大器具有15MHz的增益带宽
产品和8V / μs压摆率使高转换
带宽快速的瞬态性能。由此产生的
PWM占空比的范围从0 ％到100％ 。
保护免受过电流条件下被提供
监测第r
DS （ ON）
上MOSFET抑制PWM的
操作适当。该方法简化了
执行和通过消除提高了效率
需要的电流检测电阻器。
特点
从+ 5V输入进行操作
- 0.8V至V
IN
输出范围
- 0.8V内部参考
- ± 1.5 ％，在线路电压和温度
驱动N沟道MOSFET
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0％至100％占空比
无损，可编程过流保护
- 使用上MOSFET的
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 300kHz的固定频率振荡器
- 内部软启动
- 8 Ld的SOIC或16Ld的4x4mm QFN
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅加退火有（符合RoHS ）
订购信息
部分
数
ISL6520CB
部分
温度。
打标范围大（ ° C）
6520CB
0到70
0到70
-40到85
-40到85
0到70
-40到85
包
8 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
应用
电源微处理器
- 电脑
- 嵌入式控制器
子系统电源
- PCI / AGP / GTL +总线
- ACPI电源控制
电缆调制解调器，机顶盒和DSL调制解调器
ISL6520CBZ 6520CBZ
（注）
ISL6520IB
6520IB
8 Ld的SOIC （无铅） M8.15
8 Ld的SOIC
M8.15
ISL6520IBZ 6520IBZ
（注）
ISL6520CR
ISL6520IR
ISL6520CR
ISL6520IR
8 Ld的SOIC （无铅） M8.15
16 LD的4x4mm QFN
16 LD的4x4mm QFN
L16.4x4
L16.4x4
DSP和核通信处理器供应
内存用品
个人电脑外围设备
工业电源
5V输入DC / DC稳压器
低电压分布式电源
ISL6520EVAL1
评估板
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾
锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003年， 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6520
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +6.0V
绝对的启动电压，V
BOOT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
上部驱动器电源电压，V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . +6.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95 。 。不适用
QFN封装（注2,3） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
45 . . 7
最高结温
（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度
（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 ％
环境温度范围 - ISL6520C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
环境温度范围 - ISL6520I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
瑞星VCC POR阈值
VCC POR阈值迟滞
振荡器
频率
斜坡幅度
参考
参考电压容差
标称参考电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源极电流
上栅漏电流
更低的栅极源电流
更低的栅极漏电流
保护/ DISABLE
OCSET电流源
关断阈值
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
I
VCC
POR
测试条件
UGATE和LGATE开放
民
2.6
4.19
-
f
OSC
V
OSC
ISL6520C
ISL6520I
V
REF
通过设计保证
增益带宽积
SR
I
UGATE -SRC
I
UGATE - SNK
I
LGATE -SRC
I
LGATE - SNK
I
OCSET
V
关闭
ISL6520C
ISL6520I
ISL6520C ，V
CC
= 5V
ISL6520I ，V
CC
= 5V
250
230
-
-1.5
-2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
