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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第549页 > ISL6251AHRZ
ISL6251 , ISL6251A
数据表
2006年5月10日
FN9202.2
低成本多化学电池
充电控制器
该ISL6251 , ISL6251A是一款高度集成的电池
充电器,控制器,锂离子/锂聚合物电池,
镍氢电池。高效率是由一个实现
同步降压拓扑结构和使用的MOSFET的,
一个二极管来代替,用于从适配器中选择功率或
电池。低边MOSFET的模拟光二极管
负载以提高轻负载效率和防止系统
总线提升。
恒定的输出电压可被选择为2,3和4
串联锂离子电池用0.5 %的准确度温度。它
可以4.2V + 5 % /电池之间也可以编程
4.2V - 5 % /单元,以优化电池的容量。当供应
负载和电池充电器同时,输入
电流限制AC适配器是可编程的内
3 %的准确率,避免AC适配器过载,并
使系统能够有效地利用可用的适配器
电源进行充电。它也具有很宽范围的
可编程的充电电流。该ISL6251 , ISL6251A
提供了用于监视所汲取的电流输出
从AC适配器和监视器交流的存在
适配器。该ISL6251 , ISL6251A自动转换
从调节电流模式调节电压模式。
特点
± 0.5 %充电电压精度( -10 ° C至100 ° C)
± 3 %精度输入电流限制
± 3 %精确的电池充电电流限制
± 25 %精确的电池涓流充电电流限制
(ISL6251A)
可编程充电电流限制,适配器电流
限制和充电电压
固定300kHz的PWM同步降压控制器
二极管仿真轻载
输出的电流从交流适配器拉
交流适配器指示灯
快速输入电流限制回应
输入电压范围为7V至25V
支持2,3和4单元格电池
高达17.64V电池电压设定点
热关断
支持脉冲充电
超过10μA电池漏电流少
收取任何电池类型:锂离子电池,镍镉电池,镍氢电池等。
无铅加退火有(符合RoHS )
订购信息
部分
(注1,2 )
ISL6251HRZ
ISL6251HAZ
部分
记号
ISL6251HRZ
ISL6251HAZ
温度
范围
(°C)
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
应用
笔记本,台式笔记本和亚笔记本电脑
个人数字助理
-10℃100 28 Ld的5×5的QFN L28.5 ×5
-10℃100 24 Ld的QSOP
M24.15
ISL6251AHRZ ISL6251AHRZ -10100 28 Ld的5×5的QFN L28.5 ×5
ISL6251AHAZ ISL6251AHAZ -10100 24 Ld的QSOP
注意事项:
1. Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值
达到或超过了无铅回流焊的温度
IPC / JEDEC J STD- 020的要求。
2.添加“ -T”的磁带和卷轴。
M24.15
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL or1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6251 , ISL6251A
引脚配置
ISL6251 , ISL6251A
( 28 LD QFN )
顶视图
ACPRN
ACSET
CSON
DCIN
VDD
VDD
ACSET
EN
21
20
19
18
17
16
15
8
ACLIM
9
VADJ
10
GND
11
保护地
12
LGATE
13
VDDP
14
BOOT
南方东英
CSIN
CSIP
NA
NA
UGATE
细胞
ICOMP
VCOMP
ICM
VREF
CHLIM
ACLIM
VADJ
GND
ISL6251 , ISL6251A
( 24 LD QSOP )
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
DCIN
ACPRN
CSON
南方东英
CSIN
CSIP
UGATE
BOOT
VDDP
LGATE
保护地
NA
28
EN
细胞
ICOMP
VCOMP
ICM
VREF
CHLIM
1
2
3
4
5
6
7
27
26
25
NA
24
23
22
2
FN9202.2
2006年5月10日
ISL6251 , ISL6251A
绝对最大额定值
DCIN , CSIP , CSON至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 28V
CSIP - CSIN ,南方东英, CSON 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
相PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -7V至30V
BOOT至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 35V
ACLIM , ACPRN , CHLIM , VDD和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
