【ISL2110 ， ISL2111数据表2006年7月11日FN6295.1100V ， 3A / 】,IC型号ISL2111ABZ,ISL2111ABZ PDF资料,ISL2111ABZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

ISL2110 ， ISL2111

数据表

2006年7月11日

FN6295.1

100V ， 3A / 4A峰值，高频

半桥驱动器

的ISL2110 ， ISL2111是100V ，频率高，半桥

N沟道功率MOSFET驱动器IC 。它们是基于

流行的HIP2100 ， HIP2101半桥驱动器，但是提供

几个性能改进。峰值输出上拉/

下拉电流已增加至3A / 4A ，它

显著降低开关功率损耗和消除

需要外部的图腾柱缓冲液中的许多

应用程序。另外，在V的低端

DD

业务供应量

范围已经扩展到8VDC 。该ISL2110具有

额外的输入滞后于嘈杂的卓越运营

环境和ISL2111的输入，像那些的

ISL2110 ，现在可以安全地摇摆到V

DD

电源轨。

特点

驱动N沟道MOSFET半桥

SOIC和DFN封装选项

SOIC和DFN封装符合100V导线

根据IPC -2221的间距准则

无铅加退火有（符合RoHS ）

自举电源最大电压为114VDC

片上1Ω自举二极管

快速传播时间的多MHz的电路

对9ns / 7.5ns 驱动1nF的负载，典型上升/下降时间

CMOS兼容输入阈值（ ISL2110 ）

3.3V / TTL兼容的输入阈值（ ISL2111 ）

独立的输入提供了灵活性

订购信息

部分

数

部分

温度。

（注1,2 ）标记范围（ ℃）

ISL2110ABZ

2110ABZ

-40至125

包

（无铅）

8 Ld的SOIC

PKG 。

DWG 。＃

M8.15

无启动问题

输出不受电源故障， HS振铃下方

地面或HS回转在高dv / dt

低功耗

宽电源电压范围（ 8V至14V ）

电源欠压保护

1.6Ω / 1Ω典型输出上拉/下拉电阻

ISL2110AR4Z 2110AR4Z

ISL2111ABZ

2111ABZ

12 Ld的4×4 DFN L12.4x4A

8 Ld的SOIC

M8.15

ISL2111AR4Z 2111AR4Z

注意事项：

12 Ld的4×4 DFN L12.4x4A

1. Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅

材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％

雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，

既锡铅和无铅焊接操作兼容。

Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值

达到或超过了无铅回流焊的温度

IPC / JEDEC J STD- 020的要求。

2.添加“ -T ”后缀磁带和卷轴包装的选择。

应用

电信半桥DC / DC转换器

电信全桥DC / DC转换器

双开关正激转换器

有源钳位正激转换器

D类音频放大器

引脚配置

ISL2110 ， ISL2111 （ SOIC ）

顶视图

V

DD

HB

HO

HS

1

2

3

4

8

7

6

5

LO

V

SS

LI

NC

HI

HB

HO

HS

4

5

6

3

EPAD

9

8

7

NC

LI

HI

ISL2110 ， ISL2111 （ DFN ）

顶视图

V

DD

NC

1

2

12 LO

11 V

SS

10 NC

注： EPAD =裸焊盘。

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL2110 ， ISL2111

应用框图

+12V

+100V

V

DD

HB

次

电路

HI

控制

PWM

调节器

LI

DRIVE

HI

HO

HS

DRIVE

LO

ISL2110

ISL2111

V

SS

LO

参考

和

隔离

功能框图

HB

V

DD

下

电压

电平转换

司机

HS

HI

ISL2111

HO

ISL2111

LI

V

SS

下

电压

司机

LO

EPAD （ DFN封装）

* EPAD =裸焊盘。该EPAD是所有其他引脚电隔离。为

最佳的热性能EPAD连接到PCB的电源地平面。

2

FN6295.1

2006年7月11日

ISL2110 ， ISL2111

+48V

+12V

PWM

ISL2110

ISL2111

次

电路

隔离

图1.双开关正激转换器

+48V

+12V

次

电路

PWM

ISL2110

ISL2111

隔离

与有源钳位图2.正向转换器

3

FN6295.1

2006年7月11日

ISL2110 ， ISL2111

绝对最大额定值

电源电压，V

DD,

V

HB

- V

HS

（注3,4）。。。。。。。。 -0.3V至18V

李和HI电压（注4 ）。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到V

DD

+ 0.3V

在LO电压（注4 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到V

DD

+ 0.3V

在何电压（注4 ）。。。。。。。。。。。。。。 V

HS

- 0.3V至V

HB

+ 0.3V

在HS电压（连续）（注4 ）。。。。。。。。。。。。。。 -1V至110V

上的HB电压（注4）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 118V

在V平均电流

DD

以HB二极管。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

热信息

热电阻（典型值）

θ

JA

（ ° C / W）

θ

JC

（ ° C / W）

SOIC （注5）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

95

不适用

DFN （注6）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

40

3

最大功率消耗在25℃在自由空气中（ SOIC ，注5 ）。。。。 1.3W

最大功率消耗在25℃在自由空气中（ DFN ，注6 ）。。。。。 3.1W

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

结温范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至150℃

引线温度（焊接10秒 - SOIC无铅仅提示）。。。 300℃

对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。

最大推荐工作条件

电源电压，V

DD

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 8V至14V

电压HS 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -1V至100V

电压HS 。。。。。。。。。。。。。。（重复瞬态） -5V至105V

电压HB 。。 V

HS

+ 7V到V

HS

+ 14V和V

DD

- 1V至V

DD

+ 100V

HS压摆率。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 <50V / NS

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的推荐工作条件所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

3. ISL2110和ISL2111能够降额运行的电源电压超过14V 。图22示出了高侧电压降额

曲线对于这种操作模式。

4.所有电压参考V

SS

除非另有规定ED 。

5.

θ

JA

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板上的组件。参见技术简介TB379了解详细信息。

6.

