IRLZ44S ， SiHLZ44S
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 5.0 V
66
12
43
单身
D
60
0.028
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
=表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
逻辑电平栅极驱动器
R
DS （ ON）
在V指定
GS
= 4 V和5 V
175 ° C的工作温度
快速开关
符合RoHS指令2002/95 / EC
特点
描述
D
2
PAK （ TO-263 ）
G
克
S
S
N沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
对D
2
PAK （ TO- 263 ）是一种表面贴装功率封装
可容纳的芯片尺寸最多HEX -4 。它
提供最高的功率容量和最低
可能的导通电阻，在任何现有的表面贴装
封装。对D
2
PAK （ TO-263 ）是适宜于大电流
由于其较低的内部连接的应用程序
性和可耗散高达2.0 W的一种典型的表面
安装应用程序。
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHLZ44STRR-GE3
a
IRLZ44STRRPbF
a
SiHLZ44STR-E3
a
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
铅（Pb ） - 免费
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHLZ44S-GE3
IRLZ44SPbF
SiHLZ44S-E3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
符号
V
DS
V
GS
极限
60
± 10
50
36
200
1.0
0.025
400
150
3.7
4.5
- 55 + 175
300
d
单位
V
T
C
= 25 °C
连续漏电流
f
V
GS
在5.0 V
I
D
T
C
= 100 °C
连续漏电流
I
DM
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
e
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
d
10秒
焊接建议（峰值温度）
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 179微亨，R
g
= 25
,
I
AS
= 51 A（见图12 ） 。
C.我
SD
51 A， di / dt的
250 A / μs的，V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
F。目前受限于包装， （死亡电流= 51 A） 。
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91329
S11-1055 -REV 。 C， 30日， 11
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
IRLZ44S ， SiHLZ44S
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
-
马克斯。
62
40
1.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GS
= 0, I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 10 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 4.0 V
I
D
= 31 A
b
I
D
= 25 A
b
60
-
1.0
-
-
-
-
-
23
-
0.070
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
± 100
25
250
0.028
0.039
-
V
V /°C的
V
nA
μA
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
S
V
DS
= 25 V，I
D
= 31 A
b
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
3300
1200
200
-
-
-
17
230
42
110
4.5
7.5
-
-
-
66
12
43
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 5.0 V
I
D
= 51 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 51 A,
R
g
= 4.6
,
R
D
= 0.56
,
参见图。 10
b
-
-
-
-
G
-
S
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
-
-
-
-
-
-
-
-
130
0.84
50
c
A
200
2.5
180
1.3
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 51 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 51 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
300微秒;占空比
2 %.
。目前受限于封装（模具电流= 51 A） 。
www.vishay.com
2
文档编号： 91329
S11-1055 -REV 。 C， 30日， 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
IRLZ44S ， SiHLZ44S
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91329
S11-1055 -REV 。 C， 30日， 11
www.vishay.com
3
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
IRLZ44S ， SiHLZ44S
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
www.vishay.com
4
文档编号： 91329
S11-1055 -REV 。 C， 30日， 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
IRLZ44S ， SiHLZ44S
Vishay Siliconix公司
V
DS
V
GS
R
g
R
D
D.U.T.
+
- V
DD
5V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
文档编号： 91329
S11-1055 -REV 。 C， 30日， 11
www.vishay.com
5
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2881677436 复制
