256KB和512KB二级
CACHE模块进行
的PowerPC
集成设备技术有限公司
IDT7MPV6253
IDT7MPV6255/56
特点
对于基于CHRP的PowerPC 系统。
异步和流水线突发SRAM选项中
同一模块的引脚
低成本，小尺寸与178导线卡边缘模块
使用的Burndy Computerbus 连接器，零件号
ELF182KSC-3Z50
与外部的PowerPC CPU以速度可达
66MHz
独立的5V （ ± 5 ％）和3.3V （ + 10 / -5 ％ ）的电源
多GND引脚和去耦电容的马克西 -
妈妈噪声抗扰度
设备检测输出引脚允许系统来确定
开采的特定缓存配置。
×8的异步静态RAM和IDT7MPV6255 / 56使用
IDT的71V432 32K ×32流水线同步突发静态
在塑料表面贴装的RAM安装在一个包
多层环氧树脂层压板（ FR - 4 ）板。此外，每个
该模块采用了IDT 71216 16K ×15高速缓存，静态标签
RAM和IDT FCT逻辑。极高的速度实现
采用IDT的高可靠性，低成本的CMOS技术。
由于采用了扁平卡边包允许178信号线
被放置在封装5.06"长，最多0.250"
厚和最多1.08"高大。该模块节省空间
与分立元件允许OEM设计额外
tional功能集成到系统或缩小的尺寸
主板降低了成本。
所有输入和输出都是LVTTL兼容和操作
从单独的5V （ ± 5 ％）和3.3V （ + 10 / -5 ％）的电源。
多GND引脚和板上去耦电容恩
噪音确保最大程度的保护。
描述
该IDT7MPV6253 / 56分之55模块属于一个家族的
适用于使用PowerPC CPU-利用二次缓存
基础的系统。该IDT7MPV6253采用IDT的71V256 32K
功能框图
IDT7MPV6253 - 256KB异步版本
A
14
- A
26
ALE
ADDR
A0
ADDR
A1
SRAM OE
1
WE＃
0
32K ×8
异步
SRAM
32K ×8
异步
SRAM
32K ×8
异步
SRAM
32K ×8
异步
SRAM
8
13
LATCH
13
PD
0
PD
1
PD
2
ADDR
A0
ADDR
A1
SRAM OE
0
DH
0
- 卫生署
7
WE＃
4
32K ×8
异步
SRAM
32K ×8
异步
SRAM
32K ×8
异步
SRAM
32K ×8
异步
SRAM
8
PD
3
DL
0
- DL
7
WE＃
1
8
DH
8
- 卫生署
15
WE＃
5
8
DL
8
- DL
15
WE＃
2
8
DH
16
- 卫生署
23
WE＃
6
8
DL
16
- DL
23
WE＃
3
待机
A
14
- A
26
TWE ＃
TOE ＃
待机
TCLR ＃
Tvalid
DIRTYIN
CLK
2
13
8
DH
24
- 卫生署
31
WE＃
7
待机
12
8
DL
24
- DL
31
A
2
- A
13
TMATCH
8K ×12
TAG场
8K ×2
状态
DIRTYOUT
DRW 01
IDT标志是集成设备技术公司的注册商标。 PowerPC是IBM公司的注册商标。 Computerbus是的Burndy的商标。
商业级温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1996年6月
DSC-3608/2
1
IDT7MPV6253/55/56
256KB / 512KB CMOS二级缓存模块，用于PowerPC的
商业级温度范围
功能框图
IDT7MPV6255 - 256KB PIPELINED BURST版
WE＃
0
WE＃
1
WE＃
2
WE＃
3
CLK
1
CLK
0
WE＃
4
WE＃
5
WE＃
6
WE＃
7
SRAM OE ＃ 0
SRAM ADS ＃ 0
CNT EN ＃ 0
待机
突发模式
A
14
- A
28
15
32K ×32
流水线
BURST
SRAM
32
DH
0
-
31
32K ×32
流水线
BURST
SRAM
32
DL
0
-
31
PD
0
PD
1
PD
2
PD
3
A
14
- A
26
TWE ＃
TOE ＃
待机
TCLR ＃
Tvalid
DIRTYIN
CLK
2
13
12
A
2
- A
13
TMATCH
8K ×12
TAG场
8K ×2
状态
DIRTYOUT
DRW 02
建议的直流
工作条件
符号
V
CC3
V
CC5
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
电源电压
输入高电压
分钟。
3.14
4.75
0
2.2
典型值。
3.3
5.0
0
—
—
马克斯。
3.6
5.25
0.0
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
V
TBL 01
绝对最大额定值
符号
等级
价值
-0.5到+4.6
0至+70
-10至+85
-55到+125
50
单位
V
°C
°C
°C
mA
V
TERM
对于终端电压
对于V
CC3
到GND
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
工作温度
在偏置温度
储存温度
直流输出电流
输入低电压-0.5
(1)
注意：
1. V
IL
= -1.0V为脉冲宽度小于5ns的，每秒一次循环。
推荐工作
温度和电源电压
电源平面
V
CC3
V
CC5
环境温度
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
3.3V +10/-5%
5.0V
±
5%
TBL 02
注意：
TBL 03
应力超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
SRAM的访问次数
模块速度
66MHz
Asych
15ns
BURST
(1)
8.5ns
标签
10ns
TBL 04
注意：
1.突发SRAM是由时钟到数据输出（T测
CD
).
