【快速CMOS八路D寄存器（三态）集成设备技术有限公司IDT54 / 74FCT374T / AT /】,IC型号IDT54FCT2534TPB,IDT54FCT2534TPB PDF资料,IDT54FCT2534TPB经销商,ic,电子元器件-51电子网

快速CMOS八路D

寄存器（三态）

集成设备技术有限公司

IDT54 / 74FCT374T / AT / CT / DT - 2374T / AT / CT

IDT54/74FCT534T/AT/CT

IDT54 / 74FCT574T / AT / CT / DT - 2574T / AT / CT

产品特点：

共同的特点：

低输入和输出泄漏

≤1A

（ MAX 。）

- CMOS功率水平

- 真正的TTL输入和输出的兼容性

– V

OH

= 3.3V （典型值）。

– V

OL

= 0.3V （典型值）。

- 符合或超过JEDEC标准规格18

- 产品在耐辐射和辐射提供

增强版

- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类

和DESC上市（双标）

- 提供DIP ， SOIC ， SSOP ， QSOP ， CERPACK

和LCC封装

功能FCT374T / FCT534T / FCT574T ：

- 标准， A，C和D的速度等级

- 高驱动输出（ -15mA我

OH

， 48毫安我

OL

)

特色功能FCT2374T / FCT2574T ：

- 标准，A和C速度等级

- 电阻输出（ -15mA我

OH

， 12毫安我

OL

COM 。）

（ -12mA我

OH

， 12毫安我

OL

MIL ）。

降低系统的开关噪声

描述

该FCT374T / FCT2374T ， FCT534T和FCT574T /

FCT2574T是8位寄存器，使用一种先进的双建

金属的CMOS工艺。这些寄存器包括8 D-

型触发器具有缓冲公共时钟和缓冲3-

态输出控制。当输出使能（

OE

）输入

LOW ， 8个输出使能。当

OE

输入

高电平时，输出处于高阻抗状态。

输入数据满足的建立和保持时间的要求

的D输入被传递到Q输出端上的低到

时钟输入的高电平跳变。

该FCT2374T和FCT2574T已平衡输出驱动器

与限流电阻。这提供了较低的地面反弹，

最小冲和控制输出下降时间，减少

需要进行外部串联终端电阻。 FCT2xxxT

份是插件替代FCTxxxT份。

功能框图FCT374 / FCT2374T和FCT574 / FCT2574T

D

0

CP

Q

CP

Q

CP

D

Q

CP

D

Q

CP

D

Q

CP

D

Q

CP

D

Q

CP

D

Q

D

1

D

2

D

3

D

4

D

5

D

6

D

7

OE

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

4

Q

5

Q

6

Q

7

2569 DRW 01

功能框图FCT534T

D

0

CP

D

Q

CP

D

Q

CP

D

Q

CP

D

Q

CP

D

Q

CP

D

Q

CP

D

Q

CP

D

Q

D

1

D

2

D

3

D

4

D

5

D

6

D

7

OE

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

4

Q

5

Q

6

Q

7

2569 DRW 02

IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。

军用和商用温度范围

1995

集成设备技术有限公司

1995年8月

DSC-4214/5

6.13

1

IDT54 / 74FCT374T / AT / CT / DT - 2374T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT534T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT574T / AT / CT / DT - 2574T / AT / CT

快速CMOS八路D寄存器（三态）

军用和商用温度范围

销刀豆网络gurations

IDT54/74FCT374T

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

20

19

P20-1

D20-1

SO20-2

SO20-7

SO20-8

＆放大器;

E20-1

18

17

16

15

14

13

12

11

V

CC

Q

7

D

7

D

6

Q

6

Q

5

D

5

D

4

Q

4

CP

OE

Q

0

D

0

D

1

Q

1

Q

2

D

2

D

3

Q

3

GND

3

D

1

Q

1

Q

2

D

2

D

3

4

5

6

7

8

Q

0

OE

2

1

D

0

指数

V

CC

Q

7

20 19

18

17

16

15

D

7

D

6

Q

6

Q

5

D

5

L20-2

14

9 10 11 12 13

GND

CP

Q

3

Q

4

D

4

2569 DRW 03

DIP / SOIC / SSOP / QSOP / CERPACK

顶视图

LCC

顶视图

IDT54/74FCT574T

V

CC

OE

1

指数

D

1

D

0

OE

D

0

D

1

D

2

D

3

D

4

D

5

D

6

D

7

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

20

19

P20-1

D20-1

SO20-2

SO20-7

SO20-8

＆放大器;