17
14
-
0.800
88
15
8
-1
1
-1
2
20
20
0.8
典型值
3.2
4.30
0.25
300
300
1.5
-
最大
3.8
4.5
-
340
340
-
+1.5
+2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
22
24
-
单位
mA
V
V
千赫
千赫
V
P-P
%
%
V
dB
兆赫
V / μs的
A
A
A
A
A
A
V
3
FN9009.4
2005年10月4日
ISL6520
功能引脚说明
VCC
这是主要的偏置电源的ISL6520 ，以及
降低MOSFET的栅极。连接良好的去耦5V电源
此引脚。
过电流脱扣循环软启动功能。
在软启动和正常转换过程中所有的时间
操作时，该引脚代表误差放大器的输出端。
使用此引脚，结合FB引脚，以补偿
该转换器的电压控制反馈环路。
拉OCSET低于0.8V的水平将禁用
控制器。禁用ISL6520使振荡器
停止时， LGATE和UGATE输出保持低电平，而
软启动电路重新武装。
FB
该引脚是内部误差放大器的反相输入端。利用
此引脚的组合与COMP / OCSET引脚，
补偿转换器的电压控制反馈环路。
GND
该引脚表示为IC的信号和电源接地。
通过最低将此引脚连接到接地岛/平面
阻抗连接可用。
LGATE
将此引脚连接到较低的MOSFET的栅极。该引脚提供
在PWM控制的栅极驱动为低的MOSFET 。该引脚
还通过自适应贯通保护监控
电路，以确定何时下的MOSFET已关闭。
请勿将这个引脚和的栅极之间的任何电路
较低的MOSFET ，因为它可能与内部自适应干扰
击穿保护电路，并使其失效。
相
该引脚连接到上层MOSFET的源极。该引脚
用于监视整个上部MOSFET的电压降
对于过电流保护。该引脚也被监视的
连续自适应贯通保护电路
确定当上部MOSFET已关闭。
功能说明
初始化
该ISL6520在收到电力的自动初始化。
上电复位（ POR）功能持续监控
偏置电压VCC引脚。上电复位功能启动
过电流保护（ OCP ），采样和保持操作
电源电压超过其POR阈值后。上
OCP的采样完成和保持操作，上电复位
功能启动软启动操作。
UGATE
将此引脚连接到上层MOSFET的栅极。该引脚
为上层的PWM控制栅极驱动器
MOSFET。该引脚也可以通过自适应拍摄开启监控
通过保护电路，以确定何时在上
MOSFET已关闭。不要插入之间的任何电路
这个引脚和上MOSFET的栅极，因为它可能
干扰内部自适应贯通保护
电路，并使其无效。
过电流保护
过电流保护功能，从一个所述转换器
短路输出通过使用上的MOSFET的导通电阻，
r
DS （ ON）
，监测电流。这种方法提高了
转换器的EF网络效率并消除了降低成本
电流传感电阻器。
在过电流函数的周期的软起动功能
打嗝模式，以提供故障保护。电阻
(R
OCSET
）计划的过电流脱扣值（见典型
应用图） 。
紧随上电复位时， ISL6520启动超额
电流保护采样和保持操作。首先，将
内部误差放大器被禁用。这允许内部
20μA电流吸收器，开发R两端的电压
OCSET
。该
ISL6520则该样品在电压COMP引脚。这
采样的电压，这是相对于VCC引脚，被保持
内部为过电流设定点。
当跨越上部MOSFET的电压，这也是
参考VCC引脚，超过过电流设置
点，过电流启动功能，软启动序列。
图1示出了电感器电流中的故障被引入后
而在15A运行。在连续故障导致
ISL6520进入打嗝模式的典型周期
为25ms 。电感器的电流增加至18A中的软
BOOT
该引脚提供接地参考偏置电压的
上MOSFET驱动器。一个自举电路，用于创建一个
适用电压驱动逻辑电平N沟道MOSFET 。
COMP / OCSET
这是一个复用的引脚。在时间之后短期内
上电复位（ POR ） ，该引脚用来确定过
所述转换器的电流阈值。连接一个电阻（R
OCSET
)
从这个引脚上MOSFET的漏极（V
CC
).
R
OCSET
，内部20μA电流源（I
OCSET
），以及
上MOSFET的导通电阻（R
DS （ ON）
）中设置的转换器的过
根据下面的等式电流（ OC），跳变点：
I
OCSET
xR
OCSET
I
PEAK
= ------------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
该ISL6520的内部电路将无法识别的电压
R两端下降
OCSET
比0.5V大。任何电压降
R两端
OCSET
大于0.5V将设置
过电流跳闸点：
0.5V
I
PEAK
= ----------------------
r
DS
(
ON
)
4
FN9009.4
2005年10月4日
ISL6520
发车间隔，并导致过电流跳闸。该转换器
消耗非常少的功率，该方法。测得的
输入功率为图1中的条件是只有1.5W 。
增加宽度对输出电容充电（多个） 。当
内部产生的软启动电压超过反馈
（ FB引脚）的电压，输出电压处于调节状态。这
方法提供了一种快速和受控的输出电压的上升。该
整个启动过程通常需要大约11毫秒。
输出电感
当前
5A/DIV.
V
OUT
500mV/DIV.
COMP / OCSET
1V/DIV.
