IS93C46D
1千比特串行电
可擦除PROM
特点
行业标准的Microwire接口
- 非易失性数据存储
- 宽电压工作：
VCC = 1.8V至5.5V
- 全TTL兼容的输入和输出
- 自动增量为有效的数据转储
用户配置的内存组织
- 通过16位或8位
硬件和软件写保护
- 默认是禁止写入的电状态
- 软件设置为写使能/禁用
增强的低电压CMOS ê
2
舞会
技术
多功能，易于使用的界面
- 自定时编程周期
- 自动擦除前写
- 编程状态指示灯
- Word和芯片擦除
- 片选使积蓄力量
可靠耐用
- 40年的数据保存后， 1M的写周期
- 1百万次写周期
- 无限的读周期
- 施密特触发器输入
无铅可
初步信息
2007年1月
描述
该IS93C46D是1KB的非易失性， ISSI
串行
EEPROM 。它是使用一种增强制造
CMOS设计和工艺。该IS93C46D
包含低功耗存储器读/写，并
组织的128个字节的8比特或64个字
16位。当ORG引脚连接到Vcc
或悬空， X16被选中;当它是
连接到地，×8被选择。
指令集定义的操作
设备，包括读，写，和模式启用
功能。为了防止意外的数据
修改，所有的擦除和写入指令
只有接受而写使能设备。一
选择X8字节或x16字可以被修改
一个写入或擦除指令。
此外，这两个指令写入所有或
删除所有可以设定整个数组。一旦
设备开始其自定时程序的过程，
数据输出引脚（ DOUT）可以指示READY /
忙
通过提高芯片选择（ CS ）的状态。自我
定时写周期包括一个自动使用擦除
之前写的能力。该装置可输出任何
连续的字节/字使用单数
读指令。
功能框图
DUMMY
位
读/写
安培
指令
DECODE ，
控制，
和
时钟
GENERATION
地址
注册
地址
解码器
EEPROM
ARRAY
128x8
64x16
数据
注册
D
IN
指令
注册
D
OUT
CS
SK
写
启用
高压
发电机
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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IS93C46D
销刀豆网络gurations
8引脚DIP
8引脚SOIC JEDEC的“GR ”
8 ，垫DFN
CS 1
CS
SK
D
IN
D
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
CS
SK
D
IN
D
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
8 VCC
7 NC
6 ORG
5 GND
SK 2
D
IN
3
D
OUT
4
（ TOP VIEW ）
引脚说明
CS
SK
D
IN
D
OUT
ORG
NC
VCC
GND
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
组织选择
没有连接
动力
地
指令用的逻辑一个起始位开始为“1”或
HIGH 。以下这是操作码（2位） ，
地址字段（ 6或7位） ，和数据，如果适当的话。该
时钟信号可以在任何时候保持稳定
暂停装置在其最后的状态，让时钟 -
速度的灵活性。当总线完成
通信， CS会被拉低。该装置
然后会进入待机模式，如果没有内部
程序正在进行中。
读（ READ ）
READ指令是输出的唯一指令
在D的串行数据
OUT
引脚。读出指令之后和
地址已被解码时，数据被从转
选中的存储寄存器为串行移位寄存器。 （请
注意，一个逻辑“0”位之前的实际8位或16位
输出数据串。 ） D上的输出
OUT
期间的变化
低到高的SK的过渡（参见图3） 。
应用
该IS93C46D是在许多应用中非常受欢迎
需要低功率，低密度存储。
使用这种设备的应用包括工业
控制，网络，和许多其他消费
电子产品。
低电压读
该IS93C46D已被设计，以确保数据的读
操作是可靠的低压环境。他们
提供准确的Vcc操作低至1.8V 。
耐力和数据保留
该IS93C46D是专为需要多达应用
1M编程周期（ WRITE ， WRALL ， ERASE和
ERAL ） 。它提供了40年安全数据保留不
1M的编程周期执行后的力量。
自动递增读操作
中的存储器传输操作应用的兴趣，
该IS93C46D已被设计为输出一连续
的存储器内容以响应一个读操作流
操作指令。利用这一功能时，系统
断言的读出指令指定起始位置AD-
装扮。一旦8位或16位寻址的寄存器有
已同步输出，在数据连续较高地址
位置被输出。该地址将环绕continu-
ously在CS为高电平，直到片选（ CS ）的控制引脚
拉低。这允许对单个指令数据转储
以用最少的开销固件来执行。
设备操作
该IS93C46D由一组指令来控制
这是主频，在连续的DIN引脚。前
每个低到高的时钟转变（ SK） ，CS引脚
必须已经提升到很高，而且声浪
值必须稳定在低或高。每
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IS93C46D
写使能（ WEN ）
写使能（ WEN ）指令必须执行
任何器件编程之前（ WRITE ， WRALL ，擦除，
艾莱依）可以做到的。当VCC应用，该器件
权力在写禁用状态。然后设备
仍处于写禁止状态，直到闻指令
执行。此后，该装置保持启用状态，直到
WDS的指令被执行或直到Vcc的被除去。 （见
图4 ） （注：片选必须保持低电平，直到Vcc的
达到其操作价值。 ）
写入所有（ WRALL ）
写所有（ WRALL ）指令的程序与所有的寄存器
在该指令中指定的数据模式。作为与
WRITE指令， CS的下降沿必须发生
启动自定时编程周期。如果CS是那么
200 ns的最短等待（T之后变为高电平
CS
） ，则D
OUT
引脚指示芯片的READY / BUSY状态（见
图6）。 Vcc的需要为高于4.5V为WRALL到
正常工作。
写禁止（ WDS ）
写禁止（ WDS ）指令禁止所有的编程
的能力。这可以防止邮轮业咨询委员会对整个设备
数据牙科修改，直到闻指令
执行。 （当VCC应用，这部分力量在该
写禁用状态。 ）来保护数据，一个WDS指令
每个编程完成时应该执行
操作。
写（ WRITE）
WRITE指令包括8位或16位数据成为
写入指定的寄存器中。在最后一个数据位有
被加到D
IN
和SK的下一个上升沿之前，
CS必须被拉低。如果是写启用的设备，
那么CS下降沿启动自定时编程
明周期（见文） 。
如果CS变为高电平，为200 ns最小的等待之后（ 5V
操作）的CS的下降沿（吨后
