【PD - 96897汽车MOSFET特点先进的工艺技术l超低导通电阻l175 ° C工作温度l快速开】,IC型号IRFR1010Z,IRFR1010Z PDF资料,IRFR1010Z经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13751165337

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第64页 > IRFR1010Z

PD - 96897

汽车MOSFET

特点

先进的工艺技术

l

超低导通电阻

l

175 ° C工作温度

l

快速开关

l

重复性雪崩中允许多达TJMAX

l

IRFR1010Z

IRFU1010Z

HEXFET

功率MOSFET

D

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 7.5m

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。附加功能

这种设计的是一个175 ℃的结操作

温度，开关速度快，提高了

重复雪崩额定值。这些功能的COM

茎，使这个设计非常高效，

在汽车应用中使用可靠的设备

和各种其他应用程序。

绝对最大额定值

参数

G

S

I

D

= 42A

D- PAK

IRFR1010Z

马克斯。

91

65

42

360

140

0.9

± 20

I- PAK

IRFU1010Z

单位

A

I

D

@ T

C

= 25°C连续漏电流， V

GS

@ 10V

（硅有限公司）

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

P

D

@T

C

= 25 °C功耗

V

GS

线性降额因子

栅极 - 源极电压

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

E

AS （限热）

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

E

AS

（测试）

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

雪崩电流

d

h

110

220

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

g

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

热阻

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

y

y

j

参数

典型值。

马克斯。

1.11

40

110

单位

° C / W

结到环境（印刷电路板安装）

结到环境

j

ij

–––

–––

–––

HEXFET

是国际整流器公司的注册商标。

www.irf.com

1

9/29/04

IRFR/U1010Z

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

55

–––

–––

2.0

31

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

0.051

5.8

–––

–––

–––

–––

–––

–––

63

17

23

17

76

42

48

4.5

7.5

2840

470

250

1630

360

560

–––

–––

7.5

4.0

–––

20

250

200

-200

95

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

nH

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

pF

ns

nC

nA

V

m

V

S

A

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 42A

V

DS

= 25V ，我

D

= 42A

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

D

= 42A

V

DS

= 44V

V

GS

= 10V

V

DD

= 28V

I

D

= 42A

R

G

= 7.6

V

GS

= 10V

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

DS

= V

GS

, I

D

= 100A

e

e

e

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

G

D

S

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 44V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至44V

f

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

24

20

42

A

360

1.3

36

30

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 42A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 42A ，V

DD

= 28V

的di / dt = 100A / μs的

e

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

www.irf.com

IRFR/U1010Z

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

100

底部

底部

10

10

4.5V

4.5V

1

0.1

1

≤60s

脉冲宽度

TJ = 25°C

1

100

0.1

1

10

≤60s

脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

120

100

80

60

40

20

0

0

20

40

60

80

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

TJ = 25°C

ID ，漏 - 源电流

(Α)

100

TJ = 175℃

10

TJ = 175℃

1

TJ = 25°C

VDS = 25V

VDS = 10V

380μs脉宽

0.1

2

4

≤60s

脉冲宽度

6

8

10

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

www.irf.com

3

IRFR/U1010Z

5000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

20

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID = 42A

VDS = 44V

VDS = 28V

VDS = 11V

4000

16

C，电容（pF ）

3000

西塞

12

2000

8

1000

科斯

CRSS

4

0

10

100

0

1

0

20

40

60

80

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.00

10000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

100.00

TJ = 175℃

10.00

1000

100

100sec

1msec

10msec

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

VDS ，漏toSource电压（V ）

10

1.00

TJ = 25°C

VGS = 0V

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

VSD ，源极到漏极电压（V ）

1

0.10

0.1

DC

100

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRFR/U1010Z

100

不限按包

80

ID ，漏电流（ A）

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

2.5

ID = 42A

2.0

VGS = 10V

60

1.5

40

20

1.0

0

25

50

75

100

125

150

175

TC ，外壳温度（ ° C）

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

TJ ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

τ

J

τ

J

τ

1

R

1

R

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

3

τ

C

τ

τ

3

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.3854 0.000251

0.3138

0.4102

0.001092

0.015307

τ

1

τ

2

0.01

CI-

τi /日

Ci

τi /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5

查看更多IRFR1010ZPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IRFR1010Z

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IRFR1010Z

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市海虹微电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881443942 复制

电话：0755-83291010 83678410

联系人：赵小姐

地址：深圳市福田区华强北华联发大厦西座402

IRFR1010Z

INFINEON

2022

345860

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IRFR1010Z

IR

2023+

700000

SO

柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分

深圳市金亿泰电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：247773782 复制

电话：755-83252273

联系人：郑

地址：中航路新亚洲二期N3D039

IRFR1010Z

IR

24+

90000

TO-252

绝对全新原装/自己库存现货

上海熠富电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：565106636 复制

点击这里给我发消息

QQ：414322027 复制

电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

IRFR1010Z

IR

2024

20918

TO-252

上海原装现货库存，欢迎咨询合作

深圳市华创欧科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3065848471 复制

点击这里给我发消息

QQ：1391615788 复制

点击这里给我发消息

QQ：2319599090 复制

电话：0755-23945755 83248872

联系人：朱先生

地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

IRFR1010Z

IR

22+

35620

TO-252

原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471

源辰芯科技（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1076493713 复制

点击这里给我发消息

QQ：173779730 复制

电话：0755-82170267

联系人：李经理

地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210

IRFR1010Z

英飞凌-INFINEON

22+

25200

TO-252

原装现货量大可订货欢迎询价

北京元坤国际科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

IRFR1010Z

IR

21+

24600

TO-252

全新原装正品/质量有保证

深圳市科雨电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：97671959 复制

电话：171-4729-9698（微信同号）

联系人：周小姐，171-4729-9698微信同号，无线联通更快捷！

地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室

IRFR1010Z

INFINEON

24+

3000

TO-252

★体验愉快问购元件！！就找我吧!《停产物料》

深圳市金泽顺电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1101329890 复制

点击这里给我发消息

QQ：1803862608 复制

电话：0755-８２７８９２９６

联系人：朱先生／公司可以开13％的税

地址：深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。

IRFR1010Z

IR

1545+

8600

D-Pak

一级代理原装现货热卖!

深圳市向鸿伟业电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：316279873 复制

点击这里给我发消息

QQ：2110158237 复制

点击这里给我发消息

QQ：932480677 复制

点击这里给我发消息

QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519

联系人：李先生

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

IRFR1010Z

IR

2413+

21340

D-PAK

原装正品假一罚百/门市现货一只起售

查询更多IRFR1010Z供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！