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晶体管
EMH3 / UMH3N / IMH3A
通用（双数字晶体管）
EMH3 / UMH3N / IMH3A
特点
1）在一个EMT或UMT或SMT两个DTAK13Ts芯片
封装。
2 ）安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 ）晶体管元件是独立的，从而消除
干扰。
外形尺寸
（单位：毫米）
EMH3
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
缩写符号： H3
ROHM ： EMT6
UMH3N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.8
1.1
(3)
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
0.95 0.95
1.9
2.9
0.2
(6)
1.25
2.1
等效电路
EMH3 / UMH3N
(3) (2)
R
1
(1)
0.15
(1)
以下特性适用于DTR
1
和DTR
2
.
0.1Min.
IMH3A
(4) (5)
R
1
(6)
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
DTR
1
DTR
2
R
1
(5)
DTR
2
R
1
(2)
DTR
1
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
缩写符号： H3
IMH3A
(1)
(6)
(4)
(6)
(3)
(4)
(5)
1.6
2.8
包装规格
包
CODE
TYPE
EMH3
UMH3N
IMH3A
基本订购
单位（件）
T2R
8000
TAPING
TN
3000
T110
3000
0.15
0.3to0.6
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
缩写符号： H3
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(3)
(2)
R
1
=4.7k
R
1
=4.7k
0.3
(1)
0.9
2.0
(5)
(2)
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晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集热器
动力
耗散
EMH3,UMH3N
IMH3A
Tj
TSTG
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
范围
50
50
5
100
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
150
55~+150
°C
°C
单位
V
V
V
mA
mW
EMH3 / UMH3N / IMH3A
1
2
结温
储存温度
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
100
3.29
典型值。
250
250
4.7
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
6.11
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=5mA/0.25mA
V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10毫安，我
E
= -5mA中，f = 100MHz的
该设备的跃迁频率
电气特性曲线
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1k
500
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
l
C
/l
B
=20
直流电流增益：H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
Ta=100°C
25°C
40°C
Ta=100°C
25°C
40°C
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
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晶体管
EMH3 / UMH3N / IMH3A
通用（双数字晶体管）
EMH3 / UMH3N / IMH3A
特点
1）在一个EMT或UMT或SMT两个DTAK13Ts芯片
封装。
2 ）安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 ）晶体管元件是独立的，从而消除
干扰。
外形尺寸
（单位：毫米）
EMH3
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
缩写符号： H3
ROHM ： EMT6
UMH3N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.8
1.1
(3)
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
0.95 0.95
1.9
2.9
0.2
(6)
1.25
2.1
等效电路
EMH3 / UMH3N
(3) (2)
R
1
(1)
0.15
(1)
以下特性适用于DTR
1
和DTR
2
.
0.1Min.
IMH3A
(4) (5)
R
1
(6)
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
DTR
1
DTR
2
R
1
(5)
DTR
2
R
1
(2)
DTR
1
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
缩写符号： H3
IMH3A
(1)
(6)
(4)
(6)
(3)
(4)
(5)
1.6
2.8
包装规格
包
CODE
TYPE
EMH3
UMH3N
IMH3A
基本订购
单位（件）
T2R
8000
TAPING
TN
3000
T110
3000
0.15
0.3to0.6
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
缩写符号： H3
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(3)
(2)
R
1
=4.7k
R
1
=4.7k
0.3
(1)
0.9
2.0
(5)
(2)
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晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集热器
动力
耗散
EMH3,UMH3N
IMH3A
Tj
TSTG
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
范围
50
50
5
100
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
150
55~+150
°C
°C
单位
V
V
V
mA
mW
EMH3 / UMH3N / IMH3A
1
2
结温
储存温度
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
100
3.29
典型值。
250
250
4.7
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
6.11
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=5mA/0.25mA
V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10毫安，我
E
= -5mA中，f = 100MHz的
该设备的跃迁频率
电气特性曲线
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1k
500
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
l
C
/l
B
=20
直流电流增益：H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
Ta=100°C
25°C
40°C
Ta=100°C
25°C
40°C
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
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