BOOT -PHASE , VDDP ,保护地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
ICM , ICOMP , VCOMP至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
VREF ,细胞GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
EN , VADJ , PGND到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至VDD + 0.3V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PHASE - 0.3V引导+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。保护地 - 0.3V至VDDP + 0.3V
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
QFN封装(注6 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
39
9.5
QSOP封装(注5 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
88
不适用
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 150°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 100°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
3.当跨越ACSET电压低于0V时,电流通过ACSET应限制在小于1mA 。
4.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379 。
5.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
6.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
DCIN = CSIP = CSIN = 18V ,南方东英= CSON = 12V , ACSET = 1.5V , ACLIM = VREF , VADJ =浮动,
EN = VDD = 5V , BOOT -PHASE = 5.0V , GND地线= = 0V ,C
VDD
= 1μF ,我
VDD
= 0毫安,T
A
= -10℃至+ 100℃,
T
J
125 ℃,除非另有说明。
测试条件
典型值
最大
单位
参数
电源和偏置稳压器
DCIN输入电压范围
DCIN静态电流
电池漏电流(注7 )
VDD输出电压/调节
VDD欠压锁定触发点
7
EN = VDD和GND , 7V
DCIN
25V
DCIN = 0时,无负载
7V
DCIN
25V, 0
I
VDD
30mA
VDD上升
迟滞
4.925
4.0
200
2.365
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
1.4
3
5.075
4.4
250
2.39
25
3
10
5.225
4.6
400
2.415
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
mA
A
V
V
mV
V
%
%
%
%
%
%
%
%
%
输出参考电压Vref
电池充电电压精度
0
I
VREF
300A
CSON = 16.8V ,细胞= VDD , VADJ =浮动
CSON = 12.6V ,细胞= GND , VADJ =浮动
CSON = 8.4V ,细胞= FLOAT , VADJ =浮动
CSON = 17.64V ,细胞= VDD , VADJ = VREF
CSON = 13.23V ,细胞= GND , VADJ = VREF
CSON = 8.82V ,单元= FLOAT , VADJ = VREF
CSON = 15.96V ,细胞= VDD , VADJ = GND
CSON = 11.97V ,细胞= GND , VADJ = GND
CSON = 7.98V ,单元= FLOAT , VADJ = GND
触发点
ACSET门槛
ACSET输入偏置电流滞后
ACSET输入偏置电流
ACSET输入偏置电流
ACSET
1.26V
ACSET < 1.26V
1.24
2.2
2.2
-1
1.26
3.4
3.4
0
1.28
4.4
4.4
1
V
A
A
A
3
FN9202.2
2006年5月10日
ISL6251 , ISL6251A
电气规格
DCIN = CSIP = CSIN = 18V ,南方东英= CSON = 12V , ACSET = 1.5V , ACLIM = VREF , VADJ =浮动,
EN = VDD = 5V , BOOT -PHASE = 5.0V , GND地线= = 0V ,C
VDD
= 1μF ,我
