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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第93页 > ISL6227CA
ISL6227
数据表
2009年5月4日
FN9094.7
双移动友好PWM控制器
DDR选项
该ISL6227双PWM控制器提供高效率
从两个同步降压型DC / DC电压精度调节
转换器。它的目的是特别提供电源
调控的DDR内存，芯片组，显卡等
电子系统在笔记本电脑。该ISL6227的宽
输入电压范围能力，允许电压转换
直接从AC / DC适配器或锂离子电池组。
中恒频同步自动模式转型
整治在重负载和滞后（ HYS ）
二极管仿真在轻负载，确保高效率，宽
范围的条件。操作的HYS模式可以是
每个PWM变换器，如果单独禁用
恒定频率的连续导通操作时所需的
所有负载水平。效率是通过使用进一步提高
较低的MOSFET
DS （ ON）
作为电流检测元件。
电压前馈斜坡调制，电流模式
控制和内部反馈补偿提供快捷
响应于输入电压和负载瞬变。输入电流
纹波是由通道至通道PWM相位偏移最小化
为0° ， 90 °或180° （由输入电压和状态来确定
在DDR引脚） 。
该ISL6227可以控制两个独立的输出电压
调整范围为0.9V至5.5V ，或通过激活DDR脚，
变身成一个完整的DDR显存供电
的解决方案。在DDR模式， CH2输出电压VTT跟踪CH1
输出电压VDDQ 。 CH2输出能源和汇
目前，对于DDR内存的基本电源功能。
通过DDR内存所需要的参考电压VREF
生成。
在双电源应用的ISL6227监控
CH1和CH2的输出电压。一个独立的PGOOD
（电源良好）信号被确认为之后的每个通道
软启动过程已完成，并输出电压为
在PGOOD窗口。在DDR模式CH1产生的唯一
PGOOD信号。
内置过压保护防止输出从去
高于设定值由持有较低的MOSFET 115 ％
和上部MOSFET关断。当输出电压重新进入
法规， PGOOD将变为高电平，并正常运行
自动恢复。一旦软启动序列具有
完成后，欠压保护锁存违规
通道关闭，如果输出低于其设定点值的75％。
可调式过电流保护（ OCP ）监控电压
接R降
DS （ ON）
的低端MOSFET 。如果更精确
电流检测是必需的，一个外部电流检测电阻器
可被使用。
特点
提供稳压输出电压在0.9V至
5.5V
可从5V输入的电池电压范围为
28V或从3.3V / 5V系统轨道
有完整的DDR1和DDR2内存的电源解决方案
VTT跟踪VDDQ / 2和VDDQ / 2缓冲基准
产量
灵活的PWM或HYS加PWM模式选择与
HYS二极管仿真在轻负载，提高系统
效率
r
DS （ ON）
电流检测
优异的动力响应电压前馈
和电流模式控制可容纳宽范围
LC滤波器的选择
VCC引脚上的欠压锁定
电源良好，过流，过压，欠压
保护两个通道
在PWM模式下同步的300kHz PWM操作
无铅可（符合RoHS ）
应用
笔记本电脑和台式笔记本
平板电脑/板岩
手持便携式仪器
订购信息
部分
数
ISL6227CA*
部分
记号
ISL 6227CA
温度。
范围（° C）
包
PKG 。
DWG 。 ＃
-10到+100 28 Ld的QSOP M28.15
ISL6227CAZ * ISL 6227CAZ -10到+100 28 Ld的QSOP M28.15
（注）
（无铅）
ISL6227IA*
ISL 6227IA
-40至+100 28 Ld的QSOP M28.15
-40至+100 28 Ld的QSOP M28.15
（无铅）
L28.5x5
L28.5x5
ISL6227IAZ * ISL 6227IAZ
（注）
ISL6227HRZ * ISL 6227HRZ -10到+100 28 Ld的QFN
（注）
（无铅）
ISL6227IRZ * ISL 6227IRZ
（注）
-40至+100 28 Ld的QFN
（无铅）
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347的细节
卷筒规格。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装
特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属
材料和100 ％雾锡板加退火（ E3终止
完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和兼容
无铅焊接操作） 。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2004-2007年， 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6227
引脚配置
ISL6227
28 Ld的QSOP
ISL6227
28 Ld的5×5 QFN
顶视图
LGATE1
PGN1
GND 1
LGATE1 2
PGND1 3
PHASE1 4
UGATE1 5
BOOT1 6
ISEN1 7
EN1 8
9 VOUT1
VSEN1 10
OCSET1 11
SOFT1 12
DDR 13
VIN 14
28 VCC
27 LGATE2
26 PGND2
25 PHASE2
24 UGATE2
23 BOOT2
22 ISEN2
21 EN2
20 VOUT2
19 VSEN2
18 OCSET2
17 SOFT2
16 PG2 / REF
15 PG1
顶视图
PHASE2
21 UGATE2
20 BOOT2
19 ISEN2
GND
29
