ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
数据表
2007年2月6日
FN9100.4
配电控制器
这家全功能的热插拔电源控制器
目标应用在+ 2.5V至+ 12V的范围内。该
ISL6115是+ 12V控制时， ISL6116为+ 5V时，
ISL6117为+ 3.3V和ISL6120为+ 2.5V控制
应用程序。每个人都有一个硬接线欠压（UV）
监测和报告阈值电平大约为80％的
的上述电压。
该ISL6115具有一个集成的电荷泵，允许
使用外部的N沟道的高达+ 16V轨控制
MOSFET ，而其他设备利用+ 12V的偏置
电压，以充分提高N沟道FET旁路。所有集成电路
功能可编程过流（ OC ）检测，电流
调节（ CR）与时间延迟锁存关断和软启动功能。
目前的监管水平是由2个外部电阻设置;
R
ISET
设置在CR Vth时，另一种是低欧姆感
元件的对面，而在CR Vth的开发。在CR
持续时间是由一个外部电容器上设置CTIM销，
这是被控20μA电流，一旦CR Vth的水平
被达到。如果在CTIM电容上的电压达到1.9V的
IC然后迅速拉低GATE输出锁存关闭
通过FET 。
这个家庭虽然专为高侧开关控制
ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120也可以在一个低侧使用
配置高得多的电压电位控制。
特点
热插拔单配电控制（ ISL6115
为+ 12V ， ISL6116为+ 5V ， ISL6117为+ 3.3V和ISL6120
为+ 2.5V ）
过电流故障隔离
可编程电流调节水平
可编程电流调节时间闭锁
轨至轨共模输入电压范围（ ISL6115 ）
内部电荷泵允许使用N沟道
MOSFET的+ 12V控制（ ISL6115 ）
欠压和过流锁存指标
可调节导通斜坡
保护过程中开启
两级过电流检测提供快速
应对不同故障条件
1μs的响应时间完全短路
无铅加退火有（符合RoHS ）
磁带&卷轴与' -T'型号后缀包装
应用
配电控制
热插拔组件和电路
订购信息
部分
数
ISL6115CB*
ISL6116CB*
ISL6117CB*
ISL6120CB*
部分
记号
ISL61 15CB
ISL61 16CB
ISL61 17CB
ISL61 20CB
温度。
PKG 。
范围（° C）封装DWG 。 ＃
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
0至+85
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
（无铅）
8 Ld的SOIC
（无铅）
8 Ld的SOIC
（无铅）
8 Ld的SOIC
（无铅）
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
M8.15
引脚
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
（ 8 LD SOIC ）
顶视图
ISET
艾辛河
门
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
PWRON
PGOOD
CTIM
VDD
ISL6115CBZA * 6115 CBZ
（注）
ISL6116CBZA * 6116 CBZ
（注）
ISL6117CBZA * 6117 CBZ
（注）
ISL6120CBZA * 6120 CBZ
（注）
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004-2007 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
应用一 - 高端控制器
+
负载
-
应用二 - 低边控制器
+ Vbus用
负载
1
2
3
4
ISL6115
ISL6116
ISL6117
ISL6120
8
PWRON
7
6
OC
5
PGOOD
4
5
3
6
2
7
1
PWRON
8
ISL6116/7/20
+ V电源进行控制
+12V
12V REG
OC
2
2007年2月6日
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
简化的框图
V
DD
+
-
+
I
SET
-
+
+
V
REF
-
I
SEN
启用
12V
PGOOD
UV
8V
-
POR
QN
Q
R
R
S
PWRON
ISL611X
UV禁用
OC
+
-
20A
CLIM
7.5K
+
-
+
1.86V
-
20A
升起
EDGE
脉冲
CTIM
门
10A
落下
EDGE
延迟
18V
启用
-
+
WOCLIM
V
SS
18V
V
DD
引脚说明
针＃
1
2
3
符号
ISET
艾辛河
门
功能
当前设置
电流检测
外部FET栅极驱动
针
芯片返回
芯片供应
限流时间
电容
电源良好指示器
12V芯片供应。这可以直接或者连接到+ 12V供电轨的切换
负载电压或到一个专用的V
SS
+ 12V电源。
此引脚与地之间连接一个电容。此电容器确定的时间延迟
之间的过流和芯片输出关断（电流限制超时） 。持续时间
限流超时等于93kΩ乘C
TIM
.
