ISL6174
数据表
2008年12月19日
FN6830.0
双路低压断路器
该IC的目标跨越双电压热插拔应用
+ 2.5V至+ 3.3V （标称值）偏置电源电压范围内具有
第二较低的电压轨下降到小于1V ，其中一个电路
断路器响应于过电流情况是优选的。
它具有一个电荷泵，用于驱动外部N沟道
MOSFET的，准确的可编程电路断路器电流
阈值和延迟输出欠压监测和
报告和可调软启动。
断路器的电流水平（I
CB
），用于每个轨道被设置
两个外部电阻器，以及每个轨道上的延迟（叔
CB ）
通过设置
一个外部电容器上的TCB的销。吨后
CB
已经过期，
该IC然后迅速拉低相关GATE （S ）
输出关闭其外部FET （ S） 。
特点
快速断路器快速响应过流
故障条件
超过1μs的响应时间不来完全短路
可编程断路器水平和延迟
两级过电流检测提供快速
应对不同故障条件
过电流断路器和故障隔离功能
可调式断路器门限低至20mV
可调电压斜坡上升的浪涌保护
导通时
铁独立控制，监测和报告的I / O
双电源热插拔配电控制到<1V
电荷泵允许N沟道MOSFET的使用
订购信息
产品型号
（注）
ISL6174IRZ*
部分
记号
ISL6174 IRZ
温度。
范围
(°C)
包
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
-40到+85 28 Ld的5×5 QFN L28.5x5
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅（符合RoHS ）
ISL617XEVAL1Z评估平台
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347的细节
卷筒规格。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装
特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料，
和100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，这是
符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接兼容
操作）。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅
达到或超过了无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020的要求。
应用
电源排序，分配与控制
热插拔/电路断路器电路
V1(IN)
R
SET
1
R
SNS
1
V1(OUT)
引脚
ISL6174
（ 28 LD QFN ）
顶视图
OCREF
EN2
UV1
EN1
UV2
VS1
VS2
28 27 26 25 24 23 22
SNS1 1
VO1 2
SS1 3
GT1 4
FLT1 5
PG1 6
TCB1 7
8
DNC
9
GND
10 11 12 13 14
CPQ +
CPVDD
保护地
CPQ-
BIAS
21 SNS2
20 VO2
19 SS2
18 GT2
17 FLT2
16 PG2
15 TCB2
V2(IN)
SNS1 GT1 VO1
UV1
PG1
BIAS
FLT1
CPQ +
SS1
CPQ-
OCREF
ISL6174
CPVDD
SS2
FLT2
PG2
保护地
GND
UV2
TCB1 TCB2 VS2
SNS2 GT2 VO2
R
SET
2
EN1 EN2 VS1
V2(OUT)
R
SNS
2
图1.典型应用
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2008.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6174
框图
Io
VIN
RSNS
ISET
RSET
Q
Vo
负载
SNS1
GT1
当前
极限
扩音器
-
+
10V
24A
软启动
扩音器
-
10A
VO1
CPVDD
VS1
42A
SS1
+
1k
3K
-
+
CSS
WOC
比较
OC定时器
＆放大器;
逻辑
FLT1
1.178V
+
-
OC
比较
IREF
OCREF
RREF
当前
镜
CPVDD
10A
PG1
IREF
4
BIAS
10K
EN1
+
-
CT1
TCB1
t
CB1
Ct
TIMEOUT
比较
BIAS
10K
1.178V
Rs1
633mV
UV1
-
UV
+
比较
RTR / LTCH
BIAS
Rs2
CPQ +
Cp
CPQ-
CPVDD
Cv
POR和
带隙
X2
收费
泵
X2
收费
泵
10V(out)
633mV
1.178V
保护地
GND
ISL6173
图2： ISL6174 - 内部方框图的IC - CHANNEL ONE ONLY
2
FN6830.0
2008年12月19日
ISL6174
引脚
28引脚QFN
顶视图
OCREF
EN2
UV1
EN1
UV2
23
VS1
VS2
22
21
20
19
18
17
16
15
8
DNC
9
GND
10
保护地
11
CPQ-
12
BIAS
13
CPQ +
14
CPVDD
SNS2
VO2
SS2
GT2
FLT2
PG2
TCB2
28
SNS1
VO1
SS1
GT1
FLT1
PG1
TCB1
1
2
3
4
5
6
7
27
26
25
24
引脚说明
针
1
名字
SNS1
功能
电流检测输入
描述
该引脚连接到电流检测电阻和控制MOSFET漏极节点。它提供
电流感测信号，以在与VS1销一起使用时的内部比较器。
该引脚被连接到控制MOSFET开关的源，它连接到一个负载。在内部，这个
电压用于SS的控制。
此引脚与地之间的电容设定输出软启动斜坡的斜率。该电容器是由充电
内部10μA电流源设定软启动斜坡。输出电压斜坡跟踪SS
通过FET门极控制增强斜坡。一旦斜坡上升结束时，电容器继续
充电到CPVDD电压轨。如果公共电容器被使用（通过捆扎SS1，SS2在一起并
电容到GND的连接），那么这两个输出彼此跟踪，因为它们斜坡上升。
直接连接到外部N沟道MOSFET的栅极。在开启的门会收取
从24μA源4× V偏压或10V （最大） 。
这是一个开漏输出。它断言（拉低） ，一旦断路器延时（由确定
TCB超时CAP）已过期。这个输出是有效的Vbias>1V 。
这是一个低电平有效，漏极开路输出。当有效（逻辑0 ） ，则表明在电压
欠电压引脚大于643mV （ 633mV + 10mV的滞后） 。这个输出是VBIAS >1V有效。
此引脚与地之间的电容设置过电流事件从一个发病的延迟通道
关机（断路器延时） 。一旦TCB电容上的电压达到V
CT_Vth
栅极输出是
推倒和FLT为有效。
的时间用于断路器的延时（吨
CB
) = (C
TCB
*1.178)/10A.