18 EN2
17 VOUT2
16 VSEN2
15 OCSET2
8
OCSET1
9 10 11 12 13 14
SOFT1
PG2/REF
SOFT2
V
OUT1
PWM1
Q2
C1
+
+1.80V
V
OUT2
+
+1.20V
VDDQ
PWM1
Q2
C1
+
+2.50V
VTT
OCSET2
Q4
C2
+
+1.25V
DDR
PG1
L2
VIN
LGATE2
PGND2
C2
GND
VCC
L2
PWM2
28 27 26 25 24 23 22
PHASE1 1
UGATE1 2
BOOT1 3
ISEN1 4
EN1 5
6 VOUT1
VSEN1 7
通用应用电路
OCSET1
Q1
L1
V
IN
+ 5V + 28V的
EN1
EN2
VCC
DDR
+5V
OCSET2
Q4
PWM2
Q3
ISL6227应用电路双通道电源
OCSET1
Q1
L1
V
IN
+ 5V至28V
EN1
EN2
VCC
DDR
+5V
PG2/VREF
Q3
VREF
+1.25V
ISL6227应用电路图完整的DDR显存供电
2
FN9094.7
2009年5月4日
ISL6227
绝对最大额定值
偏置电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 6.5V
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 28.0V
相， UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -5V （注1 ）到33.0V
BOOT ， ISEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V至+ 33.0V
BOOT的针对相位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 6.5V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至V
CC
+ 0.3V
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
80
不适用
QSOP封装（注2 ）
. . . . . . . . . . . . .
QFN封装（注3,4）
. . . . . . . . . . . .
36
6
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
偏置电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5.0V
±
5%
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.0V至+ 28.0V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10 ° C至+ 100°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10 ° C至+ 125°C
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1. 250ns的瞬间。见围负相节点电压摆幅的应用信息科
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379 。
4.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
5.限制设立的特性，不生产测试。
电气规格
推荐工作条件，除非另有说明。有MIN和/或最大极限参数
100％测试在+ 25 ℃，除非另有规定。温度限制设立的特性，并
未经生产测试。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
VCC电源
偏置电流
关断电流
VCC UVLO
VCC上升阈值
VCC下降阈值
V
IN
输入电压引脚电流（漏）
关断电流
振荡器
PWM1振荡器频率
I
CC
I
CCSn
LGATEx ， UGATEx开放， VSENx上述的强制
调节点，V
IN
> 5V
-
-
1.8
-
3.0
1
mA
A
V
CCU
V
CCD
4.3
4
4.45
4.14
4.5
4.34
V
V
I
VIN
I
VINS
-
-
-
-
35
1
A
A
f
c
商业， ISL6227C
工业， ISL6227I
255
240
-
-
-
-
-
300
300
2
0.625
1
125
250
345
345
-
-
-
-
-
千赫
千赫
V
V
V
mV / V的
mV / V的
斜坡幅度，峰峰值
斜坡幅度，峰峰值
斜坡补偿
斜坡/ V
IN
收益
斜坡/ V
IN
收益
参考和软启动
内部参考电压
基准电压准确度
V
R1
V
R2
V
ROFF
G
RB1
G
RB2
V
IN
= 16V （注5）
V
IN
= 5V （注5）
（注5 ）
V
IN
≥
4.2V （注5 ）
V
IN
≤
4.1V （注5 ）
V
REF
-
-1.0
0.9
-
-
+1.0
V
%
3
FN9094.7
2009年5月4日
ISL6227
电气规格
推荐工作条件，除非另有说明。有MIN和/或最大极限参数
100％测试在+ 25 ℃，除非另有规定。温度限制设立的特性，并
未经生产测试。
（续）
符号
I
软
V
ST
（注5 ）
测试条件
民
-
-
典型值
-4.5
1.5
最大
-
-
单位
A
V
参数
软启动电流在启动过程
软启动阈值完成
PWM变换器
负载调整率