2
IDT7MPV6253/55/56
256KB / 512KB CMOS二级缓存模块，用于PowerPC的
商业级温度范围
功能框图
IDT7MPV6256 - 512KB PIPELINED BURST版
WE＃
0
WE＃
1
WE＃
2
WE＃
3
CLK
1
WE＃
4
WE＃
5
WE＃
6
WE＃
7
CLK
0
SRAM OE ＃ 0
SRAM ADS ＃ 0
CNT EN ＃ 0
待机
突发模式
A
13
- A
28
16
32K ×32
流水线
BURST
SRAM
32
WE＃
0
WE＃
1
WE＃
2
WE＃
3
CLK
1
WE＃
4
WE＃
5
WE＃
6
WE＃
7
CLK
0
32K ×32
流水线
BURST
SRAM
32
DH
0
-
31
32K ×32
流水线
BURST
SRAM
32K ×32
流水线
BURST
SRAM
DH
0
-
31
32
32
DL
0
-
31
SRAM OE ＃ 1
SRAM ADS ＃ 1
CNT EN ＃ 1
待机
突发模式
DL
0
-
31
A
13
- A
26
TWE ＃
TOE ＃
待机
TCLR ＃
Tvalid
DIRTYIN
CLK
2
14
12
A
1
- A
12
TMATCH
16K ×12
TAG场
16K ×2
状态
PD
0
PD
1
PD
2
PD
3
DIRTYOUT
DRW 03
电容（ IDT7MPV6253 ）
(1)
(T
A
= + 25°C ， F = 1.0兆赫）
符号
参数
(1)
C
IN1
输入电容
（地址）
输入电容
C
IN2
（地址
0-1
)
C
IN3
输入电容
（ OE ＃ ）
输入电容
C
IN4
（ WE＃ ， ＃ TWE ）
C
I / O
I / O容量
条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
15
25
45
8
10
单位
pF
pF
pF
pF
pF
TBL 05
电容（ IDT7MPV6255 / 56 ）
(1)
(T
A
= + 25°C ， F = 1.0兆赫）
符号
参数
(1)
C
IN1
输入电容
（地址）
输入电容
C
IN2
（地址
0-1
)
C
IN3
输入电容
（ OE ＃ ）
输入电容
C
IN4
（ WE＃ ， ＃ TWE ）
C
I / O
I / O容量
条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
20
—
15
8
10/20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
TBL 06
注意事项：
1，这些参数由设计保证，但未经测试。
注意事项：
1，这些参数由设计保证，但未经测试。
3
IDT7MPV6253/55/56
256KB / 512KB CMOS二级缓存模块，用于PowerPC的
商业级温度范围
引脚配置
(1)
GND
PD
1
PD
3
DH
31
DH
29
DH
27
DH
25
V
CC3
SRAM WE
3
DH
23
DH
21
DH
18
GND
DH
16
SRAM WE
2
DH
14
DH
13
VCC
5
DH
10
DH
8
SRAM WE
1
DH
6
VCC
3
DH
4
GND
CLK
0
GND
DH
1
SRAM WE0
DL
31
DL
30
GND
DL
29
DL
27
DL
25
V
CC5
SRAM WE
7
DL
23
DL
21
DL
19
GND
DL
17
SRAM WE
6
DL
15
DL
13
GND
DL
10
DL
8
SRAM WE
5
DL
6
V
CC3
DL
5
DL
2
GND
(1)
CLK
3
GND
(1)
CLK
4
GND
SRAM WE
4
(3,4)
SRAM ALE
V
CC3
(3,4)
ADDR
1
(1)
RSVD
(2)
SRAM CNT EN
0
(2,3)
SRAM CNT EN
1
A
27
A
24
A
22
A
20
GND
A
18
A
16
A
15
A
14
V
CC3
A
10
A
8
A
6
GND
A
4
A
2
(2,3)
A
1
突发模式
V
CC5
标签有效
TAG WE
待机
DIRTYOUT
GND
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
167
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
GND
PD
0
PD
2
DH
30
DH
28
DH
26
DH
24
V
CC3
DP
3
(1)
DH
22
DH
20
DH
19
GND
DH
17
DP
2
(1)
DH
15
DH
12
V
CC5
DH
11
DH
9
DP
1
(1)
DH
7
V
CC3
DH
5
DH
3
DH
2
DH
0
DP
0
(1)
GND
CLK
1
GND
DL
28
DL
26
DL
24
DP
7
(1)
V
CC5
DL
22
DL
20
DL
18
DL
16
GND
DP
6
(1)
DL
14
DL
12
DL
11
GND
DL
9
DP
5
(1)
DL
7
DL
4
V
CC3
DL
3
DL
1
DL
0
GND