表明，在ISEN针上的电压是令人满意的。 PGOOD是由一个开漏驱动
N沟道MOSFET和被拉低时，输出电压（ VISEN ）小于紫外
电平的特定集成电路。
PWRON用于控制和芯片复位。当PWRON引脚被驱动的芯片使能
高到最大为5V或保持打开。经过限流超时，该芯片是由一个复位
适用于该引脚低电平信号。该输入具有20μA上拉功能。
描述
通过限流设定电阻连接到电流检测电阻的低边。这
引脚用作电流限制编程引脚。
连接到检测电阻的更积极的末来测量过这个电压降
电阻器。
连接到外部的N沟道MOSFET的栅极。从这个节点的电容到地
设置开启舷梯。在开启该电容将被充电到V
DD
的+ 5V （ ISL6115 ），并
V
DD
（ ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120 ）由10μA电流源。
4
5
6
VSS
V
DD
CTIM
7
PGOOD
8
PWRON
电源
3
2007年2月6日
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
绝对最大额定值
T
A
= +25°C
V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 16V
门。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+8V
ISEN ， PGOOD ， PWRON ， CTIM ， ISET 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5kV的
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
98
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
V
DD
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 12V
±15%
温度范围（T
A
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 85°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。 （参见技术简介， ＃ TB379.1的
详细信息。 ）
2.所有电压都是相对于GND ，除非另有说明
3. G.N.T.通过设计和特性保证，但未经测试。
电气规格
参数
电流控制
ISET电流源
ISET电流源
限流放大器的失调电压
限流放大器的失调电压
栅极驱动器
V
DD
= 12V ，T
A
= T
J
= 0 ° C至+ 85°C ，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大单位
I
ISET_ft
I
ISET_pt
Vio_ft
Vio_pt
T
J
= + 15 ° C至+ 55°C
V
ISET
- V
艾辛河
V
ISET
- V
ISEN ，
T
J
= + 15 ° C至+ 55°C
18.5
19
-6
-2
20
20
0
0
21.5
21
6
2
μA
μA
mV
mV
GATE响应时间严重OC
GATE响应时间过流
栅极导通电流
GATE下拉电流
GATE下拉电流
(3)
ISL6115欠压阈值
ISL6115高栅压
ISL6116欠压阈值
ISL6117欠压阈值
ISL6120欠压阈值
ISL6116 ，17个， 20门高压
BIAS
V
DD
电源电流
V
DD
POR阈值上升
V
DD
POR阈值下降
V
DD
POR阈值迟滞
PWRON上拉电压
PWRON上升阈值
PWRON滞后
PWRON上拉电流
pd_woc_amp
pd_oc_amp
I
门
OC_GATE_I_4V
WOC_GATE_I_4V
12V
UV_VTH
12VG
5V
UV_VTH
3V
UV_VTH
2V
UV_VTH
VG
V
门
到10.8V
V
门
到10.8V
V
门
到= 6V
过电流
严重过流
-
-
8.4
45
0.5
9.2
100
600
10
75
0.8
9.6
V
DD
+ 5V
4.35
2.6
1.85
V
DD
-
-
11.6
-
-
10
-
4.5
2.8
1.9
-
ns
ns
μA
mA
A
V
V
V
V
V
V
栅极电压
V
DD
+ 4.5V
4.0
2.4
1.8
栅极电压
V
DD
- 1.5V
I
VDD
V
DD_POR_L2H
V
DD_POR_H2L
V
DD_POR_HYS
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