VSEN引脚偏置电流
最小占空比
最大占空比
VOUT引脚输入阻抗
欠压关机开机级
过压保护
栅极驱动器
驱动器上拉电阻
上驱动下拉电阻
较低的驱动器上拉电阻
较低的驱动器下拉电阻
0.0毫安<我
VOUT1
< 5.0A ; 5.0V < V
BATT
< 28.0V
I
VSEN
D
民
D
最大
I
VOUT
V
UVL
V
OVP1
VOUT = 5V
设定点的分数; 2μs的噪声滤波器
设定点的分数; 2μs的噪声滤波器
（注5 ）
-2.0
-
-
-
-
70
110
-
80
4
87
134
75
115
+2.0
-
-
-
-
80
-
%
nA
%
%
kΩ
%
%
R
2UGPUP
R
2UGPDN
R
2LGPUP
R
2LGPDN
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
-
-
-
-
4
2.3
4
1.1
8
4
8
3
Ω
Ω
Ω
Ω
POWER GOOD和控制功能
电源良好门槛较低
电源良好门槛较高
PGOODx漏电流
PGOODx电压低
ISEN源电流
OCSET输出电流范围
EN - 低（关）
EN - 高（上）
连续导通模式（ CCM）的
强制执行（ HYS禁止运行）
自动CCM / HYS操作
启用
DDR - 低（关）
DDR - 高（上）
DDR REF输出电压
DDR REF输出电流
V
DDREF
I
DDREF
DDR = 1 ，我
REF
= 0 ... 10毫安
DDR = 1 （注5）
VOUTX拉低
VOUTX连接到输出
V
PG-
V
PG +
I
PGLKG
V
PGOOD
设定点的分数; 3μs的噪声滤波器
设定点的分数; 3μs的噪声滤波器。
V
上拉
= 5.5V
I
PGOOD
= -4mA
（注5 ）
84
110
-
-
-
2
-
2.0
-
0.9
-
3
0.99*
V
OC2
-
89
115
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
V
OC2
10
92
120
1
1
260
20
0.8
-
0.1
-
0.8
-
1.01*
V
OC2
12
%
%
A
V
A
A
V
V
V
V
V
V
V
mA
4
FN9094.7
2009年5月4日
ISL6227
典型的经营绩效
100
90
80
效率（％）
效率（％）
70 EFF @ 5V ， PWM
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.10
1.00
负载电流（A ）
10.0
EFF @ 19.5V ， PWM
EFF @ 12V ， PWM
EFF @ 19.5V
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.10
1.00
负载电流（A ）
10.0
EFF @ 5V ， PWM
EFF @ 5V
EFF @ 5V
EFF @ 12V
100
90
80
EFF @ 19.5V
EFF @ 19.5V ， PWM
EFF @ 12V ， PWM
EFF @ 12V
图1效率通道1中， 2.5V，
HYS / PWM模式
图2.效率2通道， 1.8V ，
HYS / PWM模式
2.54
V
OUT
@ 19.5V
2.53
输出电压（V）
输出电压（V）
1.83
V
OUT
@ 19.5V
1.82
V
OUT
@ 12V
1.81
V
OUT
@ 12V ， PWM
V
OUT
@ 19.5V ， PWM
2.52
2.51
2.50
2.49
V
OUT
@ 12V
V
OUT
@ 19.5V ， PWM
1.80
V
OUT
@ 5V ， PWM
1.79
V
OUT
@ 5V
V
OUT
@ 5V ， PWM
2.48
2.47
V
OUT
@ 5V
0
1
V
OUT
@ 12V ， PWM
2
3
负载电流（A ）
4
5
1.78
0
1
2
3
负载电流（A ）
4
5
通道1的图3.输出电压与负载
信道2的图4，输出电压与负载
308
306
304
频率（kHz ）
302
300
298
296
294
292
290
288
286
-20
0
20
40
60
80
100
120
25 ％分位数
VREF （ V）
频率平均
75 ％分位数
0.9025
75 ％分位数
0.9020
0.9015
0.9010
0.9005
0.9000
0.8995
0.8990
0.8985
0.8980
0.8975
-20
0
20
40
60
80
温度（℃）
100
120
25 ％分位数
VREF平均
温度（℃）
图5.开关频率，温度
图6.基准电压准确度
超温
5
FN9094.7
2009年5月4日
ISL6227
数据表
2004年3月
FN9094.1
双移动友好PWM控制器
DDR选项
该ISL6227双PWM控制器提供高效率
从两个同步降压型DC / DC电压精度调节
转换器。它的目的是特别提供电源
调控的DDR内存，芯片组，显卡等
电子系统在笔记本电脑。该ISL6227的宽
输入电压范围能力，允许电压转换
直接从AC / DC适配器或锂离子电池组。
中恒频同步自动模式转型
整治在重负载和滞后（ HYS ） diode-
仿真在轻负载时，保证高效率在宽范围内
的条件。操作的HYS模式可以被禁用
分别在每个PWM变换器，如果恒频
连续导通操作所需的所有负载水平。
效率是通过使用较低的MOSFET进一步增强
r
DS （ ON）
作为电流检测元件。
电压前馈斜坡调制，电流模式控制，
和内部反馈补偿提供快速响应
输入电压和负载瞬变。输入电流纹波
由通道至通道PWM相位的0°移，90°，或最小化
