快速
16K ×16的双端口
静态RAM与中断
特点
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速存取
- 商业： 15/20 /25/ 35 / 55ns （最大值）
- 工业20/25 /35 / 55ns （最大）
低功耗工作
- IDT70261S
主动： 750MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT70261L
主动： 750MW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
单独的上层字节和低字节控制为多路
总线兼容性
IDT70261S/L
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
IDT70261轻松扩展数据总线宽度为32位或更多
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = H为
忙
输出标志法师，
M / S = L为
忙
输入从机上
忙碌而中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
可提供100引脚薄型四方扁平封装
工业级温度范围（ -40
O
C至+ 85
O
C）可
对于选定的速度
功能框图
读/写
L
UB
L
读/写
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
I / O
8L
-I / O
15L
I / O
0L
-I / O
7L
忙
L
(1,2)
I / O
控制
I / O
控制
I / O
8R
-I / O
15R
I / O
0R
-I / O
7R
忙
R(1,2)
A
13L
A
0L
地址
解码器
14
内存
ARRAY
14
地址
解码器
A
13R
A
0R
CE
L
OE
L
R/
W
L
SEM
L
INT
L (2)
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
和
INT
输出的非三态推挽。
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
R/
W
R
SEM
R
INT
R(2)
3039 DRW 01
M/
S
2000年2月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC八分之三千○三十九
IDT70261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
描述
该IDT70261是一个高速16K ×16的双端口静态RAM 。该
IDT70261被设计为用作一个独立的双端口RAM或作为
相结合的主/从双口RAM的32位或更多的字
系统。在32采用IDT主/从双口RAM的方法
位或者更宽的存储器系统的应用程序的结果在全速无差错
操作而不需要额外的分立逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为750MW运行。
该IDT70261封装在一个100引脚TQFP 。
V
CC
R/
W
L
I / O
9L
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
1L
I / O
0L
SEM
L
CE
L
UB
L
LB
L
N / C
N / C
N / C
N / C
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
GND
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
N / C
N / C
N / C
N / C
1100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 7675
2
74
3
73
4
72
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
71
70
69
68
67
66
A
13L
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
N / C
N / C
N / C
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
OE
L
指数
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
IDT70261PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
INT
L
忙
L
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
N / C
N / C
N / C
3039 DRW 02
GND
M/
S
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
,
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
I / O
10R
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
GND
I / O
15R
SEM
R
CE
R
UB
R
LB
R
R/
W
R
GND
OE
R
A
13R
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
引脚名称
左侧端口
正确的端口
名字
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
高字节选择
低字节选择
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
3039 TBL 01
CE
L
R/
W
L
CE
R
R/
W
R
OE
L
A
0L
- A
13L
I / O
0L
- I / O
15L
OE
R
A
0R
- A
13R
I / O
0R
- I / O
15R
SEM
L
UB
L
LB
L
INT
L
忙
L
SEM
R
UB
R
LB
R
INT
R
忙
R
M/
S
V
CC
GND
6.42
2
IDT70261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
单位
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
V
参数
输入电容
产量
电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3039 TBL 07
C
OUT
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-55到+125
50
o
C
C
o
mA
3039 TBL 06
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; Vcc的+ 10％ 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
70261S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
___
70261L
马克斯。
10
10
0.4
___
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3039 TBL 08
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V ，输入泄漏是不确定的。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
图1和图2
3039 TBL 09
5V
893
数据
OUT
忙
INT
数据
OUT
347
30pF
347
5V
893
5pF*
,
3039 DRW 03
3039 DRW 04
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具。
6.42
4
IDT70261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
70261X15
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
190
190
____
____
70261X20
Com'l &工业
典型值。
(2)
180
180
180
180
30
30
30
30
115
115
115
115
1.0
0.2
1.0
0.2
110
110
110
110
马克斯。
315
275
355
315
85
60
100
80
210
180
245
210
15
5
30
10
185
160
210
185
70261X25
Com'l &工业
典型值。
(2)
170
170
170
170
25
25
25
25
105
105
105
105
1.0
0.2
1.0
0.2
100
100
100
100
马克斯。
305
265
345
305
85
60
100
80
200
170
230
200
15
5
30
10
170
145
200
175
3039 TBL 10
马克斯。
325
285
____
____
单位
mA
CE
= V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
f = f
最大
(3)
I
SB1
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(3)
35
35
____
____
95
70
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
有源输出端口打开，
f=f
最大
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
125
125
____
____
220
190
____
____
mA
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
I
SB3
全待机电流（两个
端口 - 所有CMOS电平
输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有CMOS电平
输入）
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
有源端口输出打开
f = f
最大
(3)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
120
120
____
____
195
170
____
____
mA
70261X35
Com'l &工业
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
160
160
160
160
20
20
20
20
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
90
90
90
90
马克斯。
295
255
335
295
85
60
100
80
185
155
215
185
15
5
30
10
160
135
190
165
70261X55
Com'l &工业
典型值。
(2)
150
150
150
150
13
13
13
13
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
80
80
80
80
马克斯。
270
230
310
270
85
60
100
80
165
135
195
165
15
5
30
10
135
110
175
150
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
CE
= V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
f = f
最大
(3)
I
SB1
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(3)
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL电平
输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
有源输出端口打开，
f=f
最大
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
I
SB3
全待机电流
（这两个港口 - 所有CMOS
电平输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有CMOS
电平输入）
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
有源端口输出打开
f=f
最大
(3)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 120毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
以及使用
GND的输入电平的“AC测试条件”到3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
3039 TBL 11
5
6.42
快速
