ISL6161
数据表
2008年10月2日
FN9104.4
双电源分配控制器
该ISL6161是一种热插拔的双电源配电
控制器，它可以在PCI- Express的应用中使用。
两个外部N沟道MOSFET驱动分配
和控制能力，同时提供负载故障隔离。在
导通时，每个外部N沟道MOSFET的栅极是
被控10μA电流源。每个电容器
门（参见“典型应用图”第1页）
创建一个可编程的斜坡（软导通）浪涌控制
电流。内置的电荷泵提供的栅极驱动
12V电源N沟道MOSFET开关。
过流保护是通过两个外部电流便利
检测电阻和场效应管。当电流通过任一
电阻超过用户编程的值时，控制器
进入电流调节模式。超时电容，
C
TIM
，开始充电控制器进入超时
期。一旦启用C
TIM
充电到2V阈值时，无论是
N沟道MOSFET被锁存关闭。中的硬质的事件
和至少快速故障3倍设定的电流极限
电平， N沟道MOSFET的栅极被拉低
之前立即进入超时期限。该
控制器通过在ENABLE引脚的上升沿复位。
该ISL6161持续监控两个输出电压和
报告中的任何一个是低是低的PGOOD输出。
12V的PGOOD Vth为10.8V 和3.3V的Vth为2.8V
名义上。
特点
热插拔双电源分配和控制
+ 12V和+ 3.3V
提供故障隔离
可编程电流调节水平
可编程超时
电荷泵允许N沟道MOSFET的使用
电源良好和过电流闭锁指示器
可调节导通斜坡
??保护在接通期间
两级限流检测提供快速
应对不同故障条件
1μs的响应时间完全短路
3μs的响应时间， 200％的电流过冲
无铅可（符合RoHS ）
应用
PCI - Express应用
配电及控制
热插拔，热插拔组件
订购信息
部分
数
ISL6161IBZA*
（注）
ISL6161CB*
部分
记号
ISL6161 IBZ
ISL6161CB
温度。
范围
(°C)
-40至+85
0至+70
0至+70
包
14 Ld的SOIC
（无铅）
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
M14.15
引脚
ISL6161
（ 14 LD SOIC ）
顶视图
12VS
12VG
V
DD
NC
启用
3VG
3VS
1
2
3
4
5
6
7
14 12VISEN
13 R
ILIM
12 GND
11 C
泵
10 C
TIM
9
8
PGOOD
3VISEN
ISL6161CBZA * 6161CBZ
（注）
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒的详细信息
特定连接的阳离子。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊
无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料，
100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS
标准，既锡铅和无铅焊接兼容
操作）。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值
达到或超过的无铅要求的回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020
典型应用图
C
泵
R
SENSE
12V
可选
V R
滤波器
DD
C
门
启用
输入
3.3V
C
门
C
滤波器
ISL6161
12VS 12VISEN
R
ILIM
12VG
GND
V
DD
C
泵
使
TIM
3VG PGOOD
3ISEN
3VS
R
SENSE
R
负载
R
ILIM
C
TIM
3.3V
R
负载
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2003年， 2004年， 2008年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6161
引脚说明
引脚号符号
1
12VS
功能
12V电源
描述
连接到相关的外部N沟道MOSFET的源切换到检测输出
电压。
连接到相关的N沟道MOSFET开关的栅极。从这个节点到电容器
地面设置开启舷梯。在导通时该电容器将由一个10μA充电至约17.4V
电流源。
连接到12V电源。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的
负载电压或到一个专用的V
DD
+ 12V电源。如果前者被选择，特别注意
V
DD
脱钩必须注意防止下垂作为重物被接通。
2
12VG
12V的栅极
3
V
DD
芯片供应
4
5
NC
启用
没有连接
启用/ RESET
ENABLE是用来接通和芯片复位。两路输出导通时，该引脚驱动
低。后一个电流限制超时，该芯片是由复位信号的施加上升沿复位
在使能引脚。该输入具有100μA拉的能力，这是用3V和兼容
5V漏极开路输出和标准逻辑。
连接到外部3V N沟道MOSFET的栅极。从这个节点到电容器
地面设置开启舷梯。在导通时，该电容器将由10μA被充电至约11.4V
电流源。
连接到3V的外部N沟道MOSFET的源极侧开关来感测输出
电压。