180 °（由输入电压和在DDR销的状态确定）。
该ISL6227可以控制两个独立的输出电压
调整范围为0.9V至5.5V ，或通过激活DDR脚，
变身成一个完整的DDR显存供电解决方案。
在DDR模式， CH2输出电压VTT跟踪CH1输出
电压VDDQ 。 CH2输出可源和吸收电流，一个
必要的电源功能的DDR内存。参考
通过DDR内存所需的电压VREF生成。
在双电源应用的ISL6227监控
CH1和CH2的输出电压。一个独立的PGOOD
（电源良好）信号之后，软断言每个通道
起动序列完成后，并在输出电压中
PGOOD窗口。在DDR模式CH1产生的唯一
PGOOD信号。
内置过压保护防止输出从去
高于设定值由持有较低的MOSFET 115 ％
和上部MOSFET关断。当输出电压重新进入
法规， PGOOD将变为高电平，并正常运行
自动恢复。一旦软启动序列具有
完成后，欠压保护锁存违规
通道关闭，如果输出低于其设定点值的75％。
可调式过电流保护（ OCP ）监控电压
接R降
DS （ ON）
的低端MOSFET 。如果更精确
电流检测是必需的，一个外部电流检测电阻器
可被使用。
特点
提供稳定的输出电压范围为0.9V - 5.5V
从5V至24V的输入电池电压范围内工作
或3.3V / 5V轨系统
有完整的DDR1和DDR2内存的电源解决方案
VTT跟踪VDDQ / 2和VDDQ / 2缓冲基准
产量
灵活的PWM或HYS加PWM模式选择与HYS
二极管仿真在轻负载，提高系统效率
r
DS （ ON）
电流检测
具有电压前馈和出色的动态响应
电流模式控制包容广泛的LC滤波器
SELECTIONS
VCC引脚上的欠压锁定
电源良好，过流，过压，欠压
保护两个通道
在PWM模式下同步的300kHz PWM操作
无铅可作为一种选择
订购信息
产品编号
ISL6227CA
ISL6227CAZ
（注）
ISL6227CA-T
ISL6227CAZ-T
（注）
TEMP 。 （ ° C）
-10-100
-10-100
-10-100
-10-100
包
28 Ld的SSOP
28 Ld的SSOP （无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M28.15
M28.15
28 Ld的SSOP磁带和卷轴M28.15
28 Ld的SSOP磁带和卷轴M28.15
（无铅）
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
引脚
ISL6227 （ 28 LD SSOP ）
顶视图
GND 1
LGATE1 2
PGND1 3
PHASE1 4
UGATE1 5
BOOT1 6
ISEN1 7
EN1 8
9 VOUT1
VSEN1 10
OCSET1 11
28 VCC
27 LGATE2
26 PGND2
25 PHASE2
24 UGATE2
23 BOOT2
22 ISEN2
21 EN2
20 VOUT2
19 VSEN2
18 OCSET2
17 SOFT2
16 PG2 / REF
15 PG1
应用
笔记本电脑和台式笔记本
手持便携式仪器
1
平板电脑/板岩
SOFT1 12
DDR 13
VIN 14
ISL6227
通用应用电路
OCSET1
Q1
L1
V
OUT1
PWM1
Q2
V
IN
+ 5V至+ 24V
EN1
EN2
VCC
DDR
+5V
OCSET2
PWM2
C1
+
+1.80V
Q3
L2
V
OUT2
+
+1.20V
Q4
C2
ISL6227应用电路双通道电源
OCSET1
Q1
L1
VDDQ
+
+2.50V
PWM1
Q2
V
IN
+ 5V至24V
EN1
EN2
VCC
DDR
+5V
PG2/VREF
PWM2
OCSET2
C1
Q3
L2
VTT
+
+1.25V
Q4
C2
VREF
+1.25V
ISL6227应用电路图完整的DDR显存供电
2
ISL6227
绝对最大额定值
偏置电压，V
CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
+6.5V
输入电压V
IN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .. 。 。 。 。 。 。 。
+25.0V
相， UGATE
.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GND - 5V （注1 ）到33.0V
BOOT ， ISEN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GND - 0.3V至+ 33.0V
BOOT就相
.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
+ 6.5V
所有其他引脚
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GND -0.3V到V
CC
+ 0.3V
ESD分类
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2级
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
（ ° C / W）
80
SSOP封装
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SSOP - 只会提示）
推荐工作条件
偏置电压，V
CC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . .
