CMOS SyncBiFIFO
256 ×18× 2和512 ×18× 2
集成设备技术有限公司
IDT72605
IDT72615
产品特点：
两个独立的FIFO存储器的完全双向
数据传输
256 ×18× 2组织（ IDT 72605 ）
512 ×18× 2组织（ IDT 72615 ）
同步接口快（ 20ns的）读写
周期时间
每个数据端口具有独立的时钟和读/写
控制
输出使能设置每个端口的三态
数据总线的控制
对于两者之间的直接数据传输内置旁路路径
端口
两个固定的标志，空和满的，为A到B和两个
B超来-A FIFO
可编程偏移的标志可以被设置为在任何深度
FIFO
同步BiFIFO封装在一个64引脚TQFP
（薄型四方扁平封装） ， 68针PGA和68引脚PLCC
工业级温度范围（ -40℃至+ 85℃ ）是可用
能，测试军事电气规范
描述：
该IDT72605和IDT72615非常高速，低
电源双向先入先出（ FIFO ）存储器，具有
同步接口快速读取和写入周期。该
SyncBiFIFO 是可存储或检索的数据缓冲器
同时从两个来源的信息。两个双端口
FIFO存储器阵列包含在SyncBiFIFO ;一
数据缓冲器，用于每个方向。
该SyncBiFIFO对所有输入和输出寄存器。
数据只传送到时钟边沿的I / O寄存器，
因此该接口是同步的。每个端口都有自己的
独立的时钟。数据传输到I / O寄存器
由使能信号选通。对于每个传输方向
端口是由读/写信号独立地进行控制。 Individ-
UAL的输出使能信号控制SyncBiFIFO是否是
开着口的，还是那些数据线数据线
在一个高阻抗状态。
旁路控制允许数据直接从转移
输入到输出寄存器中的任一方向。
该SyncBiFIFO有八个标志。标志引脚都满了，
空，几乎满了，而且几乎空了两个FIFO memo-
里斯。的几乎全和几乎空的偏移深度
标志可被编程到任何位置。
该SyncBiFIFO采用IDT的高速无中生有，
亚微米CMOS技术。
功能框图
D
A0
-D
A17
R/
W
A
EN
A
OE
A
高
Z
控制
CLK
A
输入寄存器
输出寄存器
MUX
内存
ARRAY
512 x 18
256 x 18
MUX
内存
ARRAY
512 x 18
256 x 18
RESET
逻辑
CS
A
A
2
A
1
A
0
P
接口
旗
逻辑
RS
EF
BA
PAE
BA
PAF
BA
FF
BA
3
7
EF
AB
PAE
AB
PAF
AB
FF
AB
旗
逻辑
动力
供应
输入寄存器
V
CC
GND
CLK
B
输出寄存器
高
Z
控制
OE
B
R/
W
B
EN
B
BYP
B
商业温度范围
1996
集成设备技术有限公司
D
B0
-D
B17
2704 DRW 01
SyncBiFIFO是商标和IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
1996年12月
DSC-2704/5
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
5.18
1
IDT72605 / IDT72615 CMOS SyncBiFIFO
256 ×18× 2和512 ×18× 2
商业级温度范围
销刀豆网络gurations
11
10
09
D
B1
D
B3
D
B2
D
B0
D
B4
GND
D
B5
D
B6
D
B7
D
B8
D
B9
V
CC
D
B11
D
B13
GND
D
B12
D
B14
D
B15
D
B16
D
B17
GND
B10
RS
OE
A
08 R/
W
B
CLK
B
07
PAE
AB
PAF
AB
EF
AB
FF
AB
G68-1
A
2
A
0
引脚1代号
OE
B
EN
B
BYP
B
06 GND
05
04
03
02
01
A
V
CC
A
1
PAE
BA
PAF
BA
EF
BA
FF
BA
D
A1
D
A2
D
A0
D
A3
D
A4
B
GND
D
A5
C
D
A6
D
A7
D
D
A8
D
A9
E
GND
A10
V
CC
F
PGA
顶视图
EN
A
CS
A
CLK
A
R/
W
A
D
A12
D
A14
D
A16
D
A13
GND
A15
H
J
K
L
2704 DRW 02
D
A17
D
A11
G
D
A16
D
A17
CLK
A
读/写
A
EN
A
CS
A
A
0
A
1
A
2
V
CC
EF
AB
FF
AB
PAE
AB
PAF
AB
OE
A
D
B17
D
B16
9 8 7 6 5 4 3 2
68 67 66 65 64 63 62 61
1
10
60
11
59
12
58
57
13
56
14
55
15
54
16
53
17
J68-1
52
18
51
19
50
20
49
21
48
22
47
23
46
24
45
25
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
D
B15
GND
D
B14
D
B13
D
B12
D
B11
D
B10
V
CC
GND
D
B9
D
B8
D
B7
D
B6
D
B5
GND
D
B4
D
B3
D
A15
GND
D
A14
D
A13
D
A12
D
A11
D
A10