连接到3V的感测电阻器的负载侧，以测量通过此电压降
3VS和3VISEN引脚之间的电阻。
6
3VG
3V门
7
3VS
3源
8
3VISEN
3V电流检测
9
PGOOD
电源良好指示器指示所有输出电压都在规定范围内。 PGOOD是由一个开漏驱动
N沟道MOSFET 。它被拉低时，任何输出不在规定范围内。
限流时间
电容
此引脚与地之间连接一个电容。该电容控制之间的时间
发病电流限制和芯片关断（电流限制超时） 。限流时间
超时（秒） = 200kΩ的乘C
TIM
（法拉） 。
连接该引脚和V之间的0.1μF电容
DD
（引脚3）。提供电荷存储为
12VG驱动器。
10
C
TIM
11
C
泵
GND
R
ILIM
电荷泵
电容
芯片地
电流限制设置
电阻器
12
13
连接在此引脚与地之间的电阻决定了目前的水平，在这
电流限制被激活。这个电流是由R的比率来确定
ILIM
电阻器的
检测电阻（R
SENSE
） 。在限流发病的电流等于
10μA X （R
ILIM
/R
SENSE
） 。该ISL6161被限制为一个10kΩ分钟。值（ Vth的OC = 100mV的）
电阻而ISL6161可容纳一个5kΩ电阻较低的OC Vth的（为50mV ） 。
连接到检测电阻的负载端测量电阻两端的电压降。
14
12VISEN 12V电流检测
3
FN9104.4
2008年10月2日
ISL6161
绝对最大额定值
T
A
= +25°C
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 16V
12VG ，C
泵
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至21V
12VISEN ， 12VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V到V
DD
+ 0.3V
3VISEN ， 3VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V至7.5V
PGOOD ，R
ILIM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7.5V
ENABLE ，C
TIM
， 3VG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2kV的（ 2级）
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 10.5V到13.2V +
温度范围（T
A
)
ISL6161IB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
ISL6161CB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.所有电压都是相对于GND时，除非另有规定。
电气规格
V
DD
= 12V ，C
VG
= 0.01μF ，C
TIM
= 0.1μF ，R
SENSE
= 0.1Ω, C
体积
= 220μF ， ESR = 0.5Ω ，T
A
= T
J
= -40 ° C至
+ 85°C ，除非另有说明。有MIN和/或最大极限参数都经过100 ％测试，在+ 25 ° C，
除非另有规定。特征值和温度的限制是不
生产测试。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
12V控制部，
电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
3倍电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
± 20 ％限流响应时间
（在规定值的20 ％的电流）
± 10 ％限流响应时间
（在规定值的10 ％的电流）
± 1 ％限流响应时间
（在规定值的1 ％电流）
响应时间短的死区
栅极导通时间
栅极导通电流
3倍栅极放电电流
12V欠压阈值
充电泵浦12VG电压
3.3V控制部，
电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
3倍电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
± 20 ％限流响应时间
（在规定值的20 ％的电流）
± 10 ％限流响应时间
（在规定值的10 ％的电流）
V
IL12V
R
ILIM
= 10kΩ
R
ILIM
= 5kΩ
92
47
250
100
-
-
-
-
-
8
-
10.5
100
53
300
165
2
4
10
500
12
10
0.75
10.8
17.3
108
59
350
210
-
-
-
-
-
12
-
11.0
17.9
mV
mV
mV
mV
s
s
s
ns
ms
A
A
V
V
3× V
IL12V
R
ILIM
= 10kΩ
R
ILIM
= 5kΩ
20%iLrt
10%iLrt
1%iLrt
RT
短
t
ON12V
I
ON12V
3XdisI
12V
真空紫外
V12VG
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10kΩ,