θ

JA

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。

为

θ

JC ，

该“情况下的温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379了解详细信息。

电气规格

V

DD

= V

HB

= 12V, V

SS

= V

HS

= 0V ，在LO和HO空载，除非另有规定编

T

J

= 25°C

T

J

= -40 ° C至

125°C

最大

民

最大

单位

参数

电源电流

V

DD

静态电流

V

DD

静态电流

V

DD

工作电流

V

DD

工作电流

HB总静态电流

HB总工作电流

HB到V

SS

目前，静态

HB到V

SS

目前，工作

输入引脚

低电平输入电压阈值

高电平输入电压阈值

输入电压滞后

输入下拉电阻

欠压保护

V

DD

阈值上升

V

DD

阈值迟滞

符号

测试条件

民

典型值

I

DD

I

DD

I

DDO

I

DDO

I

HB

I

HBO

I

HBS

I

HBSO

ISL2110 ;李= HI = 0V

ISL2111 ;李= HI = 0V

ISL2110 ; F = 500kHz的

ISL2111 ; F = 500kHz的

李= HI = 0V

F = 500kHz的

李= HI = 0V ; V

HB

= V

HS

= 114V

F = 500kHz的; V

HB

= V

HS

= 114V

-

0.1

0.3

3.4

3.5

0.1

3.4

0.05

1.2

0.25

0.45

5.0

0.15

5.0

1.5

-

0.3

0.55

5.5

0.2

5.5

10

-

mA

A

mA

V

IL

V

IL

V

IH

V

IH

V

IHYS

R

I

ISL2110

ISL2111

ISL2110

ISL2111

ISL2110

3.7

1.4

-

4.4

1.8

6.6

1.8

2.2

210

-

7.4

2.2

-

3.5

1.2

-

100

-

7.6

2.4

-

500

V

k

V

DDR

V

DDH

6.1

-

6.6

0.6

7.1

-

5.8

-

7.4

-

V

4

FN6295.1

2006年7月11日

ISL2110 ， ISL2111

电气规格

V

DD

= V

HB

= 12V, V

SS

= V

HS

= 0V ，在LO和HO空载，除非另有规定编

（续）

T

J

= 25°C

参数

HB上升阈值

HB阈值迟滞

自举二极管

低电流正向电压

高电流正向电压

动态电阻

LO栅极驱动器

低电平输出电压

高电平输出电压

山顶上拉电流

峰值下拉电流

何栅极驱动器

低电平输出电压

高电平输出电压

山顶上拉电流

峰值下拉电流

V

OLH

V

OHH

I

OHH

I

OLH

I

HO

= 100毫安

I

HO

= -100mA ，V

OHH

= V

HB

- V

HO

V

HO

= 0V

V

HO

= 12V

-

0.1

0.16

3

4

0.18

0.23

-

0.25

0.3

-

V

A

V

OLL

V

OHL

I

OHL

I

OLL

I

LO

= 100毫安

I

LO

= -100mA ，V

OHL

= V

DD

- V

LO

