IS61LV12816L
128K ×16高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
特点
高速存取时间：8， 10纳秒
工作电流：50mA （典型值）。
待机电流： 700μA （典型值）。
TTL和CMOS兼容的接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
对于高字节和低字节数据控制
提供工业级温度
无铅可用
ISSI
2005年10月
描述
该
ISSI
IS61LV12816L是一个高速， 2097152位
静态RAM （16位）组织为131,072字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量访问时间
尽可能快8 ns的低功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS61LV12816L打包在JEDEC标准
44针TSOP （II型） ， 44引脚LQFP封装，以及48引脚小型BGA
（ 6× 8毫米） 。
功能框图
A0-A16
解码器
128Kx16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
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IS61LV12816L
真值表
I / O引脚
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
写
I
CC
引脚配置
44引脚的TSOP （II型） （T）的
引脚说明
A0-A16
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
2
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IS61LV12816L
引脚配置
48引脚小型BGA （B ）
1
2
3
4
5
6
ISSI
44引脚LQFP （ LQ ）
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
OE
UB
LB
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
NC
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 345
33
1
32
2
31
3
30
4
29
5
顶视图
28
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
WE
A0
A1
A2
A3
A4
NC
A5
A6
A7
A8
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
引脚说明
A0-A16
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
V
DD
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
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IS61LV12816L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
TERM
T
英镑
P
T
注意：
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
价值
-0.5到4.0V
-0.5到V
DD
+ 0.5
-65到+ 150
1.0
单位
V
V
°C
W
ISSI
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是
一个额定值，设备运行在这些或以上的操作指示的任何其他条件
本规范的tional部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
工作范围
范围
环境温度
广告
0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
(8 n
S
)
3.3V + 10%, -5%
3.3V + 10%, -5%
V
DD
(10 n
S
)
3.3V + 10%
3.3V + 10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
注意：
1.
V
IL
（分钟） = -0.3V DC ; V
IL
（分钟） = -2.0V AC （脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
V
IH
（最大值） - V
DD
+ 0.3V DC ; V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2.0V AC（脉冲宽度 - 2.0纳秒） 。未经100％测试。
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2
–0.3
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
–1
–1
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电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
参数
V
DD
操作
电源电流
TTL待机
当前
（ TTL输入）
CMOS待机
当前
（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F =最大值。
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
， F =最大
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
-8 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
65
70
50
30
35
3
4
700
-10 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
60
65
50
25
30
3
4
700
ISSI
单位
mA
I
SB
1
mA
I
SB
2
mA
mA
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 3.3V ，T
A
=25
o
C.未经100％测试。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
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