时间（毫秒/ DIV ）。
图1.过流运行
TIME （ 2MS / DIV ）。
过电流的功能将在峰值电感器电流跳闸
(I
峰）
由下式确定：
I
OCSET
个R
OCSET
I
PEAK
= ----------------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
图2.启动顺序
应用指南
布局的注意事项
正如任何高频开关转换器，布置很
非常重要的。开关电流从一个电源装置向另一个
可以产生跨越的阻抗电压瞬变
相互连接的连接线和电路的痕迹。这些
互连阻抗应使用被最小化
宽，短的印刷电路走线。关键组件
应一起位于尽可能靠近，利用地面
平面结构或单点接地。
V
IN
在那里我
OCSET
是内部OCSET电流源（ 20μA
典型值） 。业主立案法团行程点的变化主要是由于
MOSFET的
DS （ ON）
的变化。为了避免过电流跳闸
在正常的工作载荷范围内，网络连接届第r
OCSET
电阻器
从上面的等式：
1.最大R
DS （ ON）
在最高结
温度。
2.最小余
OCSET
从特定网络阳离子表。
3.确定我
PEAK
为
( I )
-
I
PEAK
＆ GT ;我
OUT
(
最大
)
+
---------
,
2
哪里
I
是输出电感纹波电流。
对于公式的纹波电流下看到的第
组件指南名为“输出电感的选择” 。
ISL6520
UGATE
相
Q
2
Q
1
L
O
软启动
上电复位功能启动后，软启动顺序
过电流设定点被采样。软启动的钳位
误差放大器的输出（ COMP引脚）和参考输入端（非
反相误差放大器的终端）的内部产生
软启动电压。图2显示了一个典型的启动间隔
其中COMP / OCSET引脚已被释放从
接地（系统关闭）状态。最初， COMP / OCSET
用于通过禁用错误采样oversurrent设定值
放大器和过R绘图20μA
OCSET
。一旦过
电流电平已被取样，软启动功能是
发起。在误差放大器的钳位（ COMP / OCSET引脚）
最初控制转换器的软启动期间的输出电压。
振荡器的三角波进行比较的斜坡
误差放大器的电压。这产生了相脉冲
V
OUT
LGATE
C
O
回报
图3.印刷电路板电源和
地平面或岛
图3示出了转换器的临界功率元件。
为了最大限度地降低电压过冲，互连线
由粗线表示应的接地或电源部分
平面中的印刷电路板。中示出的组件
图3应尽可能靠近在一起的可能。
5
FN9009.4
2005年10月4日
负载
C
IN
ISL6520
数据表
2007年4月3日
FN9009.6
单同步降压脉宽
调制（PWM）控制器
该ISL6520使简单的工作，从实施的
完整的控制和保护方案的DC / DC
降压转换器。设计用于驱动N沟道
在同步降压拓扑结构的MOSFET ，在ISL6520
集成了控制，输出调节，监测和
保护功能集成到一个单一的8引脚封装。
该ISL6520提供了简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。输出
电压可以被精确地调节到低至0.8V ，用
最大宽容
±1.5%
超温线和
电压的变化。固定频率振荡器降低
设计的复杂性，同时平衡的典型应用成本
和EF网络效率。
误差放大器具有15MHz的增益带宽
产品和8V / μs压摆率使高转换
带宽快速的瞬态性能。由此产生的
PWM占空比的范围从0 ％到100％ 。
保护免受过电流条件下被提供
监测第r
DS （ ON）
上MOSFET抑制PWM的
操作适当。该方法简化了
执行和通过消除提高了效率
需要的电流检测电阻器。
特点
从+ 5V输入进行操作
- 0.8V至V
IN
输出范围
- 0.8V内部参考
- ± 1.5 ％，在线路电压和温度
驱动N沟道MOSFET
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0％至100％占空比
无损，可编程过流保护
- 使用上MOSFET的
DS （ ON）
小尺寸转换器
- 300kHz的固定频率振荡器
- 内部软启动
- 8 Ld的SOIC或16Ld 4mmx4mm QFN
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅加退火有（符合RoHS ）
订购信息
部分
数
ISL6520CB*
部分
温度。
打标范围大（ ° C）
6520CB
0到70
0到70
-40到85
-40到85
0到70
0到70
-40到85
-40到85
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
（无铅）
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
应用
电源微处理器
- 电脑
- 嵌入式控制器
子系统电源
- PCI / AGP / GTL +总线
- ACPI电源控制
电缆调制解调器，机顶盒和DSL调制解调器
DSP和核通信处理器供应
内存用品
个人电脑外围设备
工业电源
5V输入DC / DC稳压器
低电压分布式电源
ISL6520CBZ * 6520 CBZ
（注）
ISL6520IB*
ISL6520IBZ*
（注）
ISL6520CR*
6520IB
6520 IBZ
ISL
6520CR
16 Ld的采用4x4mm QFN L16.4x4
16 Ld的采用4x4mm QFN L16.4x4
（无铅）
16 Ld的采用4x4mm QFN L16.4x4
16 Ld的采用4x4mm QFN L16.4x4
（无铅）
ISL6520CRZ * 65 20CRZ
（注）
ISL6520IR*
ISL6520IRZ*
（注）
ISL 6520IR
65 20IRZ
ISL6520EVAL1
评估板
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾
锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003年， 2005年， 2006年， 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6520