V

LO

= 0V

V

LO

= 12V

-

0.1

0.16

3

4

0.18

0.23

-

0.25

0.3

-

V

A

V

DL

V

DH

R

D

I

VDD -HB

= 100A

I

VDD -HB

= 100毫安

I

VDD -HB

= 100毫安

-

0.5

0.7

0.6

0.9

1

-

0.7

1

1.5

V

符号

V

HBR

V

HBH

测试条件

民

5.5

-

典型值

6.1

0.6

最大

6.8

-

T

J

= -40 ° C至

125°C

民

5.0

-

最大

7.1

-

单位

V

交换特定网络阳离子

V

DD

= V

HB

= 12V, V

SS

= V

HS

= 0V ，在LO和HO空载，除非另有规定编

T

J

= 25°C

民

-

1

C

L

= 1nF的

C

L

= 1nF的

C

L

= 0.1F

C

L

= 0.1F

-

典型值

32

39

38

8

6

9

7.5

0.3

0.19

-

10

最大

50

-

0.4

0.3

-

T

J

= -40°C

至125℃

民

-

最大

60

16

-

0.5

0.4

50

-

单位

ns

s

ns

参数

低关断传播延迟（LI下降到LO下降）

上关断传播延迟（ HI下降到HO下降）

低导通传播延迟（李瑞星LO瑞星）

上部导通传播延迟（ HI瑞星何晟）

延迟匹配：上关断，低导通

延迟匹配：低关断，上开通

任一输出上升时间（10％ 90 ％）

任一输出下降时间（90％至10％）

无论是输出上升时间（ 3V至9V ）

无论是输出下降时间（ 9V至3V ）

最小输入脉冲宽度改变输出

自举二极管导通或关断时间

符号

t

LPHL

t

HPHL

t

LPLH

t

HPLH

t

MON

t

MOFF

t

RC

t

FC

t

R

t

F

t

PW

t

BS

TEST

条件

5

FN6295.1

2006年7月11日

ISL2110 ， ISL2111

数据表

2009年8月11日

FN6295.4

100V ， 3A / 4A峰值，高频

半桥驱动器

的ISL2110 ， ISL2111是100V ，频率高，半桥

N沟道功率MOSFET驱动器IC 。它们是基于

流行的HIP2100 ， HIP2101半桥驱动器，但是提供

几个性能改进。峰值输出上拉/

下拉电流已增加至3A / 4A ，它

显著降低开关功率损耗和消除

需要外部的图腾柱缓冲液中的许多

应用程序。另外，在V的低端

DD

业务供应量

范围已经扩展到8VDC 。该ISL2110具有

额外的输入滞后于嘈杂的卓越运营

环境和ISL2111的输入，像那些的

ISL2110 ，现在可以安全地摇摆到V

DD

电源轨。

特点

驱动N沟道MOSFET半桥

SOIC ， DFN和TDFN封装选项

SOIC ， DFN和TDFN封装符合100V

根据IPC -2221导线间距准则

无铅（符合RoHS ）

自举电源最大电压为114VDC

片上1Ω自举二极管

快速传播时间的多MHz的电路

对9ns / 7.5ns 驱动1nF的负载，典型上升/下降时间

CMOS兼容输入阈值（ ISL2110 ）

3.3V / TTL兼容的输入阈值（ ISL2111 ）

独立的输入提供了灵活性

订购信息

部分

数

（注）

ISL2110ABZ*

部分

记号

2110 ABZ

温度

范围

(°C)