R
短
= 6.0Ω
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10kΩ,
R
短
= 6.0Ω
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10kΩ,
R
短
= 6.0Ω
C
12VG
= 0.01F
C
12VG
= 0.01F
C
12VG
= 0.01F
12VG = 18V
C
泵
= 0.1F
16.8
V
IL3V
R
ILIM
= 10kΩ
R
ILIM
= 5kΩ
92
47
250
100
-
-
100
53
300
155
2
4
108
59
350
210
-
-
mV
mV
mV
mV
s
s
3× V
IL3V
R
ILIM
= 10kΩ
R
ILIM
= 5kΩ
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10kΩ,
R
短
= 2.5Ω
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10kΩ,
R
短
= 2.5Ω
4
FN9104.4
2008年10月2日
ISL6161
电气规格
V
DD
= 12V ，C
VG
= 0.01μF ，C
TIM
= 0.1μF ，R
SENSE
= 0.1Ω, C
体积
= 220μF ， ESR = 0.5Ω ，T
A
= T
J
= -40 ° C至
+ 85°C ，除非另有说明。有MIN和/或最大极限参数都经过100 ％测试，在+ 25 ° C，
除非另有规定。特征值和温度的限制是不
生产测试。
（续）
符号
测试条件
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10kΩ,
R
短
= 2.5Ω
RT
短
t
ON3V
I
ON3V
3xdisI
3.3V
真空紫外
3VG
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01μF ， ENABLE =低
2.7
11.2
民
-
-
-
8
典型值
10
500
5
10
0.75
2.85
11.9
-
12
-
3.0
-
最大
-
单位
s
ns
ms
A
A
V
V
参数
± 1 ％限流响应时间
（在规定值的1 ％电流）
响应时间短的死区
栅极导通时间
栅极导通电流
3倍栅极放电电流
3.3V欠压门限
3.3VG高压
电源电流和IO规格
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
限流超时
启用上拉电压
ENABLE上升阈值
启用滞后
使能上拉电流
电流限制超时阈值（C
TIM
)
C
TIM
充电电流
C
TIM
放电电流
C
TIM
上拉电流
R
ILIM
引脚电流源输出
电荷泵输出电流
电荷泵输出电压
电荷泵输出电压 - 加载
电荷泵POR阈值上升
电荷泵POR阈值下降
t
ILIM
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
C
TIM
± Vth的
C
TIM
_I
C
TIM
_disI
C
TIM
_disI
R
ILIM
_IO
Qpmp_Io
Qpmp_Vo
Qpmp_VIo
Qpmp + Vth的
Qpmp - Vth的
C
泵
= 0.1μF ，C
泵
= 16V
空载
负载电流= 100μA
V
CTIM
= 8V
C
TIM
= 0.1F
ENABLE引脚开路
I
VDD
4
9.5
9.0
-
1.8
1.1
0.1
60
1.8
8
1.7
3.5
90
320
17.2
16.2
15.6
15.2
8
10.0
9.4
20
2.4
1.5
0.2
80
2
10
2.6
5
100
560
17.4
16.7
16
15.7
10
10.7
9.8
-
3.2
2
0.3
100
2.2
12
3.5
6.5
110
900
-
-
16.5
16.2
mA
V
V
ms
V
V
V
A
V
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
ISL6161说明和操作
该ISL6161是一个多功能的+ 12V和+ 3.3V双电源
供应分配控制器。它的功能包括可编程
电流调节（CR）的限制以及时间来锁存关闭。
在导通时，每一个外部N沟道栅极电容
MOSFET被指控10μA电流源。这些
电容创建一个可编程的斜坡（软导通） 。一
电荷泵提供栅极驱动器的12V电源控制
FET开关驱动是门至17V 。
负载电流通过两个外部电流检测
电阻器。当快速穿过任何电阻上的电压
超过了用户编程的电流调节电压
阈值（ CRVth ）电平，则控制器进入电流调节。
该CRVth由R上的外部电阻值设定
ILIM
引脚。在
此时，所用的超时电容C
TIM
，开始与充电
10μA电流源和控制器进入超时
期。在超时期间的长度是由单个集
外部电容器（见表2）置于从C
TIM
针
（引脚10）到地，其特征在于降低的栅极驱动器
电压相应的外部N沟道MOSFET 。一旦
C
TIM
收费为2V ，内部比较器跳闸造成