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +6.0V
绝对的启动电压，V
BOOT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
上部驱动器电源电压，V
BOOT
- V
相
。 。 。 。 。 。 。 。 7.0V （DC）的
8.0V （ <10ns脉冲宽度， 10μJ ）
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
45
7
最高结温
（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度
（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 ％
环境温度范围 - ISL6520C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
环境温度范围 - ISL6520I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
瑞星VCC POR阈值
VCC POR阈值迟滞
振荡器
频率
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
POR
UGATE和LGATE开放
2.6
3.2
3.8
mA
4.19
-
4.30
0.25
4.5
-
V
V
f
OSC
ΔV
OSC
ISL6520C ，V
CC
= 5V
ISL6520I ，V
CC
= 5V
250
230
-
300
300
1.5
340
340
-
千赫
千赫
V
P-P
%
%
V
斜坡幅度
参考
参考电压容差
ISL6520C
ISL6520I
-1.5
-2.5
-
-
+1.5
+2.5
标称参考电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源极电流
上栅漏电流
更低的栅极源电流
更低的栅极漏电流
保护/ DISABLE
OCSET电流源
V
REF
通过设计保证
增益带宽积
SR
0.800
-
-
-
-
88
15
8
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
I
UGATE -SRC
I
UGATE - SNK
I
LGATE -SRC
I
LGATE - SNK
I
OCSET
V
关闭
ISL6520C
ISL6520I
-
-
-
-
-1
1
-1
2
-
-
-
-
A
A
A
A
μA
μA
V
17
14
-
20
20
0.8
22
24
-
关断阈值
3
FN9009.6
2007年4月3日
ISL6520
功能引脚说明
VCC
这是主要的偏置电源的ISL6520 ，以及
降低MOSFET的栅极。连接良好的去耦5V电源
此引脚。
过电流脱扣循环软启动功能。
在软启动和正常转换过程中所有的时间
操作时，该引脚代表误差放大器的输出端。
使用此引脚，结合FB引脚，以补偿
该转换器的电压控制反馈环路。
拉OCSET低于0.8V的水平将禁用
控制器。禁用ISL6520使振荡器
停止时， LGATE和UGATE输出保持低电平，而
软启动电路重新武装。
FB
该引脚是内部误差放大器的反相输入端。利用
此引脚的组合与COMP / OCSET引脚，
补偿转换器的电压控制反馈环路。
GND
该引脚表示为IC的信号和电源接地。
通过最低将此引脚连接到接地岛/平面
阻抗连接可用。
LGATE
将此引脚连接到较低的MOSFET的栅极。该引脚提供
在PWM控制的栅极驱动为低的MOSFET 。该引脚
还通过自适应贯通保护监控
电路，以确定何时下的MOSFET已关闭。
请勿将这个引脚和的栅极之间的任何电路
较低的MOSFET ，因为它可能与内部自适应干扰
击穿保护电路，并使其失效。
相
该引脚连接到上层MOSFET的源极。该引脚
用于监视整个上部MOSFET的电压降
对于过电流保护。该引脚也被监视的
连续自适应贯通保护电路
确定当上部MOSFET已关闭。
功能说明
初始化
该ISL6520在收到电力的自动初始化。
上电复位（ POR）功能持续监控
偏置电压VCC引脚。上电复位功能启动
过电流保护（ OCP ），采样和保持操作
电源电压超过其POR阈值后。上
OCP的采样完成和保持操作，上电复位
功能启动软启动操作。
UGATE
将此引脚连接到上层MOSFET的栅极。该引脚
为上层的PWM控制栅极驱动器
MOSFET。该引脚也可以通过自适应拍摄开启监控
通过保护电路，以确定何时在上
MOSFET已关闭。不要插入之间的任何电路
这个引脚和上MOSFET的栅极，因为它可能
干扰内部自适应贯通保护
电路，并使其无效。
过电流保护
过电流保护功能，从一个所述转换器
短路输出通过使用上的MOSFET的导通电阻，
r
DS （ ON）
，监测电流。这种方法提高了
转换器的EF网络效率并消除了降低成本
电流传感电阻器。
在过电流函数的周期的软起动功能
打嗝模式，以提供故障保护。电阻
(R
OCSET
）计划的过电流脱扣值（参阅
“典型应用”第2页） 。
紧随上电复位时， ISL6520启动超额
电流保护采样和保持操作。首先，将
内部误差放大器被禁用。这允许内部
20μA电流吸收器，开发R两端的电压
OCSET
。该
ISL6520则该样品在电压COMP引脚。这
采样的电压，这是相对于VCC引脚，被保持
内部为过电流设定点。
当跨越上部MOSFET的电压，这也是
参考VCC引脚，超过过电流设置
点，过电流启动功能，软启动序列。
图1示出了电感器电流中的故障被引入后
而在15A运行。在连续故障导致
ISL6520进入打嗝模式的典型周期
为25ms 。电感器的电流增加至18A中的软
BOOT
该引脚提供接地参考偏置电压的
上MOSFET驱动器。一个自举电路，用于创建一个
适用电压驱动逻辑电平N沟道MOSFET 。
COMP / OCSET
这是一个复用的引脚。在时间之后短期内
上电复位（ POR ） ，该引脚用来确定过
所述转换器的电流阈值。连接一个电阻（R
OCSET
)
从这个引脚上MOSFET的漏极（V
CC
).