包

（无铅）

PKG 。

DWG 。＃

M8.15

无启动问题

输出不受电源故障， HS振铃下方

地面或HS回转在高dv / dt

低功耗

宽电源电压范围（ 8V至14V ）

电源欠压保护

1.6Ω / 1Ω典型输出上拉/下拉电阻

-40到+125 8 Ld的SOIC

ISL2110AR4Z * 211 0AR4Z -40 + 125 12 Ld的4×4 DFN L12.4x4A

ISL2111ABZ*

2111 ABZ

-40到+125 8 Ld的SOIC

M8.15

ISL2111AR4Z * 211 1AR4Z -40 + 125 12 Ld的4×4 DFN L12.4x4A

ISL2111ARTZ * 211 1ARTZ -40 + 125 10 Ld的4×4 TDFN L10.4x4

*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴包装的选择。请参阅

TB347对卷筒规格的详细内容

注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装

特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属

材料和100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，

这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容

焊接操作）。 Intersil无铅产品分类MSL在

达到或超过了无铅无铅峰值回流温度

IPC / JEDEC J STD- 020的要求

应用

电信半桥DC / DC转换器

电信全桥DC / DC转换器

双开关正激转换器

有源钳位正激转换器

D类音频放大器

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL2110 ， ISL2111

引脚配置

ISL2111

（ 10 LD 4X4 TDFN ）

顶视图

VDD

HB

HO

HS

NC

10 LO

9 VSS

8李

7 HI

6 NC

ISL2110 ， ISL2111

（ 12 LD的4x4 DFN ）

顶视图

1

2

3

4

5

V

DD

NC

HB

HO

HS

1

2

3

EPAD *

4

5

6

12 LO

11 V

SS

10 NC

9

8

7

* EPAD =裸焊盘

NC

LI

HI

ISL2110 ， ISL2111

（ 8 LD SOIC ）

顶视图

V

DD

HB

HO

HS

1

2

3

4

8

7

6

5

LO

V

SS

LI

HI

应用框图

+12V

+100V

V

DD

HB

次

电路

HI

控制

PWM

调节器

LI

DRIVE

HI

HO

HS

DRIVE

LO

ISL2110

ISL2111

V

SS

LO

参考

和

隔离

2

FN6295.4

2009年8月11日

ISL2110 ， ISL2111

功能框图

HB

V

DD

下

电压

电平转换

司机

HS

HI

ISL2111

HO

ISL2111

LI

V

SS

下

电压

司机

LO

EPAD （ DFN封装）

* EPAD =裸焊盘。该EPAD是所有其他引脚电隔离。为

最佳的热性能EPAD连接到PCB的电源地平面。

+48V

+12V

PWM

ISL2110

ISL2111

次

电路

隔离

图1.双开关正激转换器

+48V

+12V

次

电路

PWM

ISL2110

ISL2111

隔离

与有源钳位图2.正向转换器

3

FN6295.4

2009年8月11日

ISL2110 ， ISL2111

绝对最大额定值

电源电压，V

DD,

V

HB

- V

HS

（注1 ， 2 ）。。。。。。。。 -0.3V至18V

李和HI的电压（注2）。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到V

DD

+ 0.3V

上的LO电压（注2）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到V

DD

+ 0.3V

在何电压（注2 ）。。。。。。。。。。。。。。 V

HS

- 0.3V至V

HB

+ 0.3V

在HS电压（连续）（注2 ）。。。。。。。。。。。。。。 -1V至110V

上的HB电压（注2）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 118V

在V平均电流

DD

以HB二极管。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

热信息

热电阻（典型值）

θ

JA

（ ° C / W）

θ

JC

（ ° C / W）

8 Ld的SOIC （注3）。。。。。。。。。。。。。。。

95

不适用

10 Ld的TDFN （注4,5）。。。。。。。。。。。

42

5.5

12 Ld的DFN （注4,5）。。。。。。。。。。。。

40

5.5

最大功率消耗在+ 25°C在自由空气

8 Ld的SOIC （注3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1.3W

10 Ld的TDFN （注4,5）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3.0W

12 Ld的DFN （注4,5）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3.1W

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 55 ° C至+ 150°C

无铅回流焊曲线。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。下面。见链接

http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp

最大推荐工作条件

电源电压，V

DD

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 8V至14V

电压HS 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -1V至100V

电压HS 。。。。。。。。。。。。。。（重复瞬态） -5V至105V

电压HB 。。 V

HS

+ 7V到V

HS

+ 14V和V

DD

- 1V至V

DD

+ 100V

HS压摆率。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 <50V / NS

注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和

导致不在保修范围内的故障。

注意事项：

1. ISL2110和ISL2111能够降额运行的电源电压超过14V 。图22示出了高侧电压降额

曲线对于这种操作模式。

2.所有电压参考V

SS

除非另有规定ED 。

3.

θ

JA

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板上的组件。参见技术简介TB379了解详细信息。

4.