在这两个N沟道MOSFET被锁断。如果电压
通过检测电阻器响应缓慢上升到OC
条件，则CR模式输入在95％的
CR编程水平。这种差异是由于必要的
滞后和响应时间在CR的控制电路。
表1显示为R
SENSE
和R
ILIM
建议和
对于PCI - Express附加卡连接器产生的CR级
大小指定。
5
FN9104.4
2008年10月2日
ISL6161
数据表
2004年7月
FN9104.3
双电源分配控制器
该ISL6161是一种热插拔的双电源配电
控制器，它可以在PCI- Express的应用中使用。
两个外部N沟道MOSFET驱动分配
和控制能力，同时提供负载故障隔离。在开启
上，每一个外部N沟道MOSFET的栅极是
被控10μA电流源。每个电容器
门（见典型应用图） ，创建一个
可编程斜坡（软启动）来控制浪涌电流。
一个内置的电荷泵提供了12V的栅极驱动
供应N沟道MOSFET开关。
过流保护是通过两个外部电流便利
检测电阻和场效应管。当电流通过任一
电阻超过用户编程的值，控制器
进入电流调节模式。超时电容，
C
TIM
，开始充电控制器进入超时
期。一旦启用C
TIM
充电到2V阈值时，无论是
N沟道MOSFET被锁存关闭。中的硬质的事件
与编程电流的至少三倍的快速故障
极限水平， N沟道MOSFET栅极被拉低
之前立即进入超时期限。该
控制器通过在ENABLE引脚的上升沿复位。
该ISL6161持续监控两个输出电压和
报告中的任何一个是低是低的PGOOD输出。
12V的PGOOD Vth为10.8V 和3.3V的Vth为2.8V
名义上。
特点
热插拔双电源配电及控制+ 12V
和+ 3.3V
提供故障隔离
可编程电流调节水平
可编程超时
电荷泵允许N沟道MOSFET的使用
电源良好和过电流闭锁指示器
可调节导通斜坡
??保护在接通期间
两级限流检测提供快速
应对不同故障条件
1μs的响应时间完全短路
3μs的响应时间， 200％的电流过冲
无铅可用
应用
PCI - Express应用
配电及控制
热插拔，热插拔组件
产品型号
ISL6161CB
ISL6161CBZA
（见注）
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-0 70
-0 70
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
*添加“ -T ”后缀部分号码磁带和卷轴包装。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，造型
塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，这
是既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅
产品分类MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020B标准的无铅要求。
引脚
ISL6161 （ SOIC ）
顶视图
典型应用图
C
泵
R
SENSE
12VS
12VG
V
DD
NC
1
2
3
4
5
6
7
14 12VISEN
13 R
ILIM
12 GND
11 C
泵
10 C
TIM
9
8
PGOOD
3VISEN
3.3V
C
门
可选
V
DD
R
滤波器
C
滤波器
C
门
12V
ISL6161
12VS
12VG
V
DD
启用
输入
12VISEN
R
ILIM
GND
C
泵
C
TIM
3.3V
R
ILIM
R
负载
启用
3VG
3VS
C
TIM
启用
PGOOD
3VG
3VS
3ISEN
R
SENSE
R
负载
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2001年， 2003-2004年。版权所有。热插拔为核心的国际， Inc.的商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6161
引脚说明
针＃
1
符号
12VS
功能
12V电源
描述
连接到相关的外部N沟道MOSFET的源切换到检测输出
电压。
连接到相关的N沟道MOSFET开关的栅极。从这个节点电容
到地设置导通坡道。在导通时该电容器将通过一个充电至约17.4V
10μA电流源。
连接到12V电源。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的
负载电压或到一个专用的V
DD
+ 12V电源。如果前者被选择特别注意
V
DD
脱钩必须注意防止下垂作为重物被接通。
2
12VG
12V的栅极
3
V
DD
芯片供应
4
5
NC
启用
没有连接
启用/ RESET
ENABLE是用来接通和芯片复位。两路输出导通时，该引脚驱动
低。后一个电流限制超时，该芯片是由复位信号的施加上升沿复位
在使能引脚。该输入具有100μA拉起来的能力是与3V兼容
5V漏极开路输出和标准逻辑。
连接到外部3V N沟道MOSFET的栅极。从这个节点到电容器
地面设置开启舷梯。在导通时该电容器将由一个10μA充电至约11.4V
电流源。
连接到3V的外部N沟道MOSFET的源极侧开关来感测输出
电压。