16K ×16的双端口
静态RAM与中断
特点
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速存取
- 商业： 15/20 /25/ 35 / 55ns （最大值）
- 工业20/25 /35 / 55ns （最大）
低功耗工作
- IDT70261S
主动： 750MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT70261L
主动： 750MW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
单独的上层字节和低字节控制为多路
总线兼容性
IDT70261S/L
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
IDT70261轻松扩展数据总线宽度为32位或更多
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = H为
忙
输出标志法师，
M / S = L为
忙
输入从机上
忙碌而中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
可提供100引脚薄型四方扁平封装
工业级温度范围（ -40
O
C至+ 85
O
C）可
对于选定的速度
功能框图
读/写
L
UB
L
读/写
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
I / O
8L
-I / O
15L
I / O
0L
-I / O
7L
忙
L
(1,2)
I / O
控制
I / O
控制
I / O
8R
-I / O
15R
I / O
0R
-I / O
7R
忙
R(1,2)
A
13L
A
0L
地址
解码器
14
内存
ARRAY
14
地址
解码器
A
13R
A
0R
CE
L
OE
L
R/
W
L
SEM
L
INT
L (2)
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
和
INT
输出的非三态推挽。
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
R/
W
R
SEM
R
INT
R(2)
3039 DRW 01
M/
S
2000年2月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC八分之三千○三十九
IDT70261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
描述
该IDT70261是一个高速16K ×16的双端口静态RAM 。该
IDT70261被设计为用作一个独立的双端口RAM或作为
相结合的主/从双口RAM的32位或更多的字
系统。在32采用IDT主/从双口RAM的方法
位或者更宽的存储器系统的应用程序的结果在全速无差错
操作而不需要额外的分立逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为750MW运行。
该IDT70261封装在一个100引脚TQFP 。
V
CC
R/
W
L
I / O
9L
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
1L
I / O
0L
SEM
L
CE
L
UB
L
LB
L
N / C
N / C
N / C
N / C
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
GND
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
N / C
N / C
N / C
N / C
1100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 7675
2
74
3
73
4
72
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
71
70
69
68
67
66
A
13L
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
N / C
N / C
N / C
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
OE
L
指数
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
IDT70261PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
INT
L
忙
L
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
N / C
N / C
N / C
3039 DRW 02
GND
M/
S
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
,
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
I / O
10R
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
GND
I / O
15R
SEM
R
CE
R
UB
R
LB
R
R/
W
R
GND
OE
R
A
13R
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
引脚名称
左侧端口
正确的端口
名字
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
高字节选择
低字节选择
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
3039 TBL 01
CE
L
R/
W
L
CE
R
R/
W
R
OE
L
A
0L
- A
13L
I / O
0L
- I / O
15L
OE
R
A
0R
- A
13R
I / O
0R
- I / O
15R
SEM
L
UB
L
LB
L
INT
L
忙
L
SEM
R
UB
R
LB
R
INT
R
忙
R
M/
S
V
CC
GND
6.42
2
IDT70261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
单位
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
V
参数
输入电容
产量
电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3039 TBL 07
C
OUT
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-55到+125
50
o
C
C
o
mA
3039 TBL 06
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; Vcc的+ 10％ 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
70261S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
___
70261L
马克斯。
10
10
0.4
___
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3039 TBL 08
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V ，输入泄漏是不确定的。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
图1和图2
3039 TBL 09
5V
893
数据
OUT
忙
INT
数据
OUT
347
30pF
347
5V
893
5pF*
,
3039 DRW 03
3039 DRW 04
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具。
6.42
4
IDT70261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
70261X15
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
190
190
____
____
70261X20
Com'l &工业
典型值。
(2)
180
180
180
180
30
30
30
30
115
115
115
115
1.0
0.2
1.0
0.2
110
110
110
110
马克斯。
315
275
355
315
85
60
100
80
210
180
245
210
15
5
30
10
185
160
210
185
70261X25
Com'l &工业
典型值。
(2)
170
170
170
170
25
25
25
25
105
105
105
105
1.0
0.2
1.0
0.2
100
100
100
100
马克斯。
305
265
345
305
85
60
100
80
200
170
230
200
15
5
30
10
170
145
200
175
3039 TBL 10
马克斯。
325
285
____
____
单位
mA
CE
= V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
f = f
最大
(3)
I
SB1
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(3)
35
35
____
____
95
70
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
有源输出端口打开，
f=f
最大
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
125
125
____
____
220
190
____
____
mA
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
I
SB3
全待机电流（两个
端口 - 所有CMOS电平
输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有CMOS电平
输入）
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
有源端口输出打开
f = f
最大
(3)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
120
120
____
____
195
170
____
____
mA
70261X35
Com'l &工业
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
160
160
160
160
20
20
20
20
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
90
90
90
90
马克斯。
295
255
335
295
85
60
100
80
185
155
215
185
15
5
30
10
160
135
190
165
70261X55
Com'l &工业
典型值。
(2)
150
150
150
150
13
13
13
13
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
80
80
80
80
马克斯。
270
230
310
270
85
60
100
80
165
135
195
165
15
5
30
10
135
110
175
150
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
CE
= V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
f = f
最大
(3)
I
SB1
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(3)
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL电平
输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
有源输出端口打开，
f=f
最大
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
I
SB3
全待机电流
（这两个港口 - 所有CMOS
电平输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有CMOS
电平输入）
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
有源端口输出打开
f=f
最大
(3)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 120毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
以及使用
GND的输入电平的“AC测试条件”到3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
3039 TBL 11
5
6.42
QQ：2881677436 复制
