ISL6255 ， ISL6255A
绝对最大额定值
DCIN ， CSIP ， CSON到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 28V
CSIP - CSIN ，南方东英， CSON 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
CSIP - SGATE ， CSIP - BGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至16V
相对于GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -7V至30V
引导至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 35V
引导至VDDP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2V至28V
ACLIM ， ACPRN ， CHLIM ， DCPRN ， VDD和GND 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
BOOT -PHASE ， VDDP ，保护地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
ACSET和DCSET到GND （注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
ICM ， ICOMP ， VCOMP至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
VREF ，细胞GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
EN ， VADJ ， PGND到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PHASE - 0.3V引导+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。保护地 - 0.3V至VDDP + 0.3V
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装（注4,5） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
39
9.5
QSOP封装（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
NA
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 150°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 100°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
3.当跨越ACSET和DCSET电压低于0V时，电流通过ACSET和DCSET应限制在小于1mA 。
4.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379 。
5.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
DCIN = CSIP = CSIN = 18V ，南方东英= CSON = 12V ， ACSET = DCSET = 1.5V ， ACLIM = VREF ，
VADJ =浮动， EN = VDD = 5V ， BOOT -PHASE = 5.0V ， GND地线= = 0V ，C
VDD
= 1μF ，我
VDD
= 0毫安，
T
A
= -10 ° C至+ 100 ° C，T
J
≤
125 ℃，除非另有说明。
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
电源和偏置稳压器
DCIN输入电压范围
DCIN静态电流
电池漏电流（注6 ）
VDD输出电压/调节
VDD欠压锁定触发点
7
EN = VDD和GND ， 7V
≤
DCIN
≤
25V
DCIN = 0时，无负载
7V
≤
DCIN
≤
25V, 0
≤
I
VDD
≤
30mA
VDD上升
迟滞
4.925
4.0
200
2.365
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
1.4
3
5.075
4.4
250
2.39
25
3
10
5.225
4.6
400
2.415
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
mA
A
V
V
mV
V
%
%
%
%
%
%
%
%
%
输出参考电压Vref
电池充电电压精度
0
≤
I
VREF
≤
300A
CSON = 16.8V ，细胞= VDD ， VADJ =浮动
CSON = 12.6V ，细胞= GND ， VADJ =浮动
CSON = 8.4V ，细胞= FLOAT ， VADJ =浮动
CSON = 17.64V ，细胞= VDD ， VADJ = VREF
CSON = 13.23V ，细胞= GND ， VADJ = VREF
CSON = 8.82V ，单元= FLOAT ， VADJ = VREF
CSON = 15.96V ，细胞= VDD ， VADJ = GND
CSON = 11.97V ，细胞= GND ， VADJ = GND
CSON = 7.98V ，单元= FLOAT ， VADJ = GND
触发点
ACSET门槛
ACSET输入偏置电流滞后
ACSET输入偏置电流
ACSET输入偏置电流
DCSET门槛
ACSET
≥
1.26V
ACSET < 1.26V
1.24
2.2
2.2
-1
1.24
1.26
3.4
3.4
0
1.26
1.28
4.4
4.4
1
1.28
V
A
A
A
V
3
FN9203.2
2006年5月23日
QQ：2881677436 复制