连接到3V的感测电阻器的负载侧，以测量通过此电压降
3VS和3VISEN引脚之间的电阻。
指示所有输出电压都在规定范围内。 PGOOD是由一个开漏驱动
N沟道MOSFET 。它被拉低时，任何输出不在规定范围内。
此引脚与地之间连接一个电容。该电容控制之间的时间
发病电流限制和芯片关断（电流限制超时） 。限流时间
超时（秒） = 200kΩ的乘C
TIM
（法拉） 。
连接该引脚和V之间的0.1μF电容
DD
（引脚3）。提供电荷存储为
12VG驱动器。
6
3VG
3V门
7
3VS
3源
8
3VISEN
3V电流检测
9
PGOOD
电源良好指示器
10
C
TIM
限流时间
电容
11
C
泵
GND
R
ILIM
电荷泵
电容
芯片地
电流限制设置
电阻器
12
13
连接在此引脚与地之间的电阻决定了目前的水平，在这
电流限制被激活。这个电流是由R的比率来确定
ILIM
电阻器的
检测电阻（R
SENSE
） 。在限流发病的电流等于10μA X （R
ILIM
/
R
SENSE
） 。该ISL6161被限制为一个10kΩ分钟。值（ Vth的OC = 100mV的） ，而电阻
该ISL6161可容纳一个5kΩ电阻较低的OC Vth的（为50mV ） 。
连接到检测电阻的负载端测量电阻两端的电压降。
14
12VISEN
12V电流检测
3
ISL6161
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 16V
12VG ，C
泵
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至21V
12VISEN ， 12VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V到V
DD
+ 0.3V
3VISEN ， 3VS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5V至7.5V
PGOOD ，R
ILIM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7.5V
ENABLE ，C
TIM
， 3VG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2kV的（ 2级）
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 10.5V到13.2V +
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
C至70
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.所有电压都是相对于GND时，除非另有规定。
电气规格
参数
12V控制部，
电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
V
DD
= 12V ，C
VG
= 0.01μF ，C
TIM
= 0.1μF ，R
SENSE
= 0.1, C
体积
= 220μF ， ESR = 0.5Ω ，T
A
= T
J
= 0
o
C至70
o
C,
除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
IL12V
R
ILIM
= 10k
R
ILIM
= 5k
92
47
250
100
-
-
-
-
-
8
0.5
10.5
100
53
300
165
2
4
10
500
12
10
0.75
10.8
17.3
108
59
350
210
-
-
-
1000
-
12
-
11.0
17.9
mV
mV
mV
mV
s
s
s
ns
ms
A
A
V
V
3倍电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
±20%
限流响应时间
（在规定值的20 ％的电流）
±10%
限流响应时间
（在规定值的10 ％的电流）
±1%
限流响应时间
（在规定值的1 ％电流）
响应时间短的死区
栅极导通时间
栅极导通电流
3倍栅极放电电流
在12V电压阈值
充电泵浦12VG电压
3.3V控制部，
电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
3倍电流限制门限电压
（两端的电压检测电阻）
±20%
限流响应时间
（在规定值的20 ％的电流）
±10%
限流响应时间
（在规定值的10 ％的电流）
±1%
限流响应时间
（在规定值的1 ％电流）
响应时间短的死区
3XV
IL12V
R
ILIM
= 10k
R
ILIM
= 5k
20%iLrt
10%iLrt
1%iLrt
RT
短
t
ON12V
I
ON12V
3XdisI
12V
真空紫外
V12VG
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 6.0
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 6.0
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 6.0
