【PD - 95549A开关电源MOSFET应用l高频DC- DC转换器lLEAD -FREE好处l低】,IC型号IRFU13N15DPBF,IRFU13N15DPBF PDF资料,IRFU13N15DPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 95549A

开关电源MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

l

LEAD -FREE

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

IRFR13N15DPbF

IRFU13N15DPbF

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

150V

R

DS （ ON）

最大

0.18

I

D

14A

D- PAK

IRFR13N15D

I- PAK

IRFU13N15D

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

14

9.8

56

86

0.57

± 30

3.8

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

典型SMPS拓扑

l

电信48V输入有源钳位正激变换器

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

12/9/04

IRFR/U13N15DPbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

150

–––

–––

3.0

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.17

–––

–––

–––

–––

–––

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.18

V

GS

= 10V ，我

D

= 8.3A

5.5

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

25

V

DS

= 150V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 120V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 30V

nA

-100

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

5.0

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

19

5.5

9.4

8.0

26

12

11

620

130

38

780

62

110

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 8.3A

29

I

D

= 8.3A

8.2

NC V

DS

= 120V

14

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 75V

–––

I

D

= 8.3A

ns

–––

R

G

= 11

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 120V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至120V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

–––

–––

马克斯。

130

8.3

8.6

单位

mJ

A

mJ

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

典型值。

–––

–––

–––

分钟。典型值。马克斯。单位

马克斯。

1.75

50

110

单位

° C / W

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

条件

D

MOSFET符号

14

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– –––

56

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 8.3A ，V

GS

= 0V

––– 110 –––

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 8.3A

––– 520 –––

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

www.irf.com

IRFR/U13N15DPbF

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

10

1

5.0V

1

0.1

5.0V

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 14A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

T

J

= 175

°

C

10

2.0

1.5

T

J

= 25

°

C

1

1.0

0.5

0.1

5

6

7

8

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

9

10

11

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFR/U13N15DPbF

10000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS =硫化镉+ Cgd的

20

I

D

= 8.3A

V

DS

= 120V

V

DS

= 75V

V

DS

= 30V

16

C，电容（pF ）

1000

西塞

12

100

科斯

8

CRSS

4

10

1

10

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

0

0

5

10

15

测试电路

见图13

20

25

30

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

I

D

，漏电流（ A）

T = 175

°

C

J

100

10us

10

100us

1ms

T = 25

°

C

J

1

1

10ms

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

1

10

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFR/U13N15DPbF

14

12

V

DS

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

10

8

6

4

2

0

25

50

75

100

125

150

175

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

T

C

，外壳温度

( ° C)

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1 D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

PD - 95549A

开关电源MOSFET

应用

l

高频DC- DC转换器

l

LEAD -FREE

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

IRFR13N15DPbF

IRFU13N15DPbF

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

150V

R

DS （ ON）

最大

0.18

I

D

14A

D- PAK

IRFR13N15D

I- PAK

IRFU13N15D

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

14

9.8

56

86

0.57

± 30

3.8

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

典型SMPS拓扑

www.kersemi.com

1

12/9/04

IRFR/U13N15DPbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

150

–––

–––

3.0

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.17

–––

–––

–––

–––

–––

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.18

V

GS

= 10V ，我

D

= 8.3A

5.5

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

25

V

DS

= 150V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 120V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 30V

nA

-100

V

GS

= -30V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

5.0

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

19

5.5

9.4

8.0

26

12

11

620

130

38

780

62

110

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 8.3A

29

I

D

= 8.3A

8.2

NC V

DS

= 120V

14

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 75V

–––

I

D

= 8.3A

ns

–––

R

G

= 11

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 120V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至120V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

–––

–––

马克斯。

130

8.3

8.6

单位

mJ

A

mJ

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） *

结到环境

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

典型值。

–––

–––

–––

分钟。典型值。马克斯。单位

马克斯。

1.75

50

110

单位

° C / W

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

条件

D

MOSFET符号

14

––– –––

展示

A

G

整体反转

56

––– –––

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 8.3A ，V

GS

= 0V

––– 110 –––

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 8.3A

––– 520 –––

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

www.kersemi.com

IRFR/U13N15DPbF

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

10

1

5.0V

1

0.1

5.0V

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 14A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

T

J

= 175

°

C

10

2.0

1.5

T

J

= 25

°

C

1

1.0

0.5

0.1

5

6

7

8

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

9

10

11

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.kersemi.com

3

IRFR/U13N15DPbF

10000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS =硫化镉+ Cgd的

20

I

D

= 8.3A

V

DS

= 120V

V

DS

= 75V

V

DS

= 30V

16

C，电容（pF ）

1000

西塞

12

100

科斯

8

CRSS

4

10

1

10

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

0

0

5

10

15

测试电路

见图13

20

25

30

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

I

D

，漏电流（ A）

T = 175

°

C

J

100

10us

10

100us

1ms

T = 25

°

C

J

1

1

10ms

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

1

10

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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14

12

V

DS

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

10

8

6

4

2

0

25

50

75

100

125

150

175

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

T

C

，外壳温度

( ° C)

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1 D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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