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订购数量: EISB * 0008
超薄微型封装
ISB-A40-0
概观
反向电流流预防
对于手机充电器电路SBD × 4
ISB的- A40-0包括四个芯片的肖特基势垒二极管所必需的,用于防止反向电流流
在充电器电路。该IC是最佳的高密度安装和电子产品的小型化。
应用
用于便携式电子设备的电池充电器电路
特点
集成的30V / 1A和30V / 200mA可分别为两个芯片。
微型封装使得这种集成电路适用于电子器件和高密度安装的小型化。
特定网络阳离子
最大额定值
在Ta = 25℃
国内
设备
D1, D2
参数
反向重复峰值电压
平均输出电流
D3, D4
反向重复峰值电压
平均输出电流
允许功耗
符号
VRRM
IO
VRRM
IO
PD - D1 , 2
PD- D3 , 4
TSTG
*
*
条件
评级
30
1.0
30
200
0.55
0.4
-40到+125
单位
V
A
V
mA
W
W
°C
存储环境温度
*
元素装在40毫米× 40毫米× 1.0毫米FR4指定板时的值。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有,关于产品
"standard application" ,意为用作一般电子设备(家电,影音设备,
通信设备,办公自动化设备,工业设备等)。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" (医疗设备,其目的是维持生命,航天
仪器,核控制设备,燃烧设备,交通运输设备,交通信号控制系统,安全
设备等)应要求可靠性非常高的水平,可以直接威胁到人的生命的情况下,
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中,也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围,请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询,我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能,特点,以及在独立的状态下所描述的产品的功能,并且不
的性能,特点,以及所述产品的功能,作为安装在保证
客户
'
产品或设备。要验证的症状,并且不能在一个独立的评估状态
设备,客户必须不断的评估和测试设备安装在客户
'
生产的产品或
设备。
80807HKIM No.0008-1 / 4
ISB-A40-0
电气特性
工作特性
在Ta = 25℃
国内
设备
D1, D2
参数
反向电压
正向电压
符号
VR
VF1
VF2
反向电流
D3, D4
反向电压
正向电压
反向电流
IR
VR
VF
IR
条件
IR=0.5mA
IF=0.7A
IF=1.0A
VR=16V
IR=50A
IF=200mA
VR=15V
1
30
0.55
5
30
0.45
0.48
1.8
0.51
0.54
15
评级
典型值
最大
V
V
V
A
V
V
A
单位
包装尺寸
单位:mm
2.8
0.75
2.55
0.6
0.1
0.4 0.5
0.275
0.5
0.5
0.5
1
2
6
3
7
10
4
8
11
15
19
0.5
5
9
12
16
0.5
0.5
13
17
14
18
0.5
0.3
引脚分配图
1
5
9
12
16
4
8
11
15
19
1
5
9
12
16
D1-Anode
D1-Anode
NC
D2-Anode
D2-Anode
D2-Cathode
D2-Cathode
D2-Cathode
D2-Cathode
D1-Cathode
D1-Cathode
D1-Cathode
D1-Cathode
D4-Anode
D3-Cathode
D3-Cathode
D3-Anode
D4-Cathode
D4-Cathode
4
8
11
15
19
等效电路图
2, 3
6, 7
13, 14
17, 18
4, 8
15, 19
D1
D2
D3
D4
1, 5
12, 16
11
10
No.0008-2/4
ISB-A40-0
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
I F - VF
[D1,D2]
10000
I R - VR
125
°C
100°C
[D1,D2]
1000
反向电流, IR -
A
正向电流IF - 一个
25
°
C
100
75
°
C
50
°
C
25
°
C
50
°
C
100
°
C
75
°
C
0
°
C
10
0.1
7
5
3
2
0.01
0
1.0
125
°
C
-35
°
C
0
°
C
0.1
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
ISB00044
0
10
20
30
40
ISB00045
正向电压VF - V
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
0
0.2
0.4
0.6
反向电压VR - V
1000
I F - VF
[D3,D4]
I R - VR
125°C
[D3,D4]
100
反向电流, IR -
A
正向电流IF - 一个
25
°
C
100
°
C
50
°
C
10
75
°
C
50
°
C
75
°
C
0
°
C
1.0
100
°
C
25
°
C
0.1
125
°
C
35°
C
0
°
C
0.01
0.8
ISB00046
0
10
20
30
40
ISB00047
正向电压VF - V
0.7
钯最大 - TA
反向电压VR - V
0.5
[D1,D2]
钯最大 - TA
[D3,D4]
功耗,钯最大 - 含
功耗,钯最大 - 含
0.6
0.55
0.5
当安装时的元件的值
在40毫米× 40毫米× 1.0毫米
FR4板指定。
0.4
当安装时的元件的值
在40毫米× 40毫米× 1.0毫米
FR4板指定。
0.4
0.3
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
ISB00048
0
0
25
50
75
100
125
150
ISB00049
环境温度,钽 - °C
环境温度,钽 - °C
No.0008-3/4
ISB-A40-0
<Manufactured by>
ISB管理部,自定义模块事业部,电子设备
公司组件&设备集团,三洋电机有限公司
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数) 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品,然而,任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的,这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件,危及人的生命,这可能会引起麻烦
烟雾或火灾,事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用
安全的措施,确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路,电路错误预防安全的设计,多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制,这些产品可能需要
从有关根据上述法律,当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,或其他方式,
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品,既没有担保也没有牌照,应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品提intellctual产权
以上。
该目录规定的8月, 2007年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.0008-4 / 4
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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