VDD
= 0毫安,T
A
= -10℃至+ 100℃,
T
J
125 ℃,除非另有说明。
(续)
测试条件
典型值
最大
单位
参数
振荡器
频率
PWM斜坡电压(峰 - 峰)
CSIP = 18V
CSIP = 11V
同步降压稳压器
最大占空比
UGATE拉电阻
UGATE源电流
UGATE下拉电阻
UGATE灌电流
LGATE拉电阻
LGATE源电流
LGATE下拉电阻
LGATE灌电流
245
300
1.6
1
355
千赫
V
V
97
BOOT -PHASE = 5V , 500毫安源电流
BOOT -PHASE = 5V , BOOT- UGATE = 2.5V
BOOT -PHASE = 5V , 500毫安灌电流
BOOT -PHASE = 5V , UGATE -PHASE = 2.5V
VDDP - PGND = 5V , 500毫安源电流
VDDP - PGND = 5V , VDDP , LGATE = 2.5V
VDDP - PGND = 5V , 500毫安灌电流
VDDP - PGND = 5V , LGATE = 2.5V
99
1.8
1.0
1.0
1.8
1.8
1.0
1.0
1.8
99.6
3.0
%
Ω
A
1.8
Ω
A
3.0
Ω
A
1.8
Ω
A
充电电流检测放大器
输入共模范围
输入失调电压
输入偏置电流为南方东英
输入偏置电流在CSON
CHLIM输入电压范围
南方东英到CSON满量程电流
检测电压
ISL6251 : CHLIM = 3.3V
ISL6251A , CHLIM = 3.3V
ISL6251 : CHLIM = 2.0V
ISL6251A : CHLIM = 2.0V
ISL6251 : CHLIM = 0.2V
ISL6251A : CHLIM = 0.2V
CHLIM输入偏置电流
CHLIM掉电模式阈值
电压
CHLIM掉电模式滞后
电压
适配器电流传感放大器
输入共模范围
输入失调电压
输入偏置电流在CSIP和CSIN
联合
输入偏置电流在CSIN
通过设计保证
CSIP = CSIN = 25V
0 < CSIN < DCIN ,保证设计
7
-2
100
0.10
25
2
130
1
V
mV
A
A
CHLIM = GND或3.3V , DCIN = 0V
CHLIM上升
通过设计保证
0 <南方东英< 18V
0 < < CSON 18V
0
157
160
95
97
5.0
7.5
-1
80
15
88
25
165
165
100
100
10
10
0
-2.5
0
0.25
75
18
2.5
2
100
3.6
173
170
105
103
15.0
12.5
1
95
40
V
mV
A
A
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
mV
mV
4
FN9202.2
2006年5月10日
ISL6251 , ISL6251A
电气规格
DCIN = CSIP = CSIN = 18V ,南方东英= CSON = 12V , ACSET = 1.5V , ACLIM = VREF , VADJ =浮动,
EN = VDD = 5V , BOOT -PHASE = 5.0V , GND地线= = 0V ,C
VDD
= 1μF ,我
VDD
= 0毫安,T
A
= -10℃至+ 100℃,
T
J
125 ℃,除非另有说明。
(续)
测试条件
典型值
最大
单位
参数
适配器电流限制阈值
CSIP和CSIN满量程电流检测ACLIM = VREF
电压
ACLIM =浮动
ACLIM = GND
ACLIM输入偏置电流
ACLIM = VREF
ACLIM = GND
电压调节误差放大器
由误差放大器的跨导
CSON到VCOMP
细胞= VDD
97
72
47
10
-20
100
75
50
16
-16
103
78
53
20
-10
mV
mV
mV
A
A
30
μA / V
电流调节误差放大器
充电电流误差放大器
适配器电流误差放大器
电池选择器
细胞输入电压为4单元选择
细胞输入电压为3单元选择
细胞输入电压的2单元选择
逻辑接口
EN输入电压范围
EN阈值电压
升起
落下
迟滞
EN输入偏置电流
ACPRN灌电流
ACPRN漏电流
ICM输出精度
( VICM = 19.9 ×( Vcsip - Vcsin ) )
EN = 2.5V
ACPRN = 0.4V
ACPRN = 5V
CSIP - CSIN = 100mV的
CSIP - CSIN =为75mV
CSIP - CSIN = 50mV的
热关断温度
热关断温度
迟滞
注意:
7.这是在这些引脚的电流总和( CSIP , CSIN , BOOT , UGATE ,相位,南方东英, CSON )都绑到16.8V 。没有电流EN引脚, ACSET ,
VADJ ,细胞, ACLIM , CHLIM 。
0
1.030
0.985
30
1.8
3
-0.5
-3
-4
-5
0
0
0
150
25
1.06
1.000
60
2.0
8
VDD
1.100
1.025
90
2.2
11
0.5
+3
+4
+5
V
V
V
mV
A
mA
A
%
%
%
°C
°C
2.1
4.3
2
4.2
V
V
V
50
50
μA / V
μA / V