VDD低到高
VDD高至低
V
DD_POR_L2H -
V
DD_POR_H2L
PWRON管脚打开
-
7.8
7.5
0.1
2.7
1.4
130
9
3
8.4
8.1
0.3
3.2
1.7
170
17
5
9
8.7
0.6
-
2.0
250
25
mA
V
V
V
V
V
mV
μA
4
2007年2月6日
ISL6115 ， ISL6116 ， ISL6117 ， ISL6120
电气规格
参数
V
DD
= 12V ，T
A
= T
J
= 0 ° C至+ 85°C ，除非另有说明
符号
测试条件
（续）
民
典型值
最大单位
电流调节时间/ POWER GOOD
C
TIM
充电电流
C
TIM
断层的上拉电流（注3 ）
电流限制超时阈值电压
电源良好下拉电流
C
TIM
± Vth的
PG_Ipd
CTIM电压
V
OUT
= 0.5V
C
TIM
_ichg0
V
CTIM
= 0V
16
-
1.3
-
20
20
1.8
8
23
-
2.3
-
μA
mA
V
mA
说明和操作
这个家庭的成员是单电源供电
对于一般的热插拔应用分发控制器
穿越+ 2.5V至+ 12V的电源电压范围。该ISL6115是
针对+ 12V开关应用而
ISL6116是针对+ 5V时， ISL6117为+ 3.3V和
ISL6120为+ 2.5V的应用。每个IC具有硬连线
欠压（ UV）阈值水平约低17 ％
比规定的电压。
这些IC具有高精度可编程
过流（ OC ）检测比较器，可编程
电流调节（ CR ），具有可编程时间延迟锁存
断，可编程软启动接通匝道都设置了
最少的外部无源组件。该芯片还
包括严重的过流保护立即关闭
MOSFET开关应快速负载电流瞬变，如
一个近乎完全短路引起的CR Vth的超过
由150mV的编程水平。此外，该IC具有一个紫外
指示灯和一个OC锁存指标。的功能
PGOOD功能被启用，一旦IC偏置，监视
和报告的ISEN脚的紫外线条件。
在初始上电时，该IC可以隔离电压
通过保持外部N沟道从负载供电
MOSFET关断或直接将电源轨电压
负载为真正的热插拔功能。该PWRON管脚必须
被拉低该设备以隔离从电源
负载握住外部N沟道MOSFET关断。
随着高举或浮动的IC将在PWRON引脚
真正的热插拔模式。在这两种情况下的IC打开在一个软
启动模式保护电源轨的突然涌入
电流。
在导通时， N沟道的外部栅极电容器
MOSFET被指控10μA电流源产生
作为可编程斜坡（软启动导通） 。内部
ISL6115电荷泵提供了12V的栅极驱动
电源开关驱动的门V
DD
+ 5V ，对于其他
3芯片的栅极驱动电压被限制在芯片偏压
电压VDD 。
负载电流通过外部电流检测
电阻器。当检测电阻两端的电压超过
用户编程的CR电压阈值时， （见
表1对于R
ISET
编程电阻值，并导致
额定电流调节阈值电压，V
CR
）的
控制器进入其目前的监管模式。此时，该
超时电容，基于C
TIM
引脚被控20μA电流
源和所述控制器进入限流时间来闩
冷静期。的电流限制时间的长度闩锁关
持续时间是由一个单一的外部电容的值设置（见
表2） CTIM电容值，并导致名义
当前有限时间来闩锁关闭持续时间放置在离
CTIM引脚（引脚6 ）接地。编程电流水平
持有，直到业主立案法团事件传递或超时时段
过期。如果是前者的情况下，则N沟道
MOSFET完全而C
TIM
电容
出院。一旦CTIM充电至1.87V ，这表明了
超时时间已过期的内部锁存器设置，从而
FET栅极被迅速拉至0V关闭N沟道
MOSFET开关，隔离故障负荷。
表1中。
R
ISET
电阻器
10kΩ
4.99kΩ
2.5kΩ
750Ω
注：标称Vth的= R
ISET
X 20μA 。
表2中。
C
TIM
电容
0.022μF
0.047μF
0.1μF
标称电流限制期
2ms
4.4ms
9.3ms
标称OC VTH
200mV
100mV
50mV
15mV
注：标称超时周期= C
TIM
X 93kΩ 。
该IC响应一个严重的过电流负载（定义为一
检测电阻两端的电压>150mV在OC Vth的集
点） ，立即驱动N沟道MOSFET栅极
0V大约为10μs 。栅极电压随后缓慢上升
打开N沟道MOSFET的电流编程
监管水平;这是其中的超时时段的开始。
在紫外线条件下的PGOOD信号拉低时
通过一个电阻，以逻辑或VDD电源接高电平。这
脚是UV故障指示器。对于OC闭锁指示，
监控CTIM脚6该引脚将从1.9V迅速上升到
VDD一旦走出期满的时间。
相关的文本波形见图12至16 。
该IC是由低电平后的OC闭锁关断状态复位
上的PWRON销和由PWRON销接通
被驱动为高电平。
5
2007年2月6日
QQ：2880707522 复制