+5.0V
±
5%
输入电压V
IN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
+ 5.0V至+ 24.0V
环境温度范围
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-10℃ 100℃的
结温范围
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-10 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. 250ns的瞬间。见围负相节点电压摆幅的应用信息科
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源
偏置电流
关断电流
VCC UVLO
VCC上升阈值
VCC下降阈值
V
IN
输入电压引脚电流（漏）
关断电流
振荡器
PWM1振荡器频率
斜坡幅度，峰峰值
斜坡幅度，峰峰值
斜坡补偿
斜坡/ V
IN
收益
斜坡/ V
IN
收益
参考和软启动
内部参考电压
基准电压准确度
软启动电流在启动过程
软启动阈值完成
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
I
CCSn
LGATEx ， UGATEx开放， VSENx上述的强制
调节点，V
IN
> 5V
-
-
1.8
-
3.0
1
mA
A
V
CCU
V
CCD
4.3
4
4.45
4.14
4.5
4.34
V
V
I
VIN
I
VINS
-
-
-
-
35
1
A
A
F
c
V
R1
V
R2
V
ROFF
G
RB1
G
RB2
V
IN
= 16V ，设计
V
IN
= 5V ，设计
通过设计
V
IN
≥
4.2V ，设计
V
IN
≤
4.1V设计
255
-
-
-
-
-
300
2
0.625
1
125
250
345
-
-
-
-
-
千赫
V
V
V
mV / V的
mV / V的
V
REF
-
-1.0
0.9
-
-4.5
1.5
-
+1.0
-
-
V
%
A
V
I
软
V
ST
通过设计
-
-
3
ISL6227
电气规格
参数
PWM变换器
负载调整率
VSEN引脚偏置电流
最小占空比
最大占空比
VOUT引脚输入阻抗
欠压关机开机级
过压保护
栅极驱动器
驱动器上拉电阻
上驱动下拉电阻
较低的驱动器上拉电阻
较低的驱动器下拉电阻
R
2UGPUP
R
2UGPDN
R
2LGPUP
R
2LGPDN
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
-
-
-
-
4
2.3
4
1.1
8
4
8
3
I
VSEN
D
民
D
最大
I
VOUT
V
UVL
V
OVP1
VOUT = 5V
设定点的分数; 2μs的噪声滤波器
设定点的分数; 2μs的噪声滤波器
0.0毫安<我
VOUT1
< 5.0A ; 5.0V < V
BATT
< 24.0V
通过设计
-2.0
-
-
-
-
70
110
-
80
4
87
134
75
115
+2.0
-
-
-
-
80
-
%
nA
%
%
k
%
%
推荐工作条件，除非另有说明。
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
POWER GOOD和控制功能
电源良好门槛较低
电源良好门槛较高
PGOODx漏电流
PGOODx电压低
ISEN源电流
OCSET输出电流范围
EN - 低（关）
EN - 高（上）
连续导通模式（ CCM）的
强制执行（ HYS禁止运行）
自动CCM / HYS操作
启用
DDR - 低（关）
DDR - 高（上）
DDR REF输出电压
DDR REF输出电流
V
DDREF
I
DDREF
DDR = 1 ，我
REF
= 0 ... 10毫安
DDR = 1，保证所设计的。
VOUTX拉低
VOUTX连接到输出
V
PG-
V
PG +
I
PGLKG
V
PGOOD
设定点的分数; 3μs的噪声滤波器
设定点的分数; 3μs的噪声滤波器。
V
上拉
= 5.5V
I
PGOOD
= -4mA
通过设计
84
110
-
-
-
2
-
2.0
-
0.9
-
3
0.99*
V
OC2
-
89
115
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
V
OC2
10
92
120
1
1
260
20
0.8
-
0.1
-
0.8
-
1.01*
V
OC2
12
%
%
A
V
A
A
V
V
V
V
V
V
V
mΑ
4
ISL6227
典型的经营绩效
100
90
80
效率（％）
效率（％）
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
EFF @ 5V
EFF @ 12V
EFF @ 19.5V
EFF @ 5V ， PWM
EFF @ 12V ， PWM
EFF @ 19.5V ， PWM
0.1
1
负载电流（A ）
10
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
EFF @ 5V
EFF @ 12V
EFF @ 19.5V
EFF @ 5V ， PWM
EFF @ 12V ， PWM
EFF @ 19.5V ， PWM
0.1
1
负载电流（A ）
10
图1效率通道1中， 2.5V，
HYS / PWM模式
图2.效率2通道， 1.8V ，
HYS / PWM模式