5
FN9202.2
2006年5月10日
ISL6251 , ISL6251A
数据表
2005年6月17日
FN9202.1
低成本多化学电池
充电控制器
该ISL6251 , ISL6251A是一款高度集成的电池
充电器,控制器,锂离子/锂聚合物电池,
镍氢电池。高效率是由一个实现
同步降压拓扑结构和使用的MOSFET的,
一个二极管来代替,用于从适配器中选择功率或
电池。低边MOSFET的模拟光二极管
负载以提高轻负载效率和防止系统
总线提升。
恒定的输出电压可被选择为2,3和4
串联锂离子电池用0.5 %的准确度温度。它
可以4.2V + 5 % /电池之间也可以编程
4.2V - 5 % /单元,以优化电池的容量。当供应
负载和电池充电器同时,输入
电流限制AC适配器是可编程的内
3 %的准确率,避免AC适配器过载,并
使系统能够有效地利用可用的适配器
电源进行充电。它也具有很宽范围的
可编程的充电电流。该ISL6251 , ISL6251A
提供了用于监视所汲取的电流输出
从AC适配器和监视器交流的存在
适配器。该ISL6251 , ISL6251A自动转换
从调节电流模式调节电压模式。
特点
± 0.5 %充电电压精度( -10 ° C至100 ° C)
± 3 %精度输入电流限制
± 5 %精度的电池充电电流限制
± 25 %精确的电池涓流充电电流限制
(ISL6251A)
可编程充电电流限制,适配器电流
限制和充电电压
固定300kHz的PWM同步降压控制器
二极管仿真轻载
输出的电流从交流适配器拉
交流适配器指示灯
快速输入电流限制回应
输入电压范围为7V至25V
支持2,3和4单元格电池
高达17.64V电池电压设定点
热关断
支持脉冲充电
超过10μA电池漏电流少
收取任何电池类型:锂离子电池,镍镉电池,镍氢电池等。
PKG 。
DWG 。 #
订购信息
部分
ISL6251HRZ
(注1,2 )
ISL6251HAZ
(注1,2 )
ISL6251AHRZ
(注1,2 )
ISL6251AHAZ
(注1,2 )
注意事项:
1. Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和
100 %雾锡板终止完成,这是符合RoHS
标准,既锡铅和无铅焊接兼容
操作。 Intersil无铅产品分类MSL在
达到或超过了无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
2.添加“ -T”的磁带和卷轴。
温度
范围(° C)
-10-100
-10-100
-10-100
-10-100
28 Ld的5×5 QFN
(无铅)
24 Ld的QSOP
(无铅)
28 Ld的5×5 QFN
(无铅)
24 Ld的QSOP
(无铅)
无铅加退火有(符合RoHS )
L28.5×5
M24.15
L28.5×5
M24.15
应用
笔记本,台式笔记本和亚笔记本电脑
个人数字助理
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL or1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6251 , ISL6251A
引脚配置
ISL6251 , ISL6251A
( 28 LD QFN )
顶视图
ACPRN
ACSET
CSON
DCIN
VDD
VDD
ACSET
EN
21
20
19
18
17
16
15
8
ACLIM
9
VADJ
10
GND
11
保护地
12
LGATE
13
VDDP
14
BOOT
南方东英
CSIN
CSIP
ICM
NA
NA
UGATE
VREF
CHLIM
ACLIM
VADJ
7
GND
细胞
ICOMP
VCOMP
ISL6251 , ISL6251A
( 24 LD QSOP )
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
DCIN
ACPRN
CSON
南方东英
CSIN
CSIP
UGATE
BOOT
VDDP
LGATE
保护地
NA
28
EN
细胞
ICOMP
VCOMP
ICM
VREF
CHLIM
1
2
3
4
5
6
27
26
25
24
NA
23
22
2
FN9202.1
2005年6月17日
ISL6251 , ISL6251A
绝对最大额定值
DCIN , CSIP , CSON到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 28V
CSIP - CSIN ,南方东英, CSON 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
相对于GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -7V至30V
引导至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 35V
BOOT -PHASE , VDD , GND , VDDP ,保护地,
ACPRN到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