V
CC
GND
D
A9
D
A8
D
A7
D
A6
D
A5
GND
D
A4
D
A3
D
A2
D
A1
D
A0
EF
BA
FF
BA
PAE
BA
PAF
BA
GND
BYP
B
OE
B
EN
B
读/写
B
CLK
B
RS
D
B0
D
B1
D
B2
2704 DRW 03
PLCC
顶视图
5.18
2
IDT72605 / IDT72615 CMOS SyncBiFIFO
256 ×18× 2和512 ×18× 2
商业级温度范围
销刀豆网络gurations
EF
BA
FF
BA
PAE
BA
PAF
BA
BYB
B
OE
B
EN
B
R/
W
B
CLK
B
GND
DA
1
DA
0
DB
0
DB
1
销1
64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49
DA
2
DA
3
DA
4
DA
5
DA
6
DA
7
DA
8
DA
9
GND
VCC
DA
10
DA
11
DA
12
DA
13
DA
14
DA
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
PN64-1
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
DB
3
DB
4
GND
DB
5
DB
6
DB
7
DB
8
DB
9
DB
10
DB
11
DB
12
DB
13
DB
14
GND
DB
15
DB
16
R/
W
A
EN
A
CS
A
EF
AB
FF
AB
PAE
AB
PAF
AB
OE
A
A
0
A
1
CLK
A
A
2
DA
16
DA
17
V
CC
RS
DB
17
DB
2
2704 DRW 04
TQFP
顶视图
5.18
3
IDT72605 / IDT72615 CMOS SyncBiFIFO
256 ×18× 2和512 ×18× 2
商业级温度范围
引脚说明
符号
D
A0
-D
A17
名字
数据
芯片的选择
读取/写入
I / O
I / O
I
I
描述
数据输入&输出为18位端口的总线。
该引脚控制端口A的若R的读或写方向/
W
A
为低电平时，数据的输入数据
写入端口A.如果R /
W
A
为高电平时，数据的输出数据从端口A读在旁路模式下，
当R /
W
A
为低电平时，消息被写入A→B输出寄存器。如果R /
W
A
为高电平时，消息
从B读出→ A输出寄存器。
CLK
A
通常是一个自由运行的时钟。数据被读取或写入端口A的上升沿
CLK
A
.
当
EN
A
是LOW时，数据可以被读出或写入到端口A.当
EN
A
为高电平时，没有数据
转让发生。
当R /
W
A
为高电平时， A口为输出的总线和
OE
A
控制的高阻抗状态
D
A0
-D
A17
。如果
OE
A
为高电平时，端口A处于高阻状态。如果
OE
A
低，而
CS
A
is
LOW和R /
W
A
为高电平时，端口A处于活动状态（低阻抗）的状态。
数据输入&输出为18位端口B总线。
该引脚控制端口B的若R的读或写方向/
W
B
为低时，数据B输入端的数据是
写入端口B.如果R /
W
B
为高电平时，数据B的输出数据从端口B读取在旁路模式下，
当R /
W
B
为低电平时，消息被写入B→A输出寄存器。如果R /
W
B
为高电平时，消息
从A→ B输出寄存器中读出。
时钟B通常是一个自由运行的时钟。数据被读出或写入到端口B的上升沿
CLK的
B
.
当
EN
B
是LOW时，数据可以被读出或写入到端口B.当
EN
B
为高电平时，没有数据
转让发生。
当R /
W
B
为高电平时，端口B是一个输出总线和
OE
B
控制的高阻抗状态
D
B0
-D
B17
。如果OE
B
为高电平时，端口B处于高阻抗状态。如果
OE
B
为低，而R /
W
B
为高电平时，端口B处于活动（低阻抗）的状态。
当
EF
AB
为低电平时， A→B FIFO是空的，并从B口进一步的数据读取被禁止。
当
EF
AB
为高电平时， FIFO不为空。
EF
AB
同步于CLK的
B
。在旁路
模式，
EF
AB
高电平表示数据D
A0
-D
A17
可用于穿过。后
数据D
B0
-D
B17
已被读取，
EF
AB
变低。
端口A被访问时
CS
A
为LOW 。端口A是无效的，如果
CS
A
为高。
CS
A
R/
W
A
CLK
A
时钟A
允许A
输出使能A
I
I
I
EN
A
OE
A
A
0
, A
1
, A
2
地址
D
B0
-D
B17
R/
W
B
数据B
读/写B
I
I / O
I
当
CS
A
是断言，A
0
, A
1
, A
2
和R /
W
A
用于选择的六个内部资源之一。
CLK
B
时钟B
允许B
输出使能B
I
I
I
EN
B
OE
B
EF
AB
A→B空标志
O
PAE
AB
A-B
可编程
几乎空标志
A-B
可编程
几乎满标志
A→ B全旗
O
PAF
AB
当
PAE
AB
为低电平时， A→B FIFO几乎是空白。一个几乎是空的FIFO含有较少
大于或等于所述偏移编程到
PAE
AB
注册。当
PAE
AB
高，则
A→B的FIFO中包含多个抵消
PAE
AB
注册。默认偏移值
PAE
AB
寄存器是8 。
PAE
AB
同步于CLK的
B
.