C
12VG
= 0.01F
C
12VG
= 0.01F
C
12VG
= 0.01F
12VG = 18V
C
泵
= 0.1F
16.8
V
IL3V
R
ILIM
= 10k
R
ILIM
= 5k
92
47
250
100
-
-
-
-
100
53
300
155
2
4
10
500
108
59
350
210
-
-
-
800
mV
mV
mV
mV
s
s
s
ns
3XV
IL3V
R
ILIM
= 10k
R
ILIM
= 5k
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 2.5
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 2.5
200 ％过载电流，R
ILIM
= 10k,
R
短
= 2.5
RT
短
C
VG
= 0.01F
4
ISL6161
电气规格
参数
栅极导通时间
栅极导通电流
3倍栅极放电电流
在3.3V的电压阈值
3.3VG高压
V
DD
= 12V ，C
VG
= 0.01μF ，C
TIM
= 0.1μF ，R
SENSE
= 0.1, C
体积
= 220μF ， ESR = 0.5Ω ，T
A
= T
J
= 0
o
C至70
o
C,
除非另有说明
（续）
符号
t
ON3V
I
ON3V
3XdisI
3.3V
真空紫外
3VG
测试条件
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01F
C
VG
= 0.01μF ， ENABLE =低
民
-
8
0.5
2.7
11.2
典型值
5
10
0.75
2.85
11.9
最大
-
12
-
3.0
-
单位
ms
A
A
V
V
电源电流和IO规格
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
限流超时
启用上拉电压
ENABLE上升阈值
启用滞后
使能上拉电流
电流限制超时阈值（C
TIM
)
C
TIM
充电电流
C
TIM
放电电流
C
TIM
上拉电流
R
ILIM
引脚电流源输出
电荷泵输出电流
电荷泵输出电压
电荷泵输出电压 - 加载
电荷泵POR阈值上升
电荷泵POR阈值下降
T
ILIM
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
C
TIM
± Vth的
C
TIM
_I
C
TIM
_disI
C
TIM
_disI
R
ILIM
_IO
Qpmp_Io
Qpmp_Vo
Qpmp_VIo
Qpmp + Vth的
Qpmp - Vth的
C
泵
= 0.1μF ，C
泵
= 16V
空载
负载电流= 100μA
V
CTIM
= 8V
C
TIM
= 0.1F
ENABLE引脚开路
I
VDD
4
9.5
9.3
16
1.8
1.1
0.1
60
1.8
8
1.7
3.5
90
320
17.2
16.2
15.6
15.2
8
10.0
9.8
20
2.4
1.5
0.2
80
2
10
2.6
5
100
560
17.4
16.7
16
15.7
10
10.7
10.3
24
3.2
2
0.3
100
2.2
12
3.5
6.5
110
800
-
-
16.5
16.2
mA
V
V
ms
V
V
V
A
V
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
ISL6161说明和操作
该ISL6161是一个多特色+ 12V和+ 3.3V双电源
电源分配控制器，功能包括可编程
电流调节（CR）的限制以及时间来锁存关闭。
在导通时，每一个外部N沟道栅极电容
MOSFET被指控10μA电流源。这些
电容创建一个可编程的斜坡（软导通） 。一
电荷泵提供栅极驱动器的12V电源控制
FET开关驱动是门至17V 。
负载电流通过两个外部电流检测
电阻器。当快速穿过任何电阻上的电压
超过了用户编程的电流调节电压
阈值（ CRVth ）电平，则控制器进入电流调节。
该CRVth由R上的外部电阻值设定
ILIM
引脚。在
此时所用的超时电容C
TIM
，开始与充电
10μA电流源和控制器进入超时
期。的时间长度进行周期由单个集
外部电容器（见表2）置于从C
TIM
销（销
10）接地，其特征在于降低的栅极驱动器
电压相应的外部N沟道MOSFET 。一旦
C
TIM
收费为2V ，内部比较器跳闸造成
在这两个N沟道MOSFET被锁断。如果电压
通过检测电阻器响应缓慢上升到OC
条件，则CR模式输入在95％的
CR编程水平。这种差异是由于必要的
滞后和响应时间在CR的控制电路。
表1示出器Rsense和RILIM建议，并
对于PCI - Express附加卡连接器产生的CR级
大小指定。
表1中。
PCI- Express的
附加卡
连接器
X1
3.3V
SENSE
12V
SENSE
公称
(m),
(m),
CRVth
公称
公称
R
ILIM
（毫伏）
CR （ A）
CR （ A）
(k)
10
4.99
30, 3.3
15, 3.5
150, 0.7
90, 0.6
100
53
5
QQ：2881677436 复制