2.54
2.53
输出电压（V）
2.52
2.51
2.5
2.49
2.48
2.47
0
1
输出电压（V）
VOUT @ 5V
VOUT @ 12V
VOUT @ 19.5V
VOUT @ 5V ， PWM
VOUT @ 12V ， PWM
VOUT @ 19.5V ， PWM
1.83
1.82
1.81
VOUT @ 5V
VOUT @ 12V
VOUT @ 19.5V
VOUT @ 5V ， PWM
VOUT @ 12V ， PWM
VOUT @ 19.5V ， PWM
1.8
1.79
2
3
负载电流（A ）
4
5
1.78
0
1
2
3
负载电流（A ）
4
5
通道1的图3.输出电压与负载
信道2的图4，输出电压与负载
308
306
频率（kHz ）
304
302
VREF （ V）
75 ％分位数
频率平均
25 ％分位数
-20
0
20
40
60
80
温度（℃）
100
120
300
298
296
294
292
290
288
286
0.9025
0.902
0.9015
0.901
0.9005
0.9
0.8995
0.899
0.8985
0.898
0.8975
-20
0
20
75 ％分位数
VREF平均
25 ％分位数
40
60
80
温度（℃）
100
120
图5.开关频率随温度
图6.基准电压准确度
温度
5
ISL6227
数据表
2006年12月21日
FN9094.4
双移动友好PWM控制器
DDR选项
该ISL6227双PWM控制器提供高效率
从两个同步降压型DC / DC电压精度调节
转换器。它的目的是特别提供电源
调控的DDR内存，芯片组，显卡等
电子系统在笔记本电脑。该ISL6227的宽
输入电压范围能力，允许电压转换
直接从AC / DC适配器或锂离子电池组。
中恒频同步自动模式转型
整治在重负载和滞后（ HYS ） diode-
仿真在轻负载时，保证高效率在宽范围内
的条件。操作的HYS模式可以被禁用
分别在每个PWM变换器，如果恒频
连续导通操作所需的所有负载水平。
效率是通过使用较低的MOSFET进一步增强
r
DS （ ON）
作为电流检测元件。
电压前馈斜坡调制，电流模式控制，
和内部反馈补偿提供快速响应
输入电压和负载瞬变。输入电流纹波
由通道至通道PWM相位的0°移减至最小，90°或
180 °（由输入电压和在DDR销的状态确定）。
该ISL6227可以控制两个独立的输出电压
调整范围为0.9V至5.5V ，或通过激活DDR脚，
变身成一个完整的DDR显存供电解决方案。
在DDR模式， CH2输出电压VTT跟踪CH1输出
电压VDDQ 。 CH2输出可源和吸收电流，一个
必要的电源功能的DDR内存。参考
通过DDR内存所需的电压VREF生成。
在双电源应用的ISL6227监控
CH1和CH2的输出电压。一个独立的PGOOD
（电源良好）信号被确认为之后的每个通道
软启动过程已完成，并输出电压为
在PGOOD窗口。在DDR模式CH1产生的唯一
PGOOD信号。
内置过压保护防止输出从去
高于设定值由持有较低的MOSFET 115 ％
和上部MOSFET关断。当输出电压重新进入
法规， PGOOD将变为高电平，并正常运行
自动恢复。一旦软启动序列具有
完成后，欠压保护锁存违规
通道关闭，如果输出低于其设定点值的75％。
可调式过电流保护（ OCP ）监控电压
接R降
DS （ ON）
的低端MOSFET 。如果更精确
电流检测是必需的，一个外部电流检测电阻器
可被使用。
特点
提供稳定的输出电压范围为0.9V - 5.5V
从5V至24V的输入电池电压范围内工作
或3.3V / 5V轨系统
有完整的DDR1和DDR2内存的电源解决方案
VTT跟踪VDDQ / 2和VDDQ / 2缓冲基准
产量
灵活的PWM或HYS加PWM模式选择与HYS
二极管仿真在轻负载，提高系统效率
r
DS （ ON）
电流检测
具有电压前馈和出色的动态响应
电流模式控制包容广泛的LC滤波器
SELECTIONS
VCC引脚上的欠压锁定
电源良好，过流，过压，欠压
保护两个通道
在PWM模式下同步的300kHz PWM操作
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
笔记本电脑和台式笔记本
平板电脑/板岩
手持便携式仪器
订购信息
产品编号
ISL6227CA
部分
记号
ISL6227CA
温度。
范围（° C）
包
PKG 。
DWG 。 ＃
-10到+100 28 Ld的QSOP M28.15
-10到+100 28 Ld的QSOP M28.15
（无铅）
-40至+100 28 Ld的QSOP M28.15
-40至+100 28 Ld的QSOP M28.15
（无铅）
L28.5x5
L28.5x5
ISL6227CAZ ISL6227CAZ
（注）
ISL6227IA
ISL6227IAZ
（注）
ISL6227IA
ISL6227IAZ
ISL6227HRZ ISL6227HRZ -10到+100 28 Ld的QFN
（注）
（无铅）
ISL6227IRZ
（注）
ISL6227IRZ
-40至+100 28 Ld的QFN
（无铅）
添加-T以零件号为磁带和卷轴
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾
锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2004-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6227
