IS65WV12816ALL
IS65WV12816BLL
128K ×16低电压，
超低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 55ns ， 70ns的
CMOS低功耗运行：
36毫瓦（典型值）的操作
9 μW （典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单电源供电：
1.65V至2.2V V
DD
(65WV12816ALL)
2.5V至3.6V V
DD
(65WV12816BLL)
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
2CS选项可用
温度祭
选项A ： 0 70
o
C
选择A1 ： -40 + 85
o
C
选择A2 ： -40 + 105
o
C
选项A3 ： -40 + 125
o
C
无铅可
ISSI
描述
初步信息
2006年6月
该
ISSI
IS65WV12816ALL / IS65WV12816BLL是高
速度， 2M位静态RAM由16组织为128K字
位。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
当
CS1
高（取消），或者当CS2为低
（取消），或者当
CS1
为低时， CS2为高和两个
LB
和
UB
高，器件处于待机模式
在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
（WE）
同时控制写入和读取的存储器。一
数据字节允许最高字节
（ UB ）
和低位字节（LB）
访问。
该IS65WV12816ALL和IS65WV12816BLL是packged
在JEDEC标准的48引脚小型BGA封装（ 6× 8毫米）和
44引脚TSOP （II型） 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CS2
CS1
OE
WE
UB
LB
控制
电路
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任
所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
公布的信息及订货产品之前。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
修订版00E
06/08/06
1
IS65WV12816ALL ， IS65WV12816BLL
销刀豆网络gurations
48针微型BGA （ 6× 8毫米）
（封装代码B）
1
2
3
4
5
6
ISSI
48针微型BGA （ 6× 8毫米）
2 CS选项（封装代码B2 ）
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CSI
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CS1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
CS2
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
44针微型TSOP （ II型）
（封装代码T）
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CS1,
CS2
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
A4
A3
A2
A1
A0
CS1
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
2
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
修订版00E
06/08/06
IS65WV12816ALL ， IS65WV12816BLL
真值表
模式
未选择
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
CS1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
VDD电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
读
写
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
价值
-0.2到V
DD
+0.3
-65到+150
1.0
单位
V
°C
W
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
工作范围（V
DD
)
选项
A
A1
A2
A3
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 125°C
IS65WV12816ALL
1.65V - 2.2V
1.65V - 2.2V
1.65V - 2.2V
1.65V - 2.2V
IS65WV12816BLL
2.5V - 3.6V
2.5V - 3.6V
2.5V - 3.6V
2.5V - 3.6V
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
修订版00E
06/08/06
3
IS65WV12816ALL ， IS65WV12816BLL
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
VDD
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
分钟。
1.4
2.2
—
—
1.4
2.2
–0.2
–0.2
–1
–1
ISSI
马克斯。
—
—
0.2
0.4
V
DD
+ 0.2
V
DD
+ 0.3
0.4
0.6
1
1
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -1.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
修订版00E
06/08/06
IS65WV12816ALL ， IS65WV12816BLL
IS65WV12816ALL ，电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
CC
1
I
SB
1
参数
VDD工作动态
电源电流
工作电源
当前
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IH
， CS2 = V
IL
,
F = 1 MH
Z
OR
V
DD
=最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
V
DD
=最大，
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
CS2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
OR
选项
A, A1
A2, A3
A, A1
A2, A3
A, A1
A2, A3
马克斯。
-70 NS
15
20
7
7
0.6
0.6
单位
mA
mA
mA
ISSI
ULB控制
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
A, A1
A2
A3
15
20
50
A
ULB控制
V
DD
=最大，
CS1
= V
IL
， CS2 = V
IH
V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ;
UB
/
LB
= V
DD
– 0.2V
IS65WV12816BLL ，电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
CC
1
I
SB
1
参数
VDD工作动态
电源电流
工作电源
当前
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IH
， CS2 = V
IL
,
F = 1 MH
Z
OR
V
DD
=最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
V
DD
=最大，
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
CS2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
OR
选项
A, A1
A2, A3
A, A1
A2, A3
A, A1
A2, A3
马克斯。
-55 NS
25
30
7
7
0.6
0.6
马克斯。
-70 NS
20
25
7
7
0.6
0.6
单位
mA
mA
mA
ULB控制
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
A, A1
A2
A3
15
25
65
15
25
65
A
ULB控制
V
DD
=最大，
CS1
= V
IL
， CS2 = V
IH
V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ;
UB
/
LB
= V
DD
– 0.2V
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
修订版00E
06/08/06
5
QQ：2881677436 复制
