IS62U6416LL
IS62U6416LL
64K ×16低电压，
超低功耗CMOS静态RAM
ISSI
描述
ISSI
超前信息
1998年12月
1
2
3
4
5
6
特点
访问时间： 200纳秒
CMOS低功耗运行
- 为40mW （典型值）的操作
– 90
W
（典型值）待机
TTL兼容接口电平
单1.8V - 2.7V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
提供JEDEC的标准44引脚SOJ封装，
44针TSOP （II型）和48引脚小型BGA
该
ISSI
IS62U6416LL是一种超低功耗， 1,048,576位
静态RAM （16位）组织为65,536字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS技术。
这再加上创新的电路高度可靠的工艺
设计技术产生的存取时间快200纳秒用
低功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在该功率耗散可以减至
与CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE
。有源低写入
启用（
WE
）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许最高字节（
UB
）和低位字节（
LB
)
访问。
功能框图
7
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
8
9
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
10
11
CE
OE
WE
UB
LB
该规范包含预览。 ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的右
产品。我们假设它可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。 版权所有1998年，集成硅解决方案公司
控制
电路
12
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超前信息
SR034-0C
12/09/98
1
IS62U6416LL
销刀豆网络gurations
44引脚SOJ
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
ISSI
44针TSOP
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
48引脚小型BGA
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
引脚说明
A0-A15
I/O0-I/O15
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VCC
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
N / C
I / O
0
I / O
2
VCC
GND
I / O
6
I / O
7
NC
CE
OE
WE
LB
UB
NC
VCC
GND
2
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超前信息
SR034-0C
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IS62U6416LL
ISSI
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
1
2
3
4
写
I
CC
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序和参考电平
输出负载
单位
0.4 1.8V
(1)
5纳秒
0.9V
(1)
参见图1和2
5
6
7
3070
1.8V
AC测试负载
3070
1.8V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
戴维南等效
1554
产量
0.91V
8
9
10
11
12
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
3150
网络连接gure 3 。
图1 。
图2中。
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3
IS62U6416LL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+0.5 VCC
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
ISSI
注意：
1.应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能会造成永久性损坏
装置。这是一个值仅为
该装置的功能操作
这些或以上的任何其他条件
在操作这些节表示
本规范的地方也是不im-
合股。暴露在绝对最大
额定条件下长时间
会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
1.8V （最小）到2.7V （最大）
1.8V （最小）到2.7V （最大）
DC电气特性
（以上经营范围内，除非另有说明）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -0.44毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 0.33毫安
分钟。
1.6
—
1.6
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
（分钟） = -1.5V脉冲宽度小于30纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围内，除非另有说明）
符号
I
CC
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
CE
= V
IH
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-200
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
25
40
0.3
0.3
5
5
单位
mA
I
SB
1
mA
I
SB
2
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率; F = 0表示没有输入线发生变化。
4
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电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
1
2
3
4
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
-200
分钟。马克斯。
200
—
20
—
—
0
20
0
30
—
0
20
—
200
—
200
100
50
—
50
—
100
50
—
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2)
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
6
7
8
9
10
11
12
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB
,
UB
存取时间
LB
,
UB
到输出高阻态
LB
,
UB
以低Z输出
注意事项：
1.试验条件假设为5纳秒或更小，定时信号的过渡时间
0.9V的参考电平， 0.4输入脉冲电平为1.8V ，输出
装载在图1中指定。
2.在图2中转换测试，与负载测量
±500mV
从
稳态电压。未经100％测试。
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