CS
) D
OUT
将指示
芯片的就绪/忙状态。逻辑“0”表示
程序仍在进行中;逻辑“1”指的
选择的寄存器写入，以及部分准备
其它的指令（参见图5） 。该READY / BUSY
一） CS输入变高：如果状态将不可用
的自定时编程周期，T结束后
WP
;或b）
同时CS为高电平时， Din为高电平，和SK变
高，从而清除状态标志。
清除寄存器（ ERASE ）
擦除指令输入后， CS必须带
低。 CS的下降沿启动自定时内部
编程周期。最低后使CS高
t
CS
，会造成
OUT
来指示该读/ BUSY状态
芯片：一个逻辑“0”表示编程仍在进行中;
一个逻辑“1”表示在擦除周期完成，并且
部准备其它的指令（参见图8） 。
清除所有（ ERAL ）
整片擦除提供了易于编程。删除
整个芯片包括设置在整个内存中的所有位
阵列到一个逻辑“1” （见图9） 。 Vcc的需要是
高于4.5V的ERAL才能正常工作。
指令集 - IS93C46D （ 1K位）
8位组织
（ ORG = GND）
地址
(1)
输入数据
(A
6
-A
0
)
11xxxxx
(A
6
-A
0
)
01xxxxx
00xxxxx
(A
6
-A
0
)
10xxxxx
—
—
(D
7
-D
0
)
(D
7
-D
0
)
—
—
—
16位组织
（ ORG = VCC）
地址
(1)
输入数据
(A
5
-A
0
)
11xxxx
(A
5
-A
0
)
01xxxx
00xxxx
(A
5
-A
0
)
10xxxx
—
—
(D
15
-D
0
)
(D
15
-D
0
)
—
—
—
指令
(2)
读
文
（写使能）
写
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
01
00
00
11
00
WRALL
（写所有寄存器）
WDS
（写禁止）
抹去
ERAL （
清除所有寄存器）
注意事项：
1， X =无关位。
2.如果比特数计时，在不匹配对应于所选择的命令的数量，所有额外的尾随位被忽略，
写字， WRALL ， ERASE ， ERAL也将被忽略，读，文， WDS被接受。
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IS93C46D
绝对最大额定值
(1)
符号
V
S
V
P
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
参数
电源电压
任何引脚电压
在偏置温度
储存温度
输出电流
价值
-0.5到+6.5
-0.5 VCC + 0.5
-55到+125
-65到+150
5
单位
V
V
°C
°C
mA
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
工作范围
范围
产业
汽车
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
1.8V至5.5V
2.5V至5.5V
注意：
ISSI提供工业级的商业应用（ 0
o
C至+70
o
C)
电容
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
5
单位
pF
pF
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DC电气特性
T
A
= -40 ° C至+ 85°C工业和-40 ° C至+ 125°C汽车。
符号
V
OL2
V
OL1
V
OH2
V
OH1
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
注意事项：
有汽车级器件在此表与VCC = 2.5V至5.5V和4.5V至5.5V测试。未指定与Vcc的<2.5V的操作。
参数
输出低电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
测试条件
I
OL
= 100 A
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –100 A
I
OH
= –400 A
VCC
1.8V至2.7V
2.7V至5.5V
1.8V至2.7V
2.7V至5.5V
1.8V至2.7V
2.7V至5.5V
1.8V至2.7V
2.7V至5.5V
分钟。
—
—
V
CC
– 0.2
2.4
0.7
X
V
CC
2.0
–0.3
–0.3
0
0
马克斯。
0.2
0.4
—
—
V
CC
+1
V
CC
+1
0.2
X
V
CC
0.8
2.5
2.5
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
V
IN
= 0V至V
CC
（ CS ， SK ，D
IN
， ORG ）
V
OUT
= 0V至V
CC
， CS = 0V
电源特性
T
A
= -40 ° C至+ 85°C工业， -40 ° C至+ 125°C汽车。
符号
I
CC
1
参数
读VCC电源电流
测试条件
CS = V
IH
， SK = 1 MHz时， CMOS输入电平
CS = V
IH
， SK = 2 MHz时， CMOS输入电平
CS = V
IH
， SK = 2 MHz时， CMOS输入电平
CS = V
IH
， SK = 1 MHz时， CMOS输入电平
CS = V
IH
， SK = 2 MHz时， CMOS输入电平
CS = V
IH
， SK = 2 MHz时， CMOS输入电平
CS = GND ， SK = GND
ORG = VCC或浮动（ X16 ）
D
IN
= VCC或GND
CS = GND ， SK = GND
ORG = GND （ X8 ）
D
IN
= VCC或GND
VCC
1.8V
2.5V
5.0V
1.8V
2.5V
5.0V
1.8V
2.5V
5.0V
1.8V
2.5V
5.0V
分钟。典型值。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.1
0.2
0.5
0.5
1
2
0.1
0.1
0.2
6
6
10
1
1
2
1
2
3
1
2
4
10
10
15
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
A
A
I
CC
2
写VCC电源电流
I
SB
1
待机电流
I
SB
2
待机电流
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