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IDH05S120
的thinQ ！
TM
SiC肖特基二极管
产品概述
V
DC
Q
C
I
F
;
T
C
＆ LT ;
130 °C
1200
600
3.2
18
3
5
V
nC
A
特点
革命性的半导体材料 - 碳化硅
开关性能基准测试
无反向恢复/无正向恢复
温度独立的开关行为
高浪涌电流能力
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC的目标应用合格
优化了高温作业
最低数字的优异Q
C
/I
F
1)
PG-TO220-2
的thinQ ！
TM
二极管专为喜欢快速开关应用：
SMPS例如; CCM PFC
电机驱动器;光伏应用产品; UPS
TYPE
IDH05S120
包
PG-TO220-2
记号
D05S120
销1
C
销2
A
最大额定值
参数
连续正向电流
符号条件
I
F
T
C
<130 ℃，
T
C
=25 °C,
t
p
= 10毫秒
T
C
=150 °C,
t
p
= 10毫秒
T
C
=25 °C,
t
p
=10 s
T
C
=25 °C,
t
p
= 10毫秒
T
C
=150 °C,
t
p
= 10毫秒
V
RRM
dv / dt的
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
出售
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
M3和M3.5螺丝
T
j
=25 °C
V
R
= 0….960 V
T
C
=25 °C
价值
5
29
25
110
4
3
1200
50
75
-55 ... 175
260
60
MCM
V
V / ns的
W
°C
A
2
s
单位
A
浪涌非重复正向电流，
I
女， SM
正弦半波
非重复峰值正向电流
i
2 T值
反向重复峰值电压
二极管的dv / dt坚固
功耗
工作和存储温度
焊接温度，
波峰焊只允许在引线
安装力矩
I
女，最大
∫i
2
dt
修订版2.0
第1页
2010-04-20
IDH05S120
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
热阻，
junction-环境，
含铅
-
-
-
-
2
62
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
阻断电压DC
二极管的正向电压
V
DC
V
F
I
R
α= 0.05毫安，
T
j
=25 °C
I
F
=5 A,
T
j
=25 °C
I
F
=5 A,
T
j
=150 °C
反向电流
I
R
V
R
=1200 V,
T
j
=25 °C
V
R
=1200 V,
T
j
=150 °C
AC特性
总容性充电
开关时间
2)
总电容
Q
c
t
c
C
V
R
= 400 V，I
F
≤I
女，最大
,
di
F
/ DT = 200 A / μs的，
T
j
=150 °C
V
R
=1 V,
f
= 1兆赫
V
R
=300 V,
f
= 1兆赫
V
R
=600 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
18
-
250
20
18
-
<10
-
-
-
nC
ns
pF
1200
-
-
-
-
-
1,65
2,55
5
20
-
1,8
-
120
1000
A
V
1)
2)
J- STD20和JESD22
t
c
是时间常数电容位移电流波形（独立于
T
j
, I
负载
和
的di / dt ） ，从不同
t
rr
这是依赖于
T
j
, I
负载
和di / dt 。没有反向恢复时间常数
t
rr
应有
到不存在的少数载流子注入的
3)
4)
在最坏的情况下
th
条件。
只有电容充电现象发生，通过设计保证
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修订版2.0
IDH05S120
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2二极管的正向电流
I
F
= F （T
C
)
3)
;
T
j
≤175
° ℃;参数：
D =吨
p
/T
80
50
0.1
70
40
60
50
30
P
合计
[W]
40
I
F
[A]
0.3
30
20
0.5
0.7
20
10
10
0
25
75
125
175
25
1
0
75
125
175
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3典型。正向特性
I
F
= F（V
F
);
t
p
=400 s
参数：
T
j
10
-55 °C
25 °C
100 °C
4典型。反向电流与反向电压
E
C
= F（V
R
)
10
2
8
10
1
150 °C
175 °C
6
10
0
I
R
[A]
I
F
[A]
175 °C
4
10
-1
150 °C
100 °C
2
10
-2
25 °C
-55 °C
0
0
2
4
6
10
-3
200
400
600
800
1000
1200
V
SD
[V]
V
R
[V]
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IDH05S120
5典型。电容充电与电流斜率
Q
C
= F（二
F
/ DT ）
4)
;
T
j
=150 °C;
I
F
≤I
女，最大
6瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
20
10
1
15
10
0
0.5
Z
thJC
〔 K / W〕
Q
C
[ NC ]
0.2
0.1
10
10
-1
5
0.05
0.02
0
0
100
400
700
1000
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
di
F
/ DT [A / μs的]
t
[s]
7典型。电容与反向电压
C
= F（V
R
);
T
C
=25 °C,
f
= 1兆赫
8典型。
C
储能
E
C
= F（V
R
)
250
4
200
3
150
C
[ pF的]
E
c
[C]
100
50
0
1
10
100
1000
2
1
0
0
200
400
600
V
R
[V]
V
R
[V]
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IDH05S120
PG - TO220-2 ：大纲
的thinQ ！
TM
2G二极管专为喜欢快速开关应用：
尺寸在毫米/英寸
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2010-04-20
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    IDH05S120
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