IS61C1024
IS61C1024L
128K ×8 HIGH -SPEED
CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 12 ， 15 ， 20 ， 25纳秒
低有功功率： 600毫瓦（典型值）
低待机功耗： 500
W
（典型值） CMOS
待机
输出使能（
OE
）和两个芯片使能
(
CE1
和CE2 ）的输入，便于在应用程序
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗版本： IS61C1024L
商业和工业温度范围
可用的
ISSI
1999年5月
描述
该
ISSI
IS61C1024和IS61C1024L是非常高的速度，
低功耗， 131,072字由8位CMOS静态RAM 。他们
使用的是制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术，得到更高的性能和低
电力消耗装置。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片使能提供
输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能（
WE
)
同时控制写入和读取的存储器。
该IS61C1024和IS61C1024L在32引脚可用
300密耳SOJ ，和TSOP （I型， 8x20 ） ，和sTSOP （I型，
8× 13.4 ）封装。
功能框图
A0-A16
解码器
512 x 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责其
可能出现在本出版物中。 版权所有1999年，集成的芯片解决方案，公司
4
SR028-1K
05/12/99
1
IS61C1024
IS61C1024L
引脚配置
32引脚SOJ
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
ISSI
引脚配置
32引脚的TSOP （类型1） （T）和sTSOP （类型1） （H）的
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
A0-A16
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
2
SR028-1J
11/03/98
IS61C1024
IS61C1024L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-55到+125
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
ISSI
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
4
SR028-1K
05/12/99
3
IS61C1024
IS61C1024L
IS61C1024电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
.,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
≥
V
IH
中，f = 0或
CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE1
≤
V
CC
– 0.2V,
CE2
≤
0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
170
180
40
60
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
160
170
40
60
-20 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
150
160
40
60
ISSI
-25 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
140
150
40
60
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
COM 。
IND 。
—
—
30
40
—
—
30
40
—
—
30
40
—
—
30
40
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
IS61C1024L电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
≥
V
IH
中，f = 0或
CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE1
≤
V
CC
– 0.2V,
CE2
≤
0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
160
170
40
60
-20 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
150
160
40
60
-25 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
140
150
40
60
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
COM 。
IND 。
—
—
500
750
—
—
500
750
—
—
500
750
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
4
SR028-1J
11/03/98
IS61C1024
IS61C1024L
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
-12
(2)
分钟。马克斯。
12
—
3
—
—
—
0
0
2
2
0
0
—
—
12
—
12
12
6
—
6
—
—
7
—
12
-15 NS
分钟。马克斯。
15
—
3
—
—
—
0
0
2
2
0
0
—
—
15
—
15
15
7
—
6
—
—
8
—
12
-20 NS
分钟。马克斯。
20
—
3
—
—
—
0
0
3
3
0
0
—
—
20
—
20
20
9
—
7
—
—
9
—
18
ISSI
-25 NS
分钟。马克斯。
25
—
3
—
—
—
0
0
3
3
0
0
—
—
25
—
25
25
9
—
10
—
—
10
—
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
t
LZOE
(3)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(3)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
1
(3)
CE1
以低Z输出
t
LZCE
2
(3)
CE2为低-Z输出
t
HZCE
(3)
CE1
或CE2到输出高阻态
t
PU
(4)
t
PD
(4)
CE1
或为CE2上电
CE1
或CE2掉电
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V
并规定在图1的输出负载。
2. -12 ns的设备只IS61C1024 。
3.在图2中转换测试，与负载测量
±500
毫伏从稳态电压。未经100％测试。
4.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
480
5V
5V
480
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
图1
图2
5
4
SR028-1K
05/12/99
IS61C1024
IS61C1024L
128K ×8 HIGH -SPEED
CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 12 ， 15 ， 20 ， 25纳秒
低有功功率： 600毫瓦（典型值）
低待机功耗： 500
W
（典型值） CMOS
待机
输出使能（
OE
）和两个芯片使能
(
CE1
和CE2 ）的输入，便于在应用程序
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗版本： IS61C1024L
商业和工业温度范围
可用的
ISSI
1999年5月
描述
该
ISSI
IS61C1024和IS61C1024L是非常高的速度，
低功耗， 131,072字由8位CMOS静态RAM 。他们
使用的是制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上创新的高度可靠的工艺
电路设计技术，得到更高的性能和低
电力消耗装置。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片使能提供
输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能（
WE
)
同时控制写入和读取的存储器。
该IS61C1024和IS61C1024L在32引脚可用
300密耳SOJ ，和TSOP （I型， 8x20 ） ，和sTSOP （I型，
8× 13.4 ）封装。
功能框图
A0-A16
解码器
512 x 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责其
可能出现在本出版物中。 版权所有1999年，集成的芯片解决方案，公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
SR028-1K
05/12/99
1
IS61C1024
IS61C1024L
引脚配置
32引脚SOJ
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
ISSI
引脚配置
32引脚的TSOP （类型1） （T）和sTSOP （类型1） （H）的
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
A0-A16
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
SR028-1J
11/03/98
IS61C1024
IS61C1024L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-55到+125
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
ISSI
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
SR028-1K
05/12/99
3
IS61C1024
IS61C1024L
IS61C1024电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
.,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
≥
V
IH
中，f = 0或
CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE1
≤
V
CC
– 0.2V,
CE2
≤
0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
170
180
40
60
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
160
170
40
60
-20 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
150
160
40
60
ISSI
-25 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
140
150
40
60
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
COM 。
IND 。
—
—
30
40
—
—
30
40
—
—
30
40
—
—
30
40
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
IS61C1024L电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE
= V
IL
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
CC
= V
CC MAX
,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
≥
V
IH
中，f = 0或
CE2
≤
V
IL
, f = 0
V
CC
= V
CC MAX
.,
CE1
≤
V
CC
– 0.2V,
CE2
≤
0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
160
170
40
60
-20 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
150
160
40
60
-25 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
85
110
140
150
40
60
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
COM 。
IND 。
—
—
500
750
—
—
500
750
—
—
500
750
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
SR028-1J
11/03/98
IS61C1024
IS61C1024L
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
-12
(2)
分钟。马克斯。
12
—
3
—
—
—
0
0
2
2
0
0
—
—
12
—
12
12
6
—
6
—
—
7
—
12
-15 NS
分钟。马克斯。
15
—
3
—
—
—
0
0
2
2
0
0
—
—
15
—
15
15
7
—
6
—
—
8
—
12
-20 NS
分钟。马克斯。
20
—
3
—
—
—
0
0
3
3
0
0
—
—
20
—
20
20
9
—
7
—
—
9
—
18
ISSI
-25 NS
分钟。马克斯。
25
—
3
—
—
—
0
0
3
3
0
0
—
—
25
—
25
25
9
—
10
—
—
10
—
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
t
LZOE
(3)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(3)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
1
(3)
CE1
以低Z输出
t
LZCE
2
(3)
CE2为低-Z输出
t
HZCE
(3)
CE1
或CE2到输出高阻态
t
PU
(4)
t
PD
(4)
CE1
或为CE2上电
CE1
或CE2掉电
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V
并规定在图1的输出负载。
2. -12 ns的设备只IS61C1024 。
3.在图2中转换测试，与负载测量
±500
毫伏从稳态电压。未经100％测试。
4.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
480
5V
5V
480
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
图1
图2
5
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
SR028-1K
05/12/99
QQ：2881677436 复制
