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IPS118N10N摹
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
N沟道，正常水平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
100
11.8
75
V
m
A
适用于高频开关和同步整流
TYPE
IPS118N10N摹
包
记号
PG-TO251-3
118N10N
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
3)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
2)
价值
75
53
300
120
±20
单位
A
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
I
D
=75 A,
R
GS
=25
mJ
V
W
°C
T
C
=25 °C
125
-55 ... 175
55/175/56
J- STD20和JESD22
见图3
3)
T
JMAX
= 150 ℃，占空比D = 0.01 V
gs
<-5V
2.1版
第1页
2008-11-19
IPS118N10N摹
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
-
-
-
-
-
-
1.2
62
40
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=83 A
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
栅极电阻
跨
I
GSS
R
DS （ ON）
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=75 A
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=75 A
100
2
-
-
3
0.1
-
4
1
A
V
-
-
-
-
41
10
1
9.5
1.5
81
100
100
11.8
-
-
nA
m
S
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
4)
2.1版
第2页
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IPS118N10N摹
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
5)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=50 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=35 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=50 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
3250
489
29
17
21
32
8
4320
650
-
-
-
-
-
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=50 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=50 V,
I
D
=75 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
18
12
20
49
5.6
52
-
-
-
65
-
69
nC
V
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=75 A,
T
j
=25 °C
V
R
=50 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
1
105
255
75
300
1.2
A
V
ns
-
nC
参见图16栅极电荷参数定义
2.1版
第3页
2008-11-19
IPS118N10N摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
140
80
120
70
100
60
50
P
合计
[W]
80
I
D
[A]
60
40
20
0
0
50
100
150
200
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
1 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
10 s
10
2
100 s
10
0
I
D
[A]
1毫秒
10
1
Z
thJC
〔 K / W〕
0.5
0.2
0.1
10毫秒
10
-1
10
0
DC
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
2.1版
第4页
2008-11-19
IPS118N10N摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
250
10 V
8V
7V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
30
4.5 V
5V
200
25
20
6.5 V
5.5 V
R
DS （ ON）
[m
]
150
I
D
[A]
15
6V
100
6V
10
5.5 V
10 V
50
5
5V
4.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
20
40
60
80
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
250
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
100
200
80
150
60
100
g
fs
[S]
40
175 °C
I
D
[A]
50
25 °C
20
0
0
2
4
6
8
0
0
20
40
60
80
V
GS
[V]
I
D
[A]
2.1版
第5页
2008-11-19
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IRKVF180-02HJ
INA133
IDT74LVCH16541APV
ISL6115_07
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IXFH28N60P3
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