CLK
2
（ TAG ）
GND
DP
4
(1)
SRAM OE
0
SRAM OE
1
(3)
VCC
3
ADDR
0
(3,4)
RSVD
(1)
SRAM ADS
0
(2)
SRAM ADS
1
(2,3)
A
28
A
26
A
25
A
23
GND
A
21
A
19
A
17
A
13
V
CC3
A
12
A
11
A
9
GND
A
7
A
5
A
3
A
0
(1)
V
CC5
TAG CLR
TAG MATCH
TAG OE
DIRTYIN
GND
引脚名称
A
0
– A
28
ADDR
0
- ADDR
1
CLK
0
- CLK
4
DH
0
- 卫生署
31
DL
0
- DL
31
PD
0
= PD
3
SRAM ADS
0
-
SRAM ADS
1
SRAM ALE
SRAM CNT EN
1
SRAM OE
0
-
SRAM OE
1
SRAM WE
0
-
SRAM WE
1
突发模式
TAG CLR
TAG MATCH
标签有效
TAG OE
TAG WE
DIRTYIN
DIRTYOUT
待机
V
CC3
V
CC5
GND
NC
RSVD
突发模式： 0 =直线， 1 =交错
标签清除
TAG MATCH
标签有效
标签输出使能
标签写使能
肮脏的输入位
肮脏的输出位
待机模式
3.3伏电源
5伏电源
地
无连接
版权所有
TBL 07
地址输入
地址输入（仅适用于异步SRAM ）
时钟输入
高阶高速缓存数据
低阶缓存数据
存在检测引脚
SRAM地址选通
SRAM地址锁存使能
SRAM CNT EN
0
- SRAM控制启用
SRAM输出使能
SRAM写使能
设备检测表
PD
3
NC
NC
GND
GND
PD
2
NC
GND
GND
NC
PD
1
NC
NC
NC
PD
0
NC
NC
NC
模块
没有缓存存在
IDT7MPV6253
IDT7MPV6255
IDT7MPV6256
TBL 08
GND GND
注意事项：
1.这些引脚是NC （无连接）上7MPV6253 / 55/ 56
2.这些引脚是NC的7MPV6253 。
3.这些引脚是NC的7MPV5255 。
4.这些引脚是NC的7MPV6256 。
LOW PROFILE CARD EDGE模块
顶视图
DRW 04
4
IDT7MPV6253/55/56
256KB / 512KB CMOS二级缓存模块，用于PowerPC的
商业级温度范围
DC电气特性
(V
CC5
= 5.0V
±
5%, V
CC3
= 3.3V
±
10%, T
A
= 0 ° C至70° C）
符号
|I
LI
|
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
I
CC3
I
CC5
I
SB3
I
SB31
参数
输入漏电流
（地址）
输入漏电流
（数据和控制）
输出漏电流
输出低电压
输出安高压
工作电源3.3V
电源电流
操作5V电源
电源电流
待机3.3V电源
电源电流
全部备用电源3.3V
电源电流
待机5V电源
电源电流
测试条件
V
CC5
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC3
=最大
V
CC5
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC3
=最大
V
OUT
= 0V至V
CC3
,
V
CC3
=最大。
I
OL
= 8毫安，V
CC3
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC3
=最小值。
V
CC3
=最大，待机
≤
V
IL
,
f = f
最大
，输出打开
V
CC5
=最大，待机
≤
V
IL
,
f = f
最大
，输出打开
V
CC3
=最大，待机
≥
V
IH
,
f = f
最大
，输出打开
V
CC3
=最大，待机
≥
V
CC3
- 0.2V ， F = 0 ，
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC3
- 0.2V,
输出打开
V
CC5
=最大，待机
≥
V
IH
f = f
最大，
输出打开
分钟。
—
—
—
—
2.4
—
—
—
—
’53
马克斯。
20
10
10
0.4
—
1000
290
100
30
’55
马克斯。
30
10
10
0.4
—
500
290
100
30
’56
马克斯。
50
20
20
0.4
—
590
290
190
50
单位
A
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
I
SB5
—
30
30
30
mA
TBL 09
AC测试条件 - 3.3V电源
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
TBL 10
+3.3V
320
数据
OUT
350
30pF*
数据
OUT
350
+3.3V
320
5pF*
*包括范围和夹具电容
图1.输出负载
DRW 05
*包括范围和夹具电容
图2.输出负载
（对于T
OHZ
, t
CHZ
, t
OLZ
和T
CLZ
)
DRW 06
5
QQ：2880707522 复制
