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技术参数
IN74HC4052
模拟复用器/解复用器
高性能硅栅CMOS
该IN74HC4052利用硅栅CMOS技术来实现
快速传播延迟,低导通电阻和低关断漏泄
电流。这些模拟多路复用器/多路分解器控制的模拟
电压穿越整个电源范围可能会有所不同(从
V
CC
到V
EE
).
信道选择输入决定模拟的哪一个
输入/输出端被连接,通过一个模拟开关的装置,该
常见的输出/ Input.When的使能引脚为高电平时,所有的模拟
开关关断。
信道选择和使能输入可以兼容
标准CMOS输出;与上拉电阻,它们是兼容的
与LS / ALS TTLoutputs 。
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围(V
CC
-V
EE
) = 2.0 12.0 V
数字(控制)电源电压范围(V
CC
-GND )= 2.0 6.0 V
低噪音
订购信息
IN74HC4052N塑料
IN74HC4052DW SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
双刀4位
加共关闭
功能表
控制输入
启用
B
L
L
L
L
PIN 16 = V
CC
引脚7 = V
EE
PIN 8 = GND
L
L
H
H
SELECT
A
L
H
L
H
X
Y0
Y1
Y2
Y3
X0
X1
X2
X3
ON
频道
H
X
X =无关
499
IN74HC4052
最大额定值
*
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
IN
I
P
D
TSTG
T
L
*
参数
正直流电源电压(参考GND)
(参考V
EE
)
负直流电源电压(参考GND)
模拟输入电压
数字输入电压(参考GND)
直流输入电流流入或流出的任何引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-0.5至14.0
-7.0到+0.5
V
EE
- 0.5 V
CC
+0.5
-1.5到V
CC
+1.5
±25
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
IN
V
IO *
T
A
t
r
, t
f
参数
正电源电压(参考GND)
(参考V
EE
)
负直流电源电压(参考GND)
模拟输入电压
数字输入电压(参考GND)
在开关的静态或动态电压
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(通道选择
或使能输入)
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
2.0
2.0
- 6.0
V
EE
GND
-
-55
0
0
0
最大
6.0
12.0
GND
V
CC
V
CC
1.2
+125
1000
500
400
单位
V
V
V
V
V
°C
ns
*
对于两端的电压,交换机将丢弃大于1.2 V(开关) ,过度V
CC
电流可以被绘制;
我。即,电流从开关可同时含有V
CC
并切换输入组件。的可靠性
设备将不会受到影响,除非最大额定值超出。
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静电压或电
场。但是,必须采取预防措施,以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围
在推荐工作条件表示..
未使用数字输入引脚必须连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的模拟量I / O引脚可以悬空或终止。
500
IN74HC4052
DC电气特性
数字部分(电压参考GND)
V
EE
= GND ,除非另有说明
V
CC
符号
参数
测试条件
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
±0.1
≤85
°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
±1.0
≤125
°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
±1.0
单位
V
IH
最小高级别
输入电压,
通道选择或
使能输入
最大的低-Level
输入电压,
通道选择或
使能输入
最大输入
漏电流,
通道选择或
使能输入
最大静态
电源电流
(每包)
R
ON
=每规格
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
V
V
IL
R
ON
=每规格
V
I
IN
V
IN
=V
CC
或GND ,
V
EE
=-6.0 V
A
I
CC
通道选择= V
CC
或GND
ENABLE - V
CC
或GND
V
IS
= V
CC
或GND
V
IO
= 0 V
V
EE
= GND
V
EE
= -6.0
V
CC
A
6.0
6.0
V
EE
V
2
8
20
80
40
160
DC电气特性
模拟部分
保证限额
25
°C
to
-55°C
190
120
100
150
100
80
30
12
10
0.1
≤8
5
°C
240
150
125
190
125
100
35
15
12
0.5
≤12
5
°C
280
170
140
230
140
115
40
18
14
1.0
单位
符号
参数
测试条件
V
R
ON
最大“开”电阻
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IS
= V
CC
或V
EE
I
S
2.0毫安(图1 )
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IS
= V
CC
或V
EE
(端点)
I
S
2.0毫安(图1 )