ACSET至GND (注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
ICM , ICOMP , VCOMP至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
ACLIM , CHLIM , VREF ,细胞GND 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VDD + 0.3V
EN , VADJ , PGND到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至VDD + 0.3V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PHASE - 0.3V引导+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。保护地 - 0.3V至VDDP + 0.3V
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
QFN封装(注6 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
39
9.5
QSOP封装(注5 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
88
不适用
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 150°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 100°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
3.当跨越ACSET电压低于0V时,电流通过ACSET应限制在小于1mA 。
4.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379 。
5.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
6.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
DCIN = CSIP = CSIN = 18V ,南方东英= CSON = 12V , ACSET = 1.5V , ACLIM = VREF , VADJ =浮动, EN = VDD = 5V ,
BOOT -PHASE = 5.0V , GND地线= = 0V ,C
VDD
= 1μF ,我
VDD
= 0毫安,T
A
= -10 ° C至+ 100 ° C,T
J
125°C ,除非
另有说明。
测试条件
典型值
最大
单位
参数
电源和偏置稳压器
DCIN输入电压范围
DCIN静态电流
电池漏电流(注7 )
VDD输出电压/调节
VDD欠压锁定触发点
7
EN = VDD和GND , 7V
DCIN
25V
DCIN = 0时,无负载
7V
DCIN
25V, 0
I
VDD
30mA
VDD上升
迟滞
4.925
4.0
200
2.365
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
1.4
3
5.075
4.4
250
2.39
25
3
10
5.225
4.6
400
2.415
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
mA
A
V
V
mV
V
%
%
%
%
%
%
%
%
%
输出参考电压Vref
电池充电电压精度
0
I
VREF
300A
CSON = 16.8V ,细胞= VDD , VADJ =浮动
CSON = 12.6V ,细胞= GND , VADJ =浮动
CSON = 8.4V ,细胞=浮动, VADJ =浮动
CSON = 17.64V ,细胞= VDD , VADJ = VREF
CSON = 13.23V ,细胞= GND , VADJ = VREF
CSON = 8.82V ,单元=浮动, VADJ = VREF
CSON = 15.96V ,细胞= VDD , VADJ = GND
CSON = 11.97V ,细胞= GND , VADJ = GND
CSON = 7.98V ,单元=浮动, VADJ = GND
触发点
ACSET门槛
ACSET输入偏置电流滞后
ACSET输入偏置电流
ACSET输入偏置电流
ACSET
1.26V
ACSET < 1.26V
1.24
2.2
2.2
-1
1.26
3.4
3.4
0
1.28
4.4
4.4
1
V
A
A
A
3
FN9202.1
2005年6月17日
ISL6251 , ISL6251A
电气规格
DCIN = CSIP = CSIN = 18V ,南方东英= CSON = 12V , ACSET = 1.5V , ACLIM = VREF , VADJ =浮动, EN = VDD = 5V ,
BOOT -PHASE = 5.0V , GND地线= = 0V ,C
VDD
= 1μF ,我
VDD
= 0毫安,T
A
= -10 ° C至+ 100 ° C,T
J
125°C ,除非