θ

JA

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看

技术简介TB379 。

5.对于

θ

JC

的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。

6.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制设立的表征

而不是生产测试。

电气规格

V

DD

= V

HB

= 12V, V

SS

= V

HS

= 0V ，在LO和HO空载，除非另有说明。

T

J

= +25°C

T

J

= -40 ° C至+ 125°C

民

（注6 ）

最大

（注6 ）

单位

参数

电源电流

V

DD

静态电流

V

DD

静态电流

V

DD

工作电流

V

DD

工作电流

HB总静态电流

HB总工作电流

HB到V

SS

目前，静态

HB到V

SS

目前，工作

输入引脚

低电平输入电压阈值

高电平输入电压阈值

输入电压滞后

输入下拉电阻

符号

测试条件

民

典型值

最大

I

DD

I

DD

I

DDO

I

DDO

I

HB

I

HBO

I

HBS

I

HBSO

ISL2110 ;李= HI = 0V

ISL2111 ;李= HI = 0V

ISL2110 ; F = 500kHz的

ISL2111 ; F = 500kHz的

李= HI = 0V

F = 500kHz的

李= HI = 0V ; V

HB

= V

HS

= 114V

F = 500kHz的; V

HB

= V

HS

= 114V

-

0.1

0.3

3.4

3.5

0.1

3.4

0.05

1.2

0.25

0.45

5.0

0.15

5.0

1.5

-

0.3

0.55

5.5

0.2

5.5

10

-

mA

A

mA

V

IL

V

IL

V

IH

V

IH

V

IHYS

R

I

ISL2110

ISL2111

ISL2110

ISL2111

ISL2110

3.7

1.4

-

4.4

1.8

6.6

1.8

2.2

210

-

7.4

2.2

-

3.5

1.2

-

100

-

7.6

2.4

-

500

V

kΩ

4

FN6295.4

2009年8月11日

ISL2110 ， ISL2111

电气规格

V

DD

= V

HB

= 12V, V

SS

= V

HS

= 0V ，在LO和HO空载，除非另有说明。

（续）

T

J

= +25°C

参数

欠压保护

V

DD

阈值上升

V

DD

阈值迟滞

HB上升阈值

HB阈值迟滞

自举二极管

低电流正向电压

高电流正向电压

动态电阻

LO栅极驱动器

低电平输出电压

高电平输出电压

山顶上拉电流

峰值下拉电流

何栅极驱动器

低电平输出电压

高电平输出电压

山顶上拉电流

峰值下拉电流

V

OLH

V

OHH

I

OHH

I

OLH

I

HO

= 100毫安

I

HO

= -100mA ，V

OHH

= V

HB

- V

HO

V

HO

= 0V

V

HO

= 12V

-

0.1

0.16

3

4

0.18

0.23

-

0.25

0.3

-

V

A

V

OLL

V

OHL

I

OHL

I

OLL

I

LO

= 100毫安

I

LO

= -100mA ，V

OHL

= V

DD

- V

LO

V

LO

= 0V

V

LO

= 12V

-

0.1

0.16

3

4

0.18

0.23

-

0.25

0.3

-

V

A

V

DL

V

DH

R

D

I

VDD -HB

= 100A

I

VDD -HB

= 100毫安

I

VDD -HB

= 100毫安

-

0.5

0.7

0.6

0.9

1

-

0.7

1

1.5

V

Ω

V

DDR

V

DDH

V

HBR

V

HBH

6.1

-

5.5

-

6.6

0.6

6.1

0.6

7.1

-

6.8

-

5.8

-

5.0

-

7.4

-

7.1

-

V

符号

测试条件

民

典型值

最大

T

J

= -40 ° C至+ 125°C

民

（注6 ）

最大

（注6 ）

单位

交换特定网络阳离子

V

DD

= V

HB

= 12V, V

SS

= V

HS

= 0V ，在LO和HO空载，除非另有说明。

T

J

= +25°C

T

J

= -40°C

至+ 125°C

民

（注6 ）

-

最大

（注6 ）

60

16

-

0.5

0.4

50

-

单位

ns

s

ns

参数

低关断传播延迟（LI下降到LO下降）