O
FF
AB
当
PAF
AB
为低电平时， A→B FIFO满。一个几乎完整的发送FIFO中包含大于
FIFO的深度减去偏移编程到
PAF
AB
注册。当PAF
AB
高，
在A→B的FIFO含有小于或等于所述深度减去偏移中的PAF
AB
注册。
默认的偏移值PAF
AB
寄存器是8 。
PAF
AB
同步于CLK的
A
.
O
当
FF
AB
为低电平时， A→B FIFO满，并进一步数据写入端口A被禁止。
当
FF
AB
为高电平时， FIFO未满。
FF
AB
同步于CLK的
A
。在旁路模式下，
FF
AB
告诉A口，一个消息在等待端口B的输出寄存器。如果
FF
AB
为低时，一个
绕过邮件是在寄存器中。如果
FF
AB
为高电平时，端口B已读消息，另一
消息可以被写入到端口A的
EF
BA
B→A空标志
O
PAE
BA
B-A
可编程
几乎空标志
B-A
可编程
几乎满标志
O
PAF
BA
当
PAE
BA
为低电平时， B→A FIFO几乎是空白。一个几乎是空的FIFO含有较少
大于或等于所述偏移编程到
PAE
BA
注册。当
PAE
BA
高，则
B→A FIFO中包含多个抵消
PAE
BA
注册。默认偏移值
PAE
BA
寄存器是8 。
PAE
BA
同步于CLK的
A
.
当
EF
BA
为低电平时， B→A FIFO是空的，并从港口另有数据读取被禁止。
当
EF
BA
为高电平时， FIFO不为空。
EF
BA
同步于CLK的
A
。在旁路
模式，
EF
BA
高电平表示数据D
B0
-D
B17
可用于穿过。后
数据D
A0
-D
A17
已被读取，
EF
BA
在以下周期变成LOW 。
O
当
PAF
BA
为低电平时， B→A FIFO满。一个几乎完整的发送FIFO中包含大于
FIFO的深度减去偏移编程到
PAF
BA
注册。当
PAF
BA
高，
对B →A的FIFO中包含小于或等于该深度减去偏移
PAF
BA
注册。
默认偏移值
PAF
BA
寄存器是8 。
PAF
BA
同步于CLK的
B
.
2704 TBL 01
5.18
4
IDT72605 / IDT72615 CMOS SyncBiFIFO
256 ×18× 2和512 ×18× 2
商业级温度范围
引脚说明（续）
符号
名字
B→A满标志
I / O
O
描述
当
FF
BA
为低电平时， B→A FIFO满，并进一步数据写入端口B的抑制。
当
FF
BA
为高电平时， FIFO未满。
FF
BA
同步于CLK的
B
。在旁路模式下，
FF
BA
告诉B口，一个消息在等待一个端口的输出寄存器。如果
FF
BA
为低时，一个
绕过邮件是在寄存器中。如果
FF
BA
为高电平时， A口已阅读该邮件，另一个
消息可以被写入到端口B的
这个标志告诉端口B的同步BiFIFO处于旁路模式。当BYP
B
is
低，端口A已经放在FIFO进入旁路模式。如果
BYP
B
为高电平时，同步
BiFIFO传递数据到内存中。
BYP
B
同步于CLK的
B
.
的低电平引脚将执行所有同步BiFIFO功能复位。
有三个+ 5V电源引脚的PLCC和PGA封装，两个用于TQFP 。
有七种接地引脚的PLCC和PGA封装，四层为TQFP 。
2704 TBL 02
FF
BA
BYP
B
RS
V
CC
GND
端口B绕道
旗
RESET
动力
地
O
I
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
等级
端电压
对于
对地
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
直流输出电流
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
建议的直流
工作条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
(1)
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
4.5
0
2.0
—
5.0
0
—
—
5.5
0
—
0.8
V
V
V
V
2704 TBL 04
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
50
°C
°C
°C
mA
注意：
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
单位
10
10
pF
pF
2704 TBL 05
注意：
2704 TBL 03
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
注意事项：
1.输出取消。
2.特征值，而不是目前的测试。
DC电气特性
（商业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
IDT72615L
IDT72605L
广告
t
CLK
= 20 ， 25 ， 35 ，为50ns
典型值。
—
—
—
—
—
符号
I
IL
(1)
I
OL
(2)
V
OH
V
OL
I
CC
(3)
参数
输入漏电流（任何输入）
输出漏电流
输出逻辑"1"电压I
OUT
= -2mA
输出逻辑"0"电压I
OUT
= 8毫安
平均V
CC
电源电流
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
230
单位
A
A
V
V
mA
2704 TBL 06
注意事项：
1.测量与0.4V
≤
V
IN
≤
V
CC
.
2.
OEA
,
OEB
≥
V
IH
; 0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC
.
3.测试与产出开放。测试频率f = 20MHz的
5.18
5
QQ：2881677436 复制
