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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第881页 > IDT71P73104200BQ
18MB流水线
DDR II SRAM
突发的4
特点
IDT71P73204
IDT71P73104
IDT71P73804
IDT71P73604
描述
IDT的DDRII
TM
突发四个SRAM是高速同步的
知性存储器具有双数据速率(DDR ),双向数据端口。
这个方案允许最大化由所述数据总线上的带宽
通过每时钟周期两个数据项。地址总线工作在
小于单个数据速率的速度,从而允许用户向扇出地址
并简化系统设计,同时保持最高性能
数据传输。
在DDRII具有可扩展的输出阻抗在其数据输出总线
和回波时钟,从而允许用户调总线用于低噪声和高
性能。
在DDRII SRAM的所有接口都HSTL ,允许速度
除此之外,使用任何形式的TTL接口的SRAM器件。该间
脸可以扩展到更高的电压(高达1.9V )与1.8V接口
如果有必要系统。该装置具有V
DDQ
和一个单独的Vref时
允许用户指定的接口的操作电压,不知疲倦
1.8 V的器件核心电压的吊灯
DD.
的输出阻抗
控制允许用户调节驱动强度以适应宽
范围负载和传输线。
18MB密度( 2Mx8 , 2Mx9 , 1Mx18 , 512kx36 )
常见的读取和写入数据端口
双回波时钟输出
4字突发所有的SRAM访问
复用地址总线
-
一个读或每两个时钟一个写请求
周期。
DDR (双倍数据速率)数据总线
- 四字突发数据每2个时钟周期
深度扩展,通过控制逻辑
HSTL ( 1.5V)输入,还可以扩展到接收信号
从1.4V到1.9V 。
可扩展的输出驱动器
-
可以驱动HSTL , 1.8V TTL或任何电压等级
从1.4V到1.9V 。
-
输出阻抗为35欧姆到70可调
1.8V内核电压(V
DD
)
JTAG接口
165球, 1.0mm间距, 13毫米X 15毫米FBGA封装
功能框图
数据
REG
(Note1)
写入驱动器
LD
RW
BWX
(Note3)
CTRL
逻辑
18M
内存
ARRAY
(Note4)
输出选择
检测放大器
输出REG
SA
SA
0
SA
1
添加
REG
(Note2)
写/读DECODE
(Note2)
(Note4)
(Note1)
DQ
K
K
C
C
CLK
选择输出控制
6431 DRW 16
CQ
CQ
笔记
1 )表示为×8为对x36 36的信号线8的数据信号线,对于×9 9条信号线,对×18 18根信号线,和
2)代表对于x8和×9为对x36 19的地址信号线19的地址信号线,用于×18 20的地址信号线,和。
3 )表示为×9为对x36四条信号线1信号线,对×18 2的信号线,和。上x8的部件,所述
BW
是一种“蚕食写”,并有2
信号线。
4 )表示为×8为对x36 72的信号线16的数据信号线,供×9 18的信号线,对×18 36根信号线,和。
2005年7月
1
2005集成设备技术有限公司“ QDR SRAM的和四倍数据速率RAM中包含的产品由Cypress半导体, IDT ,与美光科技公司开发了一个新的家庭”
DSC-6431/00
IDT71P73204 ( 2M ×8位) , 71P73104 ( 2M ×9位) , 71P73804 ( 1M ×18位) 71P73604 ( 512K ×36位)
18 MB DDR II SRAM突发的4
商业级温度范围
时钟
该DDRII SRAM具有两套输入时钟信号,即在K ,
K
时钟和C,
C
时钟。此外, QDRII具有输出“回声”
时钟,CQ,
CQ 。
在K和
K
时钟是主设备的输入时钟。在K
时钟用于在所述控制信号的时钟(LD, R / W和
BWX
or
NWX )
的地址,和该数据的第一个和第三个字的写操作期间脉冲串
操作。该
K
时钟用于时钟的控制信号( BWX或
NWX )
和写操作期间的数据的第二个和第四个词语爆
操作。在K和
K
时钟也用于内部的SRAM进行。在
