IS45LV44002B
4M ×4 （ 16兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
扩展数据输出（ EDO ）页面模式存取周期
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔：
- 2048次/ 32毫秒
ISSI
2005年9月
描述
该
ISSI
IS45LV44002B为4,194,304 ×4位高性能
CMOS动态随机存取存储器。这些描述
恶习提供所谓的EDO页面加速周期访问
模式。 EDO页面模式让2048的随机访问
与存取周期时间的单行短20纳秒内
每4位的字。
这些特性使得IS45LV44002B非常适合于
高带宽图形，数字信号处理，高
高性能计算系统和外围
应用程序。
该IS45LV44002B封装在一个24引脚300mil的SOJ
符合JEDEC标准的引脚排列。
刷新方式：
RAS-只，
CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
单电源供电： 3.3V ± 10 ％
通过两个字节写和字节读取操作
CAS
汽车级温度范围
选择A1 ： -40°C至+ 85°C
无铅可用
产品系列概述
产品型号
IS45LV44002B
刷新
2K
电压
3.3V ± 10%
关键时序参数
参数
RAS
访问时间（吨
RAC
)
CAS
访问时间（吨
CAC
)
列地址访问时间（t
AA
)
EDO页面模式周期时间（t
PC
)
读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
单位
ns
ns
ns
ns
ns
引脚配置： 24针SOJ
VDD
I/O0
I/O1
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A10
I/O0-3
WE
OE
RAS
CAS
V
DD
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
地
无连接
2005集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
09/12/05
1
IS45LV44002B
功能框图
OE
WE
CAS
控制
逻辑
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
ISSI
CAS
CAS
WE
OE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O3
存储阵列
4,194,304 x 4
地址
缓冲器
A0-A10
真值表
功能
待机
读
写：字（早期写）
读 - 写
EDO页面模式读取
第一个周期：
第二个周期：
EDO页面模式写
第一个周期：
第二个周期：
EDO页面模式
第一个周期：
读 - 写
第二个周期：
隐藏刷新
读
写
(1)
RAS-只
刷新
CBR刷新
注意：
1.早期只写。
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
CAS
H
L
L
L
→ L
→ L
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
WE
X
H
L
→ L
H
H
L
L
→ L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
X
L-H
L
L
X
X
L-H
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
高-Z
D
OUT
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
09/12/05
IS45LV44002B
功能说明
该IS45LV44002B是CMOS DRAM的优化
高速带宽，低功耗的应用。中
读或写周期，每一位具有独特解决
通过11个地址位。这些输入11位
（ A0 - A10）的时间为2K刷新设备。该行
地址由行地址选通（RAS）的锁存。该
列地址由列地址选通锁存
（ CAS ） 。
RAS
用于锁存所述第一9位和
CAS
is
使用后者的10比特。
ISSI
自动刷新周期
保留数据， 2048刷新周期需要在每
32毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器：
1.计时每2048行地址（ A0
通过A10）与RAS至少每32毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或RAS只重周期
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS先于RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
而
控股
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新周期
内部9位计数器提供的行地址
和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
内存循环是通过将启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
POWER- ON
应用在V后
DD
供应， 200的初始暂停
μs的需要之后至少8初始化
包含循环周期（任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
DD
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须保持的最小时间
经t指定
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
,
t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。作为结果，所述接入
时间取决于之间的时序关系
这些参数。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的
在或下降沿之前
CAS
or
WE ，
任何
去年发生。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
09/12/05
3
IS45LV44002B
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
DD
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
1
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
ISSI
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件标明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
汽车环境温度（ A1 ）
分钟。
3.0
2.0
–0.3
-40
典型值。
3.3
—
—
—
马克斯。
3.6
V
DD
+ 0.3
0.8
+85
单位
V
V
V
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A10
输入电容：
RAS ， CAS，WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O3
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
09/12/05
IS45LV44002B
电气特性
(1)
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
符号
I
IL
I
IO
V
OH
V
OL
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压电平
输出低电压电平
工作电流：
随机读/写
(2,3,4)
平均供电电流
工作电流：
EDO页模式
(2,3,4)
平均供电电流
刷新电流：
RAS-只
(2,3)
平均供电电流
刷新电流：
CBR
(2,3,5)
平均供电电流
测试条件
任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DD
其他投入不被测= 0V
输出禁用（高阻）
0V
≤
V
OUT
≤
V
DD
I
OH
= -2.0毫安，V
DD
= 3.3V
I
OL
= 2毫安， V
DD
= 3.3V
RAS ， CAS
≥
V
IH
RAS ， CAS
≥
V
DD
– 0.2V
RAS ， CAS ，
地址骑自行车，T
RC
= t
RC
（分）
RAS
= V
IL
,
CAS ，
自行车吨
PC
= t
PC
（分）
RAS
骑自行车，
CAS
≥
V
IH
t
RC
= t
RC
（分）
RAS ， CAS
循环
t
RC
= t
RC
（分）
-50
速度
分钟。
–5
–5
2.4
—
—
—
—
ISSI
马克斯。
5
5
—
0.4
2
0.5
120
A
A
V
V
单位
mA
mA
mA
I
CC
4
-50
—
90
mA
I
CC
5
-50
—
120
mA
I
CC
6
-50
—
120
mA
注意事项：
1. 200微秒的初始暂停，需要跟八个电后
RAS
前正确的设备更新周期（ RAS - Only或CBR ）
操作是有保证的。八
RAS
周期唤醒应反复随时吨
REF
刷新的要求超出。
2.取决于循环率。
3.指定值与最小周期时间，输出开获得。
4，列地址被更改一次，每次EDO页面周期。
5.启用芯片刷新和地址计数器。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
09/12/05
5
QQ：2880707522 复制