不要连接
该引脚还内部短路的金属片在IC的底部。
电荷泵地。这两个GND和PGND必须在外部连接在一起。
电荷泵电容飞行帽低边。
LOW SIDE
2
VO1
输出电压1
3
SS1
软启动时间设定
输入
4
GT1
栅极驱动输出
5
FLT1
故障输出
6
PG1
电源良好输出
7
TCB1
断路器延时
定时器
8
9
10
11
DNC
GND
保护地
CPQ-
不要连接
芯片的GND
3
FN6830.0
2008年12月19日
ISL6174
引脚说明
（续）
针
12
名字
BIAS
功能
片上偏置电压
描述
IC提供偏置。应该是2V至4V的IC正常工作。该引脚可从供电
一个没有被控制的电源电压。它是优选使用的3.3V ，即使信道是
控制是2.5V或更低，因为更多的栅极驱动电压将提供给所述的MOSFET。
13
CPQ +
电荷泵电容飞盖桥臂。建议使用0.1μF的2.5V偏置和0.022μF为3.3V偏置。
HIGH SIDE
电荷泵输出
这是用于一些内部上拉电阻和偏置电压。使用0.47μF （最小值）为
推荐使用。
相同的功能，引脚7
相同的功能，引脚6
相同的引脚5
一样的4脚
相同引脚3
14
CPVDD
15
16
17
18
19
TCB2
PG2
FLT2
GT2
SS2
定时电容
电源良好输出
故障输出
栅极驱动输出
软启动时间设定
输入
输出电压2
电流检测输入
电流检测
参考
欠压监控
输入
20
21
22
VO2
SNS2
VS2
相同引脚2
相同的引脚1
电压输入的两个电压中的一个。提供20μA电流源ISET串联电阻
其中设置了感测电阻器的IR压降进行比较的电压。
该引脚的两个输入欠压比较器之一。的另一个输入是633mV
参考。是指通过一个电阻分压器来检测输出电压。如果输出电压
的下降而导致的UV引脚的电压低于633mV ， PG2为无效。
这是一个低电平有效的输入。当有效（拉低） ， SS和栅极驱动被释放，
输出电压被启用。当无效（拉为高电平或悬空） ，则反之。
允许调整基准电流至R的
SET
和内部电路断路器设置电阻，
因此，设置阈值CR ， OC和WOC 。
一样的24针
一样的23针
23
UV2
24
EN2
启用
25
OCREF
参考文献。目前的形容词。
26
27
EN1
UV1
使能输入
欠压监控
输入
电流检测
参考
28
VS1
一样的22针
4
FN6830.0
2008年12月19日
ISL6174
绝对最大额定值
VBIAS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.5V
GTX ， CPQ + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 12V
ENX ， SNSx ， PGX ， FLTx ， VSX ， TCBx ， UVX ，
SSX ， CPQ- ， CPVDD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至5.5VDC
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。短路保护功能
热信息
热电阻（典型，注意事项1， 4 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
5x5的QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
42
12.5
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
对于推荐的焊接条件，请参见技术简介TB389 。
（ QFN - 只有信息）
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
工作条件
VBIAS / VIN1电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 2.25V至+ 3.63V
温度范围（T
A
)
-40 ° C至+ 85°C
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.所有电压都是相对于GND时，除非另有规定。
上所需的FLT BIAS引脚3. 1V （分钟）是有效的。
4.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心..
电气规格
V
DD
= 2.5V至+ 3.3V ，V
S
= 1V ，T
A
= T
J
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。与MIN参数
和/或最大极限值100％测试在+ 25 ℃，除非另有规定。
温度限制设立的特性，不生产测试。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
断路器控制
ISET电流
过流比较器的失调电压
断路器阈值电压
TCB阈值电压
TCB充电电流
TCB默认延迟
栅极驱动器
从WOC GATE响应时间（开）
I
SET
VIO
V
CRVth
V
CT_Vth
I
CT
T
CT
R
OCREF
= 14.7k
Ω
V
VS
- V
SNS
与我
OUT
= 0A
V
VS
- V
SNS
在FLT断言，
R
ISET
= 1.0K ，我
SET
= 20A
峰值电压
19
-1.25
20
-0.05
19.7
21
1.25
A
mV
mV
1.128
9
1.178
10
3
1.202
11
V
A
s
TCB =打开
pd_woc_open
门打开
过载对WOC为100mV
比较
GATE = 1nF的
过载对WOC为100mV
比较
GATE = 2V ，V
VS
= 2V, V
SNS
= 2.1V
业主立案法团或WOC关断栅极电流
偏压= 2.5V （图5， 6）
2.1 <偏置< 2.5 （图5， 6）
8.2
21
3
ns
从WOC GATE响应时间
（加载）
栅极导通电流
门极可关断电流
栅极电压
pd_woc_load
100
ns
IGATE_on
IGATE_off
V
门
24
100
8.8
7
27
A
mA
9.3
V
V
BIAS
电源电流
POR阈值上升
POR阈值下降
POR阈值迟滞
I
BIAS
VIN_POR_L2H
VIN_POR_H2L
VIN_POR_HYS
V
BIAS
= 3.3V
6
1.85
1.80
5
9.3
2.02
1.98
33
12
2.12
2.10
mA
V
V
mV
5
FN6830.0
2008年12月19日
QQ：2880707522 复制