引脚配置
28LD SSOP
28 Ld的5×5 QFN
顶视图
LGATE1
PGN1
GND 1
LGATE1 2
PGND1 3
PHASE1 4
UGATE1 5
BOOT1 6
ISEN1 7
EN1 8
9 VOUT1
VSEN1 10
OCSET1 11
SOFT1 12
DDR 13
VIN 14
28 VCC
27 LGATE2
26 PGND2
25 PHASE2
24 UGATE2
23 BOOT2
22 ISEN2
21 EN2
20 VOUT2
19 VSEN2
18 OCSET2
17 SOFT2
16 PG2 / REF
15 PG1
顶视图
PHASE2
21 UGATE2
20 BOOT2
19 ISEN2
GND
29
18 EN2
17 VOUT2
16 VSEN2
15 OCSET2
8
OCSET1
9 10 11 12 13 14
PG2/REF
SOFT1
VIN
SOFT2
V
OUT1
PWM1
Q2
C1
+
+1.80V
V
OUT2
+
+1.20V
VDDQ
PWM1
Q2
C1
+
+2.50V
VTT
OCSET2
Q4
C2
+
+1.25V
DDR
PG1
L2
LGATE2
PGND2
C2
GND
VCC
L2
DDR
PWM2
28 27 26 25 24 23 22
PHASE1 1
UGATE1 2
BOOT1 3
ISEN1 4
EN1 5
6 VOUT1
VSEN1 7
通用应用电路
OCSET1
Q1
L1
V
IN
+ 5V至+ 24V
EN1
EN2
VCC
DDR
+5V
OCSET2
Q4
PWM2
Q3
ISL6227应用电路双通道电源
OCSET1
Q1
L1
V
IN
+ 5V至24V
EN1
EN2
VCC
Q3
+5V
PG2/VREF
VREF
+1.25V
ISL6227应用电路图完整的DDR显存供电
2
FN9094.4
2006年12月21日
ISL6227
绝对最大额定值
偏置电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 6.5V
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 25.0V
相， UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND - 5V （注1 ）到33.0V
BOOT ， ISEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至+ 33.0V
BOOT的针对相位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 6.5V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+ 0.3V
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
80
不适用
SSOP封装（注2 ）
. . . . . . . . . . . . . .
QFN封装（注3,4）
. . . . . . . . . . . .
36
6
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
推荐工作条件
偏置电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5.0V
±
5%
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.0V至+ 24.0V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10 ° C至+ 100°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10 ° C至+ 125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. 250ns的瞬间。见围负相节点电压摆幅的应用信息科
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379 。
4.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源
偏置电流
关断电流
VCC UVLO
VCC上升阈值
VCC下降阈值
V
IN
输入电压引脚电流（漏）
关断电流
振荡器
PWM1振荡器频率
推荐工作条件，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
I
CCSn
LGATEx ， UGATEx开放， VSENx上述的强制
调节点，V
IN
> 5V
-
-
1.8
-
3.0
1
mA
μA
V
CCU
V
CCD
4.3
4
4.45
4.14
4.5
4.34
V
V
I
VIN
I
VINS
-
-
-
-
35
1
μA
μA
F
c
商业， ISL6227C
工业， ISL6227I
255
240
-
-
-
-
-
300
300
2
0.625
1
125
250
345
345
-
-
-
-
-
千赫
千赫
V
V
V
mV / V的
mV / V的
斜坡幅度，峰峰值
斜坡幅度，峰峰值
斜坡补偿
斜坡/ V
IN
收益
斜坡/ V
IN
收益
参考和软启动
内部参考电压
基准电压准确度
软启动电流在启动过程
软启动阈值完成
V
R1
V
R2
V