另有说明。
(续)
测试条件
典型值
最大
单位
参数
振荡器
频率
PWM斜坡电压(峰 - 峰)
CSIP=18V
CSIP=11V
同步降压稳压器
最大占空比
UGATE拉电阻
UGATE源电流
UGATE下拉电阻
UGATE灌电流
LGATE拉电阻
LGATE源电流
LGATE下拉电阻
LGATE灌电流
245
300
1.6
1
355
千赫
V
V
97
BOOT -PHASE = 5V , 500毫安源电流
BOOT -PHASE = 5V , BOOT- UGATE = 2.5V
BOOT -PHASE = 5V , 500毫安灌电流
BOOT -PHASE = 5V , UGATE -PHASE = 2.5V
VDDP - PGND = 5V , 500毫安源电流
VDDP - PGND = 5V , VDDP , LGATE = 2.5V
VDDP - PGND = 5V , 500毫安灌电流
VDDP - PGND = 5V , LGATE = 2.5V
99
1.8
1.0
1.0
1.8
1.8
1.0
1.0
1.8
99.6
3.0
%
A
1.8
A
3.0
A
1.8
A
充电电流检测放大器
输入共模范围
输入失调电压
输入偏置电流为南方东英
输入偏置电流在CSON
CHLIM输入电压范围
南方东英到CSON满量程电流
检测电压
ISL6251 : CHLIM = 3.3V
ISL6251A , CHLIM = 3.3V
ISL6251 : CHLIM = 2.0V
ISL6251A : CHLIM = 2.0V
ISL6251 : CHLIM = 0.2V
ISL6251A : CHLIM = 0.2V
CHLIM输入偏置电流
CHLIM掉电模式阈值
电压
CHLIM掉电模式滞后
电压
适配器电流传感放大器
输入共模范围
输入失调电压
输入偏置电流在CSIP & CSIN
联合
输入偏置电流在CSIN
保证设计
CSIP=CSIN=25V
0 < CSIN < DCIN ,保证设计
7
-2
100
0.10
25
2
130
1
V
mV
A
A
CHLIM = GND或3.3V , DCIN = 0V
CHLIM上升
保证设计
0 <南方东英< 18V
0 < < CSON 18V
0
157
160
95
97
5.0
7.5
-1
80
15
88
25
165
165
100
100
10
10
0
-2.5
0
0.25
75
18
2.5
2
100
3.6
173
170
105
103
15.0
12.5
1
95
40
V
mV
A
A
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
mV
mV
4
FN9202.1
2005年6月17日
ISL6251 , ISL6251A
电气规格
DCIN = CSIP = CSIN = 18V ,南方东英= CSON = 12V , ACSET = 1.5V , ACLIM = VREF , VADJ =浮动, EN = VDD = 5V ,
BOOT -PHASE = 5.0V , GND地线= = 0V ,C
VDD
= 1μF ,我
VDD
= 0毫安,T
A
= -10 ° C至+ 100 ° C,T
J
125°C ,除非
另有说明。
(续)
测试条件
典型值
最大
单位
参数
适配器电流限制阈值
CSIP和CSIN满量程电流检测ACLIM = VREF
电压
ACLIM =浮动
ACLIM = GND
ACLIM输入偏置电流
ACLIM = VREF
ACLIM = GND
电压调节误差放大器
由误差放大器的跨导
CSON到VCOMP
细胞= VDD
97
72
47
10
-20
100
75
50
16
-16
103
78
53
20
-10
mV
mV
mV
A
A
30
μA / V
电流调节误差放大器
充电电流误差放大器
适配器电流误差放大器
电池选择器
细胞输入电压为4单元选择
细胞输入电压为3单元选择
细胞输入电压的2单元选择
逻辑接口
EN输入电压范围
EN阈值电压
升起
落下
迟滞
EN输入偏置电流
ACPRN灌电流
ACPRN漏电流
ICM输出精度
( VICM = 19.9 ×( Vcsip - Vcsin ) )
EN=2.5V
ACPRN=0.4V
ACPRN=5V
CSIP-CSIN=100mV
CSIP-CSIN=75mV
CSIP-CSIN=50mV
热关断温度
热关断温度
迟滞
注意:
7.这是在这些引脚的电流总和( CSIP , CSIN , BOOT , UGATE ,相位,南方东英, CSON )都绑到16.8V 。没有电流EN引脚, ACSET ,
VADJ ,细胞, ACLIM , CHLIM 。
0
1.030
0.985
30
1.8
3
-0.5
-3
-4
-5
0
0
0
150
25
1.06
1.000
60
2.0
8
VDD
1.100
1.025
90
2.2
11
0.5
+3
+4
+5
V
V
V
mV
A
mA
A
%
%
%
°C
°C
2.1
4.3
2
4.2
V
V
V
50
50
μA / V
μA / V
5
FN9202.1
2005年6月17日
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