上关断传播延迟（ HI下降到HO下降）

低导通传播延迟（李瑞星LO瑞星）

上部导通传播延迟（ HI瑞星何晟）

延迟匹配：上关断，低导通

延迟匹配：低关断，上开通

任一输出上升时间（10％ 90 ％）

任一输出下降时间（90％至10％）

无论是输出上升时间（ 3V至9V ）

无论是输出下降时间（ 9V至3V ）

最小输入脉冲宽度改变输出

自举二极管导通或关断时间

符号

t

LPHL

t

HPHL

t

LPLH

t

HPLH

t

MON

t

MOFF

t

RC

t

FC

t

R

t

F

t

PW

t

BS

TEST

条件

民

-

1

典型值

32

39

38

8

6

9

7.5

0.3

0.19

-

10

最大

50

-

0.4

0.3

-

C

L

= 1nF的

C

L

= 1nF的

C

L

= 0.1F

C

L

= 0.1F

-

5

FN6295.4

2009年8月11日

ISL2110 ， ISL2111

数据表

2012年3月8日

FN6295.6

100V ， 3A / 4A峰值，高频

半桥驱动器

的ISL2110 ， ISL2111是100V ，频率高，半桥

N沟道功率MOSFET驱动器IC 。它们是基于

流行的HIP2100 ， HIP2101半桥驱动器，但是提供

几个性能改进。峰值输出上拉/

下拉电流已增加至3A / 4A ，它

显著降低开关功率损耗和消除

需要外部的图腾柱缓冲液中的许多

应用程序。另外，在V的低端

DD

业务供应量

范围已经扩展到8VDC 。该ISL2110具有

额外的输入滞后于嘈杂的卓越运营

环境和ISL2111的输入，像那些的

ISL2110 ，现在可以安全地摇摆到V

DD

电源轨。

特点

驱动N沟道MOSFET半桥

SOIC ， DFN和TDFN封装选项

SOIC ， DFN和TDFN封装符合100V

根据IPC -2221导线间距准则

无铅（符合RoHS ）

自举电源最大电压为114VDC

片1W自举二极管

快速传播时间的多MHz的电路

对9ns / 7.5ns 驱动1nF的负载，典型上升/下降时间

CMOS兼容输入阈值（ ISL2110 ）

3.3V / TTL兼容的输入阈值（ ISL2111 ）

独立的输入提供了灵活性

订购信息

部分

数

（注1,2 ）

ISL2110ABZ

部分

记号

2110 ABZ

温度

范围

(°C)

包

（无铅）

PKG 。

DWG 。＃

M8.15

L12.4x4A

M8.15

L12.4x4A

无启动问题

输出不受电源故障， HS振铃下方

地面或HS回转在高dv / dt

低功耗

宽电源电压范围（ 8V至14V ）

电源欠压保护

1.6W / 1W典型输出上拉/下拉电阻

-40到+125 8 Ld的SOIC

ISL2110AR4Z 211 0AR4Z -40 + 125 12 Ld的4×4 DFN

ISL2111ABZ

2111 ABZ

-40到+125 8 Ld的SOIC

ISL2111AR4Z 211 1AR4Z -40 + 125 12 Ld的4×4 DFN

ISL2111ARTZ 211 1ARTZ -40 + 125 10 Ld的4×4 TDFN L10.4x4

ISL2111BR4Z 211 1BR4A -40至+125 8 Ld的4×4 DFN

注意事项：

1.新增“ * -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅

TB347

详细信息

卷筒规格。

2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊

无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料，

和100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，这

符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容

焊接操作）。 Intersil无铅产品分类MSL

在达到或超过了无铅峰值回流温度

IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。

3.潮湿敏感度等级（MSL ），请参阅设备信息

页面

ISL2110 ， ISL2111 。

有关MSL更多信息，请

看到techbrief

TB363.

L8.4x4

应用

电信半桥DC / DC转换器

电信全桥DC / DC转换器

双开关正激转换器

有源钳位正激转换器

D类音频放大器

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

Intersil公司（设计）是Intersil公司或其子公司所拥有的商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL2110 ， ISL2111