ROFF
G
RB1
G
RB2
V
IN
= 16V ，设计
V
IN
= 5V ，设计
通过设计
V
IN
≥
4.2V ，设计
V
IN
≤
4.1V设计
V
REF
-
-1.0
0.9
-
-4.5
1.5
-
+1.0
-
-
V
%
μA
V
I
软
V
ST
通过设计
-
-
3
FN9094.4
2006年12月21日
ISL6227
电气规格
参数
PWM变换器
负载调整率
VSEN引脚偏置电流
最小占空比
最大占空比
VOUT引脚输入阻抗
欠压关机开机级
过压保护
栅极驱动器
驱动器上拉电阻
上驱动下拉电阻
较低的驱动器上拉电阻
较低的驱动器下拉电阻
R
2UGPUP
R
2UGPDN
R
2LGPUP
R
2LGPDN
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
V
CC
= 5V
-
-
-
-
4
2.3
4
1.1
8
4
8
3
Ω
Ω
Ω
Ω
I
VSEN
D
民
D
最大
I
VOUT
V
UVL
V
OVP1
VOUT = 5V
设定点的分数; 2μs的噪声滤波器
设定点的分数; 2μs的噪声滤波器
0.0毫安<我
VOUT1
< 5.0A ; 5.0V < V
BATT
< 24.0V
通过设计
-2.0
-
-
-
-
70
110
-
80
4
87
134
75
115
+2.0
-
-
-
-
80
-
%
nA
%
%
kΩ
%
%
推荐工作条件，除非另有说明。
（续）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
POWER GOOD和控制功能
电源良好门槛较低
电源良好门槛较高
PGOODx漏电流
PGOODx电压低
ISEN源电流
OCSET输出电流范围
EN - 低（关）
EN - 高（上）
连续导通模式（ CCM）的
强制执行（ HYS禁止运行）
自动CCM / HYS操作
启用
DDR - 低（关）
DDR - 高（上）
DDR REF输出电压
DDR REF输出电流
V
DDREF
I
DDREF
DDR = 1 ，我
REF
= 0 ... 10毫安
DDR = 1，保证所设计的。
VOUTX拉低
VOUTX连接到输出
V
PG-
V
PG +
I
PGLKG
V
PGOOD
设定点的分数; 3μs的噪声滤波器
设定点的分数; 3μs的噪声滤波器。
V
上拉
= 5.5V
I
PGOOD
= -4mA
通过设计
84
110
-
-
-
2
-
2.0
-
0.9
-
3
0.99*
V
OC2
-
89
115
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
V
OC2
10
92
120
1
1
260
20
0.8
-
0.1
-
0.8
-
1.01*
V
OC2
12
%
%
μA
V
μA
μA
V
V
V
V
V
V
V
mΑ
4
FN9094.4
2006年12月21日
ISL6227
典型的经营绩效
100
90
80
效率（％）
效率（％）
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
EFF @ 5V
EFF @ 12V
EFF @ 19.5V
EFF @ 5V ， PWM
EFF @ 12V ， PWM
EFF @ 19.5V ， PWM
0.1
1
负载电流（A ）
10
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
EFF @ 5V
EFF @ 12V
EFF @ 19.5V
EFF @ 5V ， PWM
EFF @ 12V ， PWM
EFF @ 19.5V ， PWM
0.1
1
负载电流（A ）
10
图1效率通道1中， 2.5V，
HYS / PWM模式
图2.效率2通道， 1.8V ，
HYS / PWM模式
2.54
2.53
输出电压（V）
2.52
2.51
2.5
2.49
2.48
2.47
输出电压（V）
VOUT @ 5V
VOUT @ 12V
VOUT @ 19.5V
VOUT @ 5V ， PWM
VOUT @ 12V ， PWM
VOUT @ 19.5V ， PWM
1.83
VOUT @ 5V
VOUT @ 12V
VOUT @ 19.5V
VOUT @ 5V ， PWM
VOUT @ 12V ， PWM
VOUT @ 19.5V ， PWM
1.82
1.81
1.8
1.79
0
1
2
3
负载电流（A ）
4
5
1.78
0
1
2
3
负载电流（A ）
4
5
通道1的图3.输出电压与负载
信道2的图4，输出电压与负载
308
306
频率（kHz ）
304
302
VREF （ V）
75 ％分位数
频率平均
25 ％分位数
-20
0
20
40
60
80
温度（℃）
100
120
300
298
296
294
292
290
288
286
0.9025
0.902
0.9015
0.901
0.9005
0.9
0.8995
0.899
0.8985
0.898
0.8975
-20
0
20
40
60
80
温度（℃）
100
120
75 ％分位数
VREF平均
25 ％分位数
图5.开关频率随温度
图6.基准电压准确度
温度
5
FN9094.4
2006年12月21日
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厂家
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