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
6.0
0.0
-4.5
-6.0
0.0
-4.5
-6.0
0.0
-4.5
-6.0
-6.0
R
ON
在最大差别
之间的“ON”电阻
任意两个通道在
同一个包
最大的场外渠道
泄漏电流,在任何一
通道
最大的场外渠道
泄漏电流,普通
通道
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
- V
EE
)
I
S
2.0毫安
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
- V
EE
开关关闭(图2 )
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
- V
EE
开关(图3 )
V
IN
=V
IL
或V
IH
交换机到交换机=
V
CC
- V
EE
(图4)
I
关闭
A
6.0
-6.0
0.1
1.0
2.0
I
ON
最大的同频
泄漏电流,通道到
通道
6.0
-6.0
0.1
1.0
2.0
A
501
IN74HC4052
AC电气特性
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
V
CC
符号
参数
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
370
74
63
60
12
10
290
58
49
345
69
59
10
35
80
1.0
≤85°C
≤125°C
单位
t
PLH
, t
PHL
最大传输延迟,通道选择
模拟输出(图8和图9)
最大传输延迟,模拟输入
模拟输出(图10和图11)
最大传输延迟,启用以模拟
输出(图12和13)的
最大传输延迟,启用以模拟
输出(图12和13)的
最大输入容量,信道选择或
使能输入
最大电容
模拟量I / O
COMMON O / I
穿心
功率耗散电容(每包)
(图15)
所有开关OFF
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
-
-
-
-
465
93
79
75
15
13
364
73
62
435
87
74
10
35
80
1.0
550
110
94
90
18
15
430
86
73
515
103
87
10
35
80
1.0
ns
t
PLH
, t
PHL
ns
t
PLZ
, t
PHZ
ns
t
PZL
, t
PZH
ns
C
IN
C
I / O
pF
pF
典型的25°C ,V
CC
=5.0 V, V
EE
=0
V
80
pF
C
PD
用于确定空载动态功率
消费:
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
502
IN74HC4052
额外的应用特性
( GND = 0.0 V)
V
CC
符号
BW
参数
最大开 -
通道
带宽或
最低
频率
响应
(图5)
关通道
穿心
隔离
(图6)
测试条件
f
in
= 1 MHz的正弦波
调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
OS
增加F
in
频直到分贝仪
读取的-3 dB
R
L
=50
,
C
L
= 10 pF的
V
V
EE
V
极限
*
25
°C
单位
兆赫
2.25
4.50
6.00
-2.25
-4.50
-6.00
95
95
95
-
f
in
正弦波
调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
IS
f
in
= 10千赫,R
L
=600
,
C
L
= 50 pF的
f
in
= 1.0兆赫,R
L
=50
,
C
L
= 10 pF的
dB
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
-2.25
-4.50
-6.00
-2.25
-4.50
-6.00
-50
-50
-50
-40
-40
-40
mVpp的
-
穿心
噪声,通道
选择输入到
COMMON O / I
(图7)
V
IN
1 MHz的方波(T
r
= t
f
= 6纳秒)
调整R
L
在安装程序,这样我
S
= 0启用
= GND
R
L
=600
,
C
L
= 50 pF的
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
-2.25
-4.50
-6.00
-2.25
-4.50
-6.00
-2.25
-4.50
-6.00
-2.25
-4.50
-6.00
25
105
135
35
145
190
dB
-50
-50
-50
-60
-60
-60
%
R
L
=10
,
C
L
= 10 pF的
-
相声
任何与
两个开关
(图14)
f
in
正弦波
调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
IS
f
in
= 10千赫,R
L
=600
,
C
L
= 50 pF的
f
in
= 1 MHz时,R
L
=50
,
C
L
= 10 pF的
f
in
= 1千赫,R
L
= 10 kΩ的,C
L
= 50 pF的
总谐波失真THD =
- THD
来源
V
IS
=4.0 V
PP
正弦波
V
IS
=8.0 V
PP
正弦波
V
IS
=11.0 V
PP
正弦波
*没有测试极限。由设计决定,并经资格验证。
THD
总谐波
失真
(图16)
2.25
4.50
6.00
-2.25
-4.50
-6.00
0.10
0.08
0.05
503
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IN74HC4052DW
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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