R
OCSET
，内部20μA电流源（I
OCSET
），以及
上MOSFET的导通电阻（R
DS （ ON）
）中设置的转换器的过
根据下面的等式电流（ OC），跳变点：
I
OCSET
xR
OCSET
I
PEAK
= ------------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
（当量1）
该ISL6520的内部电路将无法识别的电压
R两端下降
OCSET
比0.5V大。任何电压降
R两端
OCSET
大于0.5V将设置
过电流跳闸点：
0.5V
I
PEAK
= ----------------------
r
DS
(
ON
)
（当量2）
4
FN9009.6
2007年4月3日
ISL6520
发车间隔，并导致过电流跳闸。该转换器
消耗非常少的功率，该方法。测得的
输入功率为图1中的条件是只有1.5W 。
输出电感
当前
5A/DIV.
（ FB引脚）的电压，输出电压处于调节状态。这
方法提供了一种快速和受控的输出电压的上升。该
整个启动过程通常需要大约11毫秒。
V
OUT
500mV/DIV.
COMP / OCSET
1V/DIV.
时间（毫秒/ DIV ）。
TIME （ 2MS / DIV ）。
图1.过流运行
图2.启动顺序
过电流的功能将在峰值电感器电流跳闸
(I
峰）
由下式确定：
I
OCSET
个R
OCSET
I
PEAK
= ----------------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
应用指南
布局的注意事项
正如任何高频开关转换器，布置很
非常重要的。开关电流从一个电源装置向另一个
可以产生跨越的阻抗电压瞬变
相互连接的连接线和电路的痕迹。这些
互连阻抗应使用被最小化
宽，短的印刷电路走线。关键组件
应一起位于尽可能靠近，利用地面
平面结构或单点接地。
V
IN
（当量3）
在那里我
OCSET
是内部OCSET电流源（ 20μA
典型值） 。业主立案法团行程点的变化主要是由于
MOSFET的
DS （ ON）
的变化。为了避免过电流跳闸
在正常的工作载荷范围内，网络连接届第r
OCSET
电阻器
从上面的等式：
1.最大R
DS （ ON）
在最高结
温度。
2.最小余
OCSET
从特定网络阳离子表。
3.确定我
PEAK
为
( ΔI )
-
I
PEAK
＆ GT ;我
OUT
(
最大
)
+
---------
,
2
ISL6520
UGATE
相
Q
2
Q
1
哪里
ΔI
是输出电感纹波电流。
对于公式的纹波电流，请参阅“输出电感
选择“第7页。
L
O
V
OUT
LGATE
软启动
上电复位功能启动后，软启动序列
过电流设定点被采样。软启动的钳位
误差放大器的输出（ COMP引脚）和参考输入端（非
反相误差放大器的终端）的内部产生
软启动电压。图2显示了一个典型的启动间隔
其中COMP / OCSET引脚已被释放从
接地（系统关闭）状态。最初， COMP / OCSET
用于通过禁用错误采样oversurrent设定值
放大器和过R绘图20μA
OCSET
。一旦过
电流电平已被取样，软启动功能是
发起。在误差放大器的钳位（ COMP / OCSET引脚）
最初控制转换器的软启动期间的输出电压。
振荡器的三角波进行比较的斜坡
误差放大器的电压。这产生了相脉冲
增加宽度对输出电容充电（多个） 。当
内部产生的软启动电压超过反馈
5
回报
C
O
图3.印刷电路板电源和
地平面或岛
图3示出了转换器的临界功率元件。
为了最大限度地降低电压过冲，互连线
由粗线表示应的接地或电源部分
平面中的印刷电路板。中示出的组件
图3应尽可能靠近在一起的可能。
请注意，电容器C
IN
和C
O
可能每个
代表众多的物理电容器。找到了ISL6520
在3英寸的MOSFET中，Q
1
和Q
2
。该电路迹线
从MOSFET的栅极和源极连接
ISL6520的尺寸必须能够处理高达1A的峰值电流。
FN9009.6
2007年4月3日
负载
C
IN
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