IS65WV25616ALL
IS65WV25616BLL
256K ×16低电压，超低
低功耗CMOS静态SRAM
特点
高速存取时间： 55ns ， 70ns的
CMOS低功耗运行
36毫瓦（典型值）的操作
9 μW （典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单电源供电
1.65V--2.2V V
DD
(65WV25616ALL)
2.5V--3.6V V
DD
(65WV25616BLL)
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
温度祭
选择A1 ： -40°C至+ 85°C
选择A2 ： -40°C至+ 105°C
选项A3 ： -40 ° C至+ 125°C
无铅可
ISSI
初步信息
2006年6月
描述
该
ISSI
IS65WV25616ALL / IS65WV25616BLL是高
高速，低功耗， 4M位的SRAM组织为256K字
由16位。它是使用制造
ISSI
的高性能
CMOS技术。这加上高度可靠的工艺
以创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
当
CS1
为高（取消），或者当
CS1
低，并
两
LB
和
UB
高，器件处于待机
模式，在该功率耗散可以减至
与CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
（WE）
同时控制写入和读取的存储器。一
数据字节允许最高字节
（ UB ）
和低位字节（LB）
访问。
该IS65WV25616BALL / 65WV25616BLL包装在
JEDEC标准44引脚TSOP （II型） 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CS1
OE
WE
UB
LB
控制
电路
25616LL_BLK.eps
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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1
IS65WV25616ALL ， IS65WV25616BLL
44针微型TSOP （ II型）
（封装代码T）
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
A4
A3
A2
A1
A0
CS1
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
A17
ISSI
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
CS1
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
25616T.eps
真值表
模式
未选择
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
CS1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
读
写
I
CC
2
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IS65WV25616ALL ， IS65WV25616BLL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
V
DD
与GND
储存温度
功耗
价值
-0.2到V
DD
+0.3
-0.2到V
DD
+0.3
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
ISSI
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这
是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件的说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
工作范围（V
DD
)
范围
A1
A2
A3
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 125°C
IS65WV25616ALL
1.65V - 2.2V
1.65V - 2.2V
1.65V - 2.2V
IS65WV25616BLL
2.5V-3.6V
2.5V-3.6V
2.5V-3.6V
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
DD
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
分钟。
1.4
2.2
—
—
1.4
2.2
–0.2
–0.2
–2
–2
马克斯。
—
—
0.2
0.4
V
DD
+ 0.2
V
DD
+ 0.3
0.4
0.6
2
2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -1.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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3
IS65WV25616ALL ， IS65WV25616BLL
IS65WV25616ALL ，电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
CC
1
参数
V
DD
工作动态
电源电流
工作电源
当前
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
CS1
= 0.2V
WE
= V
DD
-0.2V
f=1
兆赫
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IH
， F = 1 MH
Z
OR
ULB控制
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
V
DD
=最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
V
DD
=最大，
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
OR
ULB控制
V
DD
=最大，
CS1
= V
IL
,
V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ;
UB
/
LB
= V
DD
– 0.2V
A1
A2
A3
15
30
50
A
A1
A2, A3
A1
A2, A3
A1
A2, A3
马克斯。
70
25
30
10
15
0.5
0.6
单位
mA
mA
ISSI
I
SB
1
mA
IS65WV25616BLL ，电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
CC
1
参数
VDD工作动态
电源电流
工作电源
当前
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
CS1
= 0.2V
WE
= V
DD
-0.2V,
f=1
兆赫
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IH
， F = 1 MH
Z
OR
A1
A2, A3
A1
A2, A3
A1
A2, A3
马克斯。
55
40
—
15
—
0.45
—
马克斯。
70
—
40
—
20
—
0.45
单位
mA
mA
I
SB
1
mA
ULB控制
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
V
DD
=最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
V
DD
=最大，
A1
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
A2
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
A3
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
OR
V
DD
=最大，
CS1
= V
IL
,
V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ;
UB
/
LB
= V
DD
– 0.2V
20
—
—
—
55
90
A
ULB控制
4
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IS65WV25616ALL ， IS65WV25616BLL
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
ISSI
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
IS65WV25616ALL
（单元）
0.4V至V
DD
-0.2V
5纳秒
V
REF
参见图1和2
IS65WV25616BLL
（单元）
0.4V至V
DD
-0.3V
5ns
V
REF
参见图1和2
IS65WV25616ALL
1.65V-2.2V
R1(Ω)
Ω)
R2(Ω)
Ω)
V
REF
V
TM
3070
3150
0.9V
1.8V
IS65WV25616BLL
2.5V - 3.6V
3070
3150
1.5V
2.8V
AC测试负载
R1
VTM
VTM
R1
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
62WV5126ALL tst1a.eps
25616l_tst1c.eps
图1
图2
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5
QQ：2880707522 复制