E20-1

18

17

16

15

14

13

12

11

V

CC

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

4

Q

5

Q

6

Q

7

CP

3 2

D

2

D

3

D

4

D

5

D

6

4

5

6

7

8

20 19

18

17

16

15

14

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

4

Q

5

L20-2

9 10 11 12 13

D

7

GND

CP

Q

7

Q

6

DIP / SOIC / SSOP / QSOP / CERPACK

顶视图

2569 DRW 04

LCC

顶视图

IDT54/74FCT534T

Q

0

OE

1

OE

Q

0

D

0

D

1

Q

1

Q

2

D

2

D

3

Q

3

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

P20-1

D20-1

SO20-2

SO20-8

＆放大器;

E20-1

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

V

CC

Q

7

D

7

D

6

Q

6

Q

5

D

5

D

4

GND

3 2

D

1

Q

1

Q

2

D

2

D

3

4

5

6

7

8

L20-2

20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

D

7

D

6

Q

6

Q

5

D

5

D

0

指数

Q

4

CP

Q

4

D

4

Q

3

V

CC

Q

7

2569 DRW 05

DIP / SOIC / QSOP / CERPACK

顶视图

LCC

顶视图

6.13

2

IDT54 / 74FCT374T / AT / CT / DT - 2374T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT534T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT574T / AT / CT / DT - 2574T / AT / CT

快速CMOS八路D寄存器（三态）

军用和商用温度范围

引脚说明

引脚名称

D

N

CP

Q

N

描述

D触发器的数据输入端

时钟脉冲的寄存器。输入数据

低到高的转变。

三态输出，（真正的）

三态输出，（倒）

低电平有效三态输出使能输入

2569 TBL 01

Q

N

OE

功能表

(1)

534

输入

功能

高阻

装入寄存器

输出

D

N

X

L

H

L

H

国内

Q

N

NC

L

H

L

H

374/574

输出

国内

Q

N

Z

L

H

Z

OE

H

L

H

CP

L

H

Q

N

Z

H

L

Z

Q

N

NC

H

L

H

L

2569 TBL 02

↑

注意：

1. H =高电压电平

L =低电压等级

X =无关

Z =高阻抗

NC =无变化

↑

=低到高的转变

绝对最大额定值

(1)

符号

等级

V

TERM(2)

端电压

-0.5到+7.0

关于

GND

V

TERM(3)

端电压

-0.5到

关于

V

CC

+0.5

GND

T

A

操作

0至+70

温度

T

BIAS

温度

-55到+125

在偏置

T

英镑

存储

-55到+125

温度

P

T

功耗

0.5

I

OUT

DC输出

当前

-60到+120

军事

-0.5到+7.0

单位

V

电容

(T

A

= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）

符号

参数

(1)

C

IN

输入

电容

C

OUT

产量

电容

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

典型值。

6

8

MAX 。 UNIT

10

pF

12

pF

2569 LNK 04

-0.5到

V

CC

+0.5

-55到+125

-65到+135

-65到+150

0.5

-60到+120

V

°C

W

mA

注意：

1.此参数的测量是在表征，但未经测试。

2569 LNK 03

注意事项：

1.强调超过绝对最大额定上市

INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级

该器件在这些或任何其他条件只与功能操作

超过上述业务部门所标明的这个规范

不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间会影响其可靠性。没有端子电压可能超过

V

CC

以+ 0.5V ，除非另有说明。

2.输入和V

CC

只有终端。

3.输出和仅I / O端子。

6.13

3

IDT54 / 74FCT374T / AT / CT / DT - 2374T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT534T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT574T / AT / CT / DT - 2574T / AT / CT

快速CMOS八路D寄存器（三态）

军用和商用温度范围

直流电气在整个工作范围特性

下列条件适用，除非另有规定：

商业：T已

A

= 0 ° C至+ 70 ° C，V

CC

= 5.0V

±

5％ ;军事：T已

A

= -55℃ + 125°C ，V

CC

= 5.0V

±

10%

符号

V

IH

V

IL

I

I H

I

I L

I

OZH

I

OZL

I

V

IK

V

H

I

CC

参数

输入高电平

输入低电平

输入高电流

(4)

输入低电平电流

(4)

高阻抗输出电流

（三态输出引脚）

(4)

输入高电流

(4)

钳位二极管电压

输入滞后

静态电源电流

V

CC

=最小值，我

IN

= -18mA

—

测试条件

(1)

确保逻辑高电平

保证逻辑低电平

V

CC

=最大。

V

CC

=最大。

V

I

= 2.7V

V

I

= 0.5V

V

O

= 2.7V

V

O

= 0.5V

V

CC

=最大，V

I

= V

CC

（ MAX 。）

分钟。

2.0

—

典型值。

(2)