用户禁用C和事件
C
时钟, K和
K
也将被用于时钟数据输出的输出的寄存器,并产生
回波时钟。
C和
C
时钟可以用于时钟数据输出的
在读操作期间和产生回波时钟输出寄存器。
C和
C
必须被呈现给定时容差范围内的SRAM中。
来自DDRII的输出数据将受到密切对准C和
C
输入时,通过使用一个内部的DLL 。当C被呈现给
DDRII SRAM , DLL将已经在内部时钟的数据
同时的到来到达设备输出
C
时钟。
脉冲串的C和第二数据项也将对应。第三
和第四个数据字将跟随的下一个时钟周期
C
和C ,
分别。
单时钟模式
该DDRII SRAM可以与单个时钟对来操作。
C
可以通过把两个信号高,迫使输出被禁用
而被控制,而不是由K和回波时钟
K
时钟。
DLL运行
在DDRII SRAM的输出结构中的DLL可以使用
紧密排列传入的时钟C和
C
与所述数据的输出,
产生在两者之间非常紧的公差。用户可以禁用
该DLL通过举办
DOFF
低。与该DLL关闭时, C和
C
(或K和
K
如果C和
C
未使用)将直接时钟输出寄存器
SRAM 。与该DLL断,会有从时间的传播延迟
时钟进入设备,直到该数据出现在输出端。
回波时钟
回波时钟, CQ和
CQ ,
由C生成和
C
钟表(或K,
K
如果C ,
C
被禁用) 。 C的上升沿产生的
CQ的上升沿和下降沿
CQ 。
的上升沿
C
生成的上升沿
CQ
和CQ的下降沿。这
方案提高的上升沿和下降沿之间的相关性
回波时钟及将改善的单个信号的占空比。
回波时钟是非常密切的数据一致, guarantee-
荷兰国际集团的回波时钟将保持与数据密切相关,内
公差指定。
读取和写入操作
读操作是通过持有的读/写控制输入启动
(R / W)的高,负载控制输入(LD)的低和呈递所读取的
地址给地址端口中的K的上升沿,这将锁存
的地址。这些数据将被读取,并会出现在该装置
在指定的时间输出对应于C和
C
时钟。
写操作是通过持有读/写控制启动
输入(R / W)的低,负载控制输入(LD)的低和呈递的写
地址给地址端口中的K的上升沿,这将锁存
的地址。 K上的下一个上升沿,则4的第一个字
字脉冲串必须出现在数据输入总线DQ [X : 0],随着
相应的字节写入或半字节写操作( BWX或
NWX )
输入。对
以下的上升沿
K,
的数据写入脉冲串的第二个字将是
接受在与所指定的设备的输入( BWX或
NWX )
输入。
随后的K和
K
上升沿将收到的最后两个词
这四个词破裂,其
BWX / NWX
启用。
DDRII的设备内部存储四个字突发作为单个
字宽,并将保留其在突发秩序。在X8和X9设备
没有解决对单个单词水平或变化的能力的
爆秩序;然而字节和半字节写信号可以用来
防止写入任何字节或半字节个人或组合,以防止
写突发的一个字。在X18和X36 DDRll设备有
的能力,以解决使用SA的单词水平
0
和SA
1
地址位,但突发将继续以线性顺序和包裹
周围没有递增SA位。当读取或写入X18
和X36 DDRll设备,突发将开始在指定的地址,
但是,如果脉冲串开始于比所述第一字中的任何其他位置
爆了,爆将包裹背在自己和前阅读第一位置
完成。所述×18和对x36 DDRII设备还可以使用字节写
信号,以防止写入一阵任何单个字节或字。
输出使
在DDRII SRAM自动启用和禁用DQ [X : 0 ]
输出。当一个有效的读操作过程中,以及数据是存在于
输出,该输出将被启用。如果没有有效数据出现在输出
(读未激活) ,则输出将被禁用(高阻) 。该
随路时钟仍然有效,在任何时候,不能被禁用或开启
关。在上电期间的DQ输出会在一个高阻抗
状态。
可编程阻抗
一个外部电阻RQ ,必须连接的ZQ引脚之间
在SRAM和Vss ,以允许SRAM能够调整其输出驱动
阻抗。 RQ的值必须是5倍的预期驱动的价值
阻抗的SRAM。 RQ的允许范围,以保证
具有+/- 10%的公差阻抗匹配是175欧姆之间
而350欧姆,采用V
DDQ
= 1.5V 。的输出阻抗被调整
每1024个时钟周期来校正在电源电压和温漂移
perature 。如果用户希望以驱动SRAM的输出阻抗
到它的最低值,该ZQ引脚可以连接到V
DDQ
.