引脚配置

ISL2111ARTZ

（ 10 LD 4X4 TDFN ）

顶视图

ISL2110AR4Z ， ISL2111AR4Z

（ 12 LD的4x4 DFN ）

顶视图

VDD

HB

HO

HS

NC

1

2

3

4

5

10 LO

9 VSS

8李

7 HI

6 NC

VDD

NC

HB

HO

HS

1

2

3

EPAD *

4

5

6

12 LO

11 Vss的

10 NC

9

8

7

* EPAD =裸焊盘

NC

LI

HI

ISL2110ABZ ， ISL2111ABZ

（ 8 LD SOIC ）

顶视图

VDD

HB

HO

HS

1

2

3

4

8

7

6

5

LO

VSS

LI

HO

HI

HS

3

4

ISL2111BR4Z

（ 8 LD的4x4 DFN ）

顶视图

V

DD

HB

1

2

EPAD *

8

7

6

5

LO

V

SS

LI

HI

* EPAD =裸焊盘

应用框图

+12V

+100V

V

DD

HB

次

电路

HI

控制

PWM

调节器

LI

DRIVE

HI

HO

HS

DRIVE

LO

ISL2110

ISL2111

V

SS

LO

参考

和

隔离

2

FN6295.6

2012年3月8日

ISL2110 ， ISL2111

功能框图

HB

V

DD

下

电压

电平转换

司机

HS

HI

ISL2111

HO

ISL2111

LI

V

SS

下

电压

司机

LO

EPAD （ DFN封装）

* EPAD =裸焊盘。该EPAD是所有其他引脚电隔离。为

最佳的热性能EPAD连接到PCB的电源地平面。

+48V

+12V

PWM

ISL2110

ISL2111

次

电路

隔离

图1.双开关正激转换器

+48V

+12V

次

电路

PWM

ISL2110

ISL2111

隔离

与有源钳位图2.正向转换器

3

FN6295.6

2012年3月8日

ISL2110 ， ISL2111

绝对最大额定值

电源电压，V

DD,

V

HB

- V

HS

（注4,5）。。。。。。。。 -0.3V至18V

李和HI的电压（注5）。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到V

DD

+ 0.3V

上的LO电压（注5）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到V

DD

+ 0.3V

在何电压（注5 ）。。。。。。。。。。。。。。 V

HS

- 0.3V至V

HB

+ 0.3V

在HS电压（连续）（注5 ）。。。。。。。。。。。。。。 -1V至110V

上的HB电压（注5）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 118V

在V平均电流

DD

以HB二极管。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

热信息

热电阻（典型值）

θ

JA

（ ° C / W）

θ

JC

（ ° C / W）

8 Ld的SOIC （注6 ， 10 ）。。。。。。。。。。。。

95

46

10 Ld的TDFN （注7,8）。。。。。。。。。。。

42

5.5

12 Ld的DFN （注7,8）。。。。。。。。。。。。

40

5.5

8 Ld的DFN （注7,8）。。。。。。。。。。。。。

40

4.0

最大功率消耗在+ 25°C在自由空气

8 Ld的SOIC （注6 ， 10 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1.3W

10 Ld的TDFN （注7,8）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3.0W

12 Ld的DFN （注7,8）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3.1W

8 Ld的DFN （注7,8）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3.1W

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 55 ° C至+ 150°C

无铅回流焊曲线。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。下面。见链接

http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp

最大推荐工作条件

电源电压，V

DD

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 8V至14V

电压HS 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -1V至100V

电压HS 。。。。。。。。。。。。。。（重复瞬态） -5V至105V

电压HB 。。。。 .V

HS

+ 7V到V

HS

+ 14V和V

DD

- 1V至V

DD

+100V

HS压摆率。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 <50V / NS

注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和

导致不在保修范围内的故障。

注意事项：

4. ISL2110和ISL2111能够降额运行的电源电压超过14V 。图22示出了高侧电压降额

曲线对于这种操作模式。

5.所有电压参考V

SS

除非另有规定ED 。

6.

θ

JA

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板上的组件。参见技术简介

TB379

了解详细信息。

7.

θ

JA

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看

技术简介

TB379.

8.

θ

JC

的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。

9.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制设立的表征

而不是生产测试。

10.

