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IS62C64
IS62C64
8K ×8低功耗CMOS静态RAM
ISSI
技术。
ISSI
特点
CMOS低功耗运行
- 400 mW工作(最大)
- 25毫瓦(最大)待机
自动断电时芯片
取消
TTL兼容接口电平
单5V电源
全静态操作:无时钟或刷新
需要
三态输出
两个芯片使(
CE1
和CE2 )的
简单的存储扩展
工业应用温度
描述
ISSI
IS62C64是一款低功耗, 8,192字由8位静态
内存。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS
CE1
为高或CE2为低(未选中)时,器件
假设待机模式,在该功耗是
减少到25
W
(典型值), CMOS输入电平。
易存储器扩展,通过使用两个芯片使能提供
输入,
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能(
WE
)
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62C64打包在JEDEC标准的28引脚,
600密耳DIP和SOP表面贴装封装。
功能框图
A0-A12
解码器
256 X 256
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE2
CE1
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责其
可能出现在本出版物中。 版权所有1996年,集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案,公司
SR013-1D
3/17/97
1
IS62C64
引脚配置
28引脚DIP和SOJ
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
CE2
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
ISSI
引脚说明
A0-A12
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
真值表
模式
未选择
(掉电)
输出禁用
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流(低)
价值
-0.5到+7.0
-55到+125
-65到+150
1.0
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
2
集成的芯片解决方案,公司
SR013-1D
3/17/97
IS62C64
DC电气特性
(以上经营范围)
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
,
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.5
–2
–10
–2
–10
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
10
2
10
ISSI
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
参数
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
测试条件
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时, F = 0
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
V
CC
=最大,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
V
IH
or
CE2
V
IL
, f = 0
V
CC
=最大,
CE1
V
CC
– 0.2V,
CE2
0.2V,
V
IN
V
CC
- 0.2V ,或
V
IN
0.2V , F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-45 NS
分钟。马克斯。
65
75
90
100
20
30
-70 NS
分钟。马克斯。
65
75
80
90
20
30
NS -100
分钟。马克斯。
65
75
70
80
20
30
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流( CMOS输入)
COM 。
IND 。
5
10
5
10
5
10
mA
注意事项:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, VCC = 5.0V 。
集成的芯片解决方案,公司
SR013-1D
3/17/97
3
IS62C64
读周期开关特性
(1)
(在商业经营范围)
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
-45 NS
分钟。马克斯。
45
3
0
3
3
0
45
45
45
25
20
20
30
-70 NS
分钟。马克斯。
70
3
0
3
3
0
70
70
70
35
25
25
50
NS -100
分钟。马克斯。
100
3
0
3
3
0
100
100
100
50
25
25
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
1
(2)
t
LZCE
2
(2)
t
HZCE
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE1
以低Z输出
CE2为低-Z输出
CE1
或CE2到输出高阻态
CE1
或为CE2上电
CE1
或CE2掉电
注意事项:
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试,与图1b中的负荷。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。未经100%测试。
3.未经100%测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
AC测试负载
1838
5V
1838
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
994
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
994
图1A 。
图1B 。
4
集成的芯片解决方案,公司
SR013-1D
3/17/97
IS62C64
AC波形
读周期1号
(1,2)
t
RC
ISSI
地址
t
AA
t
OHA
t
OHA
数据有效
D
OUT
读周期2号
(1,3)
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
OE
t
美国能源部
t
HZOE
CE1
t
ACE
t
LZOE
CE2
t
LZCE
t
HZCE
数据有效
D
OUT
高-Z
t
PU
t
PD
50%
50%
ICC
供应
当前
ISB
注意事项:
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE
,
CE1
= V
IL
, CE2 = V
IH
.
3.地址之前或重合是有效的
CE1
LOW和HIGH CE2过渡。
集成的芯片解决方案,公司
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