6.42
2
IDT71P73204 ( 2M ×8位) , 71P73104 ( 2M ×9位) , 71P73804 ( 1M ×18位) 71P73604 ( 512K ×36位)
18 MB DDR II SRAM突发的4
商业级温度范围
引脚德网络nitions
符号
引脚功能
描述
数据I / O信号。数据输入的采样K上的上升沿和
K
在有效的写操作。数据输出驱动
在一个有效的读操作。的输出与两个C的上升沿对齐,并
C
在正常操作期间。当
在一个单一的时钟模式下运行(C和
C
绑高)时,输出与两者的K的上升沿对齐,并
K.
当一个
是不是开始读操作或
LD
是高(取消)中K, DQ的上升沿[X : O]被自动驱动以高
之后进行的任何一次读取阻抗完成。
2M ×8 - DQ [7 : 0 ]
2M ×9 - DQ [7 : 0 ]
1M ×18 - DQ [ 17 : 0 ]
512K ×36 - DQ [35 :0]的
字节写选择0 , 1 , 2和3是低电平有效。上的上升沿采样在K的上升沿,并再次
K
在写操作期间。用于选择哪个字节的写操作的当前部分写入设备。
不写入的字节保持不变。所有的字节写操作被采样的相同边缘的数据。取消选择一个字节写
选择将导致数据的相应字节被忽略和没有写入到设备。
2M ×9 -
BW
0
控制的DQ [7 :0]的
1M ×18 -
BW
0
控制的DQ [7 :0]和
BW
1
控制的DQ [17: 9]
512K ×36 -
BW
0
控制的DQ [7 :0] ,
BW
1
控制的DQ [17: 9] ,
BW
2
控制DQ [ 26:18 ]和
BW
3
控制DQ [ 35:27 ]
半字节写选择0和1为低电平有效。只适用于X8位部分,而不是字节写选择。的上升沿采样
在K的边缘和
K
在写操作期间的时钟。用于选择高半字节中当前写入到器件
的写操作部。不写半字节保持不变。所有四位写入采样的相同沿
数据。取消选择一个半字节写入选择将导致数据的对应的半字节被忽略和没有写入到
装置。
2M ×8 -
NW0
控制D [ 3:0]和
NW1
控制D [ 7:4] 。
地址输入。地址期间活性读或写操作采样K时钟的上升沿。
突发计数地址位在X18和X36 DDRll设备。这些位允许改变突发顺序读或写操作,或
为应对突发的单词。参见第9页的所有可能的突发序列。
负荷控制逻辑。采样K的上升沿如果
LD
低, 4字突发读或写操作将启动
由R / W输入指定。如果
LD
是时的K上升沿高,在正在进行的操作将完成,但新的业务
不会被启动。
读或写控制逻辑。如果
LD
是在钾的上升沿低,在R / W表示一个新的操作是否应该是一个
读取或写入。如果R / W为高电平时,一个读操作将被启动,当R / W为低时,写操作将被启动。如果
LD
输入
中的K上升沿高,在R / W输入将被忽略。
正输出时钟输入。 C被结合使用
C
到时钟从设备读取数据。 C和
C
可以使用
一起纠偏各种设备的飞行时间在板回控制器。看到进一步的应用实例
详细信息。
负输出时钟输入。
C
结合使用以C到时钟从设备读取数据。 C和
C
可以使用
一起纠偏各种设备的飞行时间在板回控制器。看到进一步的应用实例
详细信息。
正向输入时钟输入。的K上升沿用于捕获同步输入到该设备并驱出数据
通过DQ [X : 0 ]在单时钟模式下。所有访问都在K的上升沿启动
负输入时钟输入。
K
用于捕获同步的输入被提供给该装置,并驱出的数据通过
DQ [X : 0 ]在单时钟模式下。
同步回波时钟输出。这些输出的上升沿被紧密地匹配于同步数据输出和罐
作为数据有效指示。这些信号是自由运行的,当输出数据是3表示不停止。
输出阻抗匹配输入。此输入用于调整器件输出到系统数据总线的阻抗。 DQ [X : 0 ]
输出阻抗设置为0.2× RQ其中,RQ是ZQ与接地之间的电阻器。另外,该引脚可
直接连接到V
DDQ
,这使得最小阻抗模式。此引脚不能直接连接到GND或离开
悬空。
6431 TBL 02A
DQ [X : 0 ]
输入/输出
同步
BW
0
,
BW
1
BW
2
,
BW
3
输入
同步
NW0 , NW1
输入
同步
SA
SA
0
1