θ

JC

，在“临时情况”位置采取包顶部中心。

电气规格

V

DD

= V

HB

= 12V, V

SS

= V

HS

= 0V ，在LO和HO空载，除非另有说明。

T

J

= +25°C

T

J

= -40 ° C至+ 125°C

民

（注9 ）

最大

（注9 ）

单位

参数

电源电流

V

DD

静态电流

V

DD

静态电流

V

DD

工作电流

V

DD

工作电流

HB总静态电流

HB总工作电流

HB到V

SS

目前，静态

HB到V

SS

目前，工作

输入引脚

低电平输入电压阈值

高电平输入电压阈值

输入电压滞后

输入下拉电阻

符号

测试条件

民

典型值

最大

I

DD

I

DD

I

DDO

I

DDO

I

HB

I

HBO

I

HBS

I

HBSO

ISL2110 ;李= HI = 0V

ISL2111 ;李= HI = 0V

ISL2110 ; F = 500kHz的

ISL2111 ; F = 500kHz的

李= HI = 0V

F = 500kHz的

李= HI = 0V ; V

HB

= V

HS

= 114V

F = 500kHz的; V

HB

= V

HS

= 114V

-

0.1

0.3

3.4

3.5

0.1

3.4

0.05

1.2

0.25

0.45

5.0

0.15

5.0

1.5

-

0.3

0.55

5.5

0.2

5.5

10

-

mA

A

mA

V

IL

V

IL

V

IH

V

IH

V

IHYS

R

I

ISL2110

ISL2111

ISL2110

ISL2111

ISL2110

3.7

1.4

-

4.4

1.8

6.6

1.8

2.2

210

-

7.4

2.2

-

3.5

1.2

-

100

-

7.6

2.4

-

500

V

kΩ

4

FN6295.6

2012年3月8日

ISL2110 ， ISL2111

电气规格

V

DD

= V

HB

= 12V, V

SS

= V

HS

= 0V ，在LO和HO空载，除非另有说明。

（续）

T

J

= +25°C

参数

欠压保护

V

DD

阈值上升

V

DD

阈值迟滞

HB上升阈值

HB阈值迟滞

自举二极管

低电流正向电压

高电流正向电压

动态电阻

LO栅极驱动器

低电平输出电压

高电平输出电压

山顶上拉电流

峰值下拉电流

何栅极驱动器

低电平输出电压

高电平输出电压

山顶上拉电流

峰值下拉电流

V

OLH

V

OHH

I

OHH

I

OLH

I

HO

= 100毫安

I

HO

= -100mA ，V

OHH

= V

HB

- V

HO

V

HO

= 0V

V

HO

= 12V

-

0.1

0.16

3

4

0.18

0.23

-

0.25

0.3

-

V

A

V

OLL

V

OHL

I

OHL

I

OLL

I

LO

= 100毫安

I

LO

= -100mA ，V

OHL

= V

DD

- V

LO

V

LO

= 0V

V

LO

= 12V

-

0.1

0.16

3

4

0.18

0.23

-

0.25

0.3

-

V

A

V

DL

V

DH

R

D

I

VDD -HB

= 100A

I

VDD -HB

= 100毫安

I

VDD -HB

= 100毫安

-

0.5

0.7

0.6

0.9

1

-

0.7

1

1.5

V

Ω

V

DDR

V

DDH

V

HBR

V

HBH

6.1

-

5.5

-

6.6

0.6

6.1

0.6

7.1

-

6.8

-

5.8

-

5.0

-

7.4

-

7.1

-

V

符号

测试条件

民

典型值

最大

T

J

= -40 ° C至+ 125°C

民

（注9 ）

最大

（注9 ）

单位

交换特定网络阳离子

V

DD

= V

HB

= 12V, V

SS

= V

HS

= 0V ，在LO和HO空载，除非另有说明。

T

J

= +25°C

T

J

= -40°C

至+ 125°C

民

（注9 ）

-

最大

（注9 ）

60

16

-

0.5

0.4

50

-

单位

ns

s

ns

参数

低关断传播延迟（LI下降到LO下降）

上关断传播延迟（ HI下降到HO下降）

低导通传播延迟（李瑞星LO瑞星）

上部导通传播延迟（ HI瑞星何晟）

延迟匹配：上关断，低导通

延迟匹配：低关断，上开通

任一输出上升时间（10％ 90 ％）

任一输出下降时间（90％至10％）

无论是输出上升时间（ 3V至9V ）

无论是输出下降时间（ 9V至3V ）

最小输入脉冲宽度改变输出

自举二极管导通或关断时间

符号

t

LPHL

t

HPHL

t

LPLH

t

HPLH

t

MON

t

MOFF

t

RC

t

FC

t

R

t

F

t

PW

t

BS

TEST

条件

民

-

1

典型值

32

39

38

8

6

9

7.5

0.3

0.19

-

10

最大

50

-

0.4

0.3

-

C

L

= 1nF的

C

L

= 1nF的

C

L

= 0.1F

C

L

= 0.1F

-

5

FN6295.6

2012年3月8日