—

–0.7

200

0.01

马克斯。

—

0.8

单位

V

±

1

±

1

±

1

±

1

±

1

–1.2

—

1

A

V

mV

mA

2569 LNK 05

V

CC

=最大，V

IN

= GND或V

CC

输出驱动特性，可以用于FCT374T / 534T / 574T

符号

V

OH

参数

输出高电压

测试条件

(1)

V

CC

=最小值。

I

OH

= -6mA MIL 。

V

IN

= V

IH

或V

IL

I

OH

= -8mA COM'L 。

I

OH

= -12mA MIL 。

I

OH

= -15mA COM'L 。

V

CC

=最小值。

I

OL

= 32毫安MIL 。

V

IN

= V

IH

或V

IL

I

OL

= 48毫安COM'L 。

(3)

V

CC

=最大，V

O

= GND

分钟。

2.4

2.0

—

–60

典型值。

(2)

3.3

3.0

0.3

–120

马克斯。

—

0.5

–225

单位

V

mA

2569 LNK 06

V

OL

I

OS

输出低电压

短路电流

输出驱动特性，可以用于FCT2374T / 2574T

符号

I

ODL

I

ODH

V

OH

V

OL

参数

输出低电流

输出高电流

输出高电压

输出低电压

测试条件

(1)

V

CC

= 5V, V

IN

= V

IH

或V

白细胞介素，

V

OUT

= 1.5V

(3)

V

CC

= 5V, V

IN

= V

IH

或V

白细胞介素，

V

OUT

= 1.5V

(3)

V

CC

=最小值。

V

IN

= V

IH

或V

IL

V

CC

=最小值。

V

IN

= V

IH

或V

IL

I

OH

= -12mA MIL 。

I

OH

= -15mA COM'L 。

I

OL

= 12毫安

分钟。

16

–16

2.4

—

典型值。

(2)

48

–48

3.3

0.3

马克斯。

—

0.50

单位

mA

V

2569 LNK 07

注意事项：

1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。

2.典型值是在Vcc = 5.0V ， + 25 ° C的环境。

3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。

4.测试限制这个参数是

±5A

在T

A

= –55°C.

6.13

4

IDT54 / 74FCT374T / AT / CT / DT - 2374T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT534T / AT / CT ， IDT54 / 74FCT574T / AT / CT / DT - 2574T / AT / CT

快速CMOS八路D寄存器（三态）

军用和商用温度范围

电源特性

符号

I

CC

I

CCD

参数

静态电源电流

TTL输入高电平

动态电源

当前

(4)

测试条件

(1)

V

CC

=最大。

V

IN

= 3.4V

(3)

V

CC

=最大。

输出打开

OE

= GND

一个输入切换

占空比为50％

V

CC

=最大。

输出打开

f

CP

= 10MHz时

占空比为50％

OE

= GND

科幻= 5MHz时，

占空比为50％

一位切换

V

CC

=最大。

输出打开

f

CP

= 10MHz时

占空比为50％

OE

= GND

八位切换

科幻= 2.5MHz的

占空比为50％

分钟。

—

典型值。

(2)

0.5

0.15

0.06

马克斯。

2.0

0.25

0.12

单位

mA

毫安/

兆赫

V

IN

= V

CC

FCTxxxT

V

IN

= GND

FCT2xxxT

I

C

总电源电流

(6)

V

IN

= V

CC

FCTxxxT

V

IN

= GND

FCT2xxxT

FCTxxxT

V

IN

= 3.4

V

IN

= GND

FCT2xxxT

V

IN

= V

CC

FCTxxxT

V

IN

= GND

FCT2xxxT

FCTxxxT

V

IN

= 3.4

V

IN

= GND

FCT2xxxT

—

1.5

0.6

2.0

1.1

3.5

2.2

5.5

4.2

7.3

(5)

4.0

(5)

16.3

(5)

13.0

(

5)

mA

—

3.8

1.5

6.0

3.8

注意事项：

1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。

2.典型值是在V

CC

= 5.0V ， + 25 ° C的环境。

3.每TTL驱动输入（V

IN

= 3.4V ）。所有其他输入在V

CC

或GND 。

4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。

5.值这些条件是我的例子

CC

公式。这些限制保证，但未经测试。

6. I

C

= I

静

+ I

输入

+ I

动态

I

C

= I

CC

+

I

CC

D

H

N

T

+ I

CCD

(f

CP /

2 + f

i

N

i

)

I

CC

·静态电流

I

CC

=电源电流为TTL高电平输入（V

IN

= 3.4V)

D

H

=占空比为TTL输入高电平

N

T

=的TTL输入的D号

H

I

CCD

=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流

f

CP

=时钟频率为注册设备（零非注册设备）

f

i

=输入频率

N

i

输入数=在f

i

所有电流都毫安，所有频率在兆赫。

2569 TBL 08

6.13

5