输入
同步
输入
同步
输入
同步
LD
读/写
输入
同步
C
输入时钟
C
输入时钟
K
K
CQ ,
CQ
输入时钟
输入时钟
输出时钟
ZQ
输入
6.42
3
IDT71P73204 ( 2M ×8位) , 71P73104 ( 2M ×9位) , 71P73804 ( 1M ×18位) 71P73604 ( 512K ×36位)
18 MB DDR II SRAM突发的4
商业级温度范围
引脚定义继续
符号
引脚功能
描述
DLL关闭。当这种低投入将关闭设备内的DLL 。在AC时序与DLL
关闭将与本数据表中列出的不同。会有增大的传播
从C的发生延迟,并
C
到DQ ,或K和
K
到DQ的配置。传播延迟是不
一个测试的参数,但将类似的其它SRAM器件在此速度的传播延迟
档次。
TDO引脚用于JTAG
TCK引脚用于JTAG 。
TDI引脚用于JTAG 。一个内部电阻会拉TDI到V
DD
当引脚悬空。
TMS引脚用于JTAG 。一个内部电阻将TMS拉至V
DD
当引脚悬空。
无包装内部连接。可以连接到任何电压电平
参考电压输入。用静态的输入设置参考电平为HSTL输入和输出,以及
作为交流电的测量点。
电源输入到该装置的核心。应连接到1.8V电源。
地面的装置。应连接到该系统的地面。
电源,用于该装置的输出。应连接至1.5V的电源为HSTL或
缩放到期望的输出电压。
6431 TBL 02B
DOFF
输入
TDO
TCK
TDI
TMS
NC
V
REF
V
DD
V
SS
V
DDQ
产量
输入
输入
输入
No
CONNECT
输入
参考
动力
供应
动力
供应
6.42
4
IDT71P73204 ( 2M ×8位) , 71P73104 ( 2M ×9位) , 71P73804 ( 1M ×18位) 71P73604 ( 512K ×36位)
18 MB DDR II SRAM突发的4
商业级温度范围
引脚配置IDT71P73204 ( 2M ×8 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
V
SS/
SA
(2)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
REF
NC
NC
DQ
6
NC
NC
NC
TCK
3
SA
NC
NC
NC
DQ
4
NC
DQ
5
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
DQ
7
SA
4
读/写
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
NW
1
NC
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
6
K
K
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
NC
NW
0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
LD
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
10
V
SS/
SA
(1)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ
1
NC
NC
NC
NC
NC
TMS
6431 TBL 12
11
CQ
DQ
3
NC
NC
DQ
2
NC
NC
ZQ
NC
NC
DQ
0
NC
NC
NC
TDI
165球FBGA封装引脚
顶视图
注意事项:
1. A10是为36MB扩展地址保留。
2. A2是为72MB扩展地址保留。
6.42
5
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IDT71P73104200BQ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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