IS43/46DR83200A
IS43/46DR16160A
32Mx8 ， 16Mx16 DDR2 DRAM
特点
V
dd
= 1.8V ±0.1V, V
DDQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
双倍数据速率接口：两个数据传输
在每个时钟周期
差分数据选通（ DQS ，
DQS ）
4位预取架构
片上DLL对齐DQ和DQS转换
与CK
4个内部银行的并发操作
可编程CAS延迟（CL）的3 ， 4，5，和6中
支持
中科院发布和可编程延迟添加剂
（ AL）的0，1 ，2，3 ，4和5的支持
写延时=读延时 - 1 TCK
可编程的突发长度： 4或8
可调节的数据输出驱动强度，充分，
强度降低的选项
片上端接（ ODT ）
2012年8月
描述
ISSI公司的256Mb DDR2 SDRAM采用双数据速率
体系结构来实现高速操作。该
双倍数据速率的体系结构本质上是具有4n预取
体系结构，以用于传输2的界面
每个时钟周期的数据字在I / O的球。
地址表
参数
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
COLUMN
地址
银行地址
预充电
地址
32M ×8
8M ×8× 4
银行
8K/64ms
1K （ A0 -A9 ）
BA0 ， BA1
A10
16M ×16
4M ×16× 4
银行
8K/64ms
512 (A0-A8)
BA0 ， BA1
A10
8K （ A0 - A12 ） 8K （ A0 - A12 ）
选项
配置（ S） ：
32Mx8 （ 8Mx8x4银行） IS43 / 46DR83200A
16Mx16 （ 4Mx16x4银行） IS43 / 46DR16160A
包装：
X8 ： 60球TW- BGA （采用8mm x 10.5毫米）
X16 ： 84球TW- BGA （采用8mm x 12.5毫米）
时间 - 周期时间
为2.5ns @ CL = 6 DDR2-800E
3.0ns @ CL = 5 DDR2-667D
3.75ns @ CL = 4 DDR2-533C
5.0ns @ CL = 3 DDR2-400B
温度范围：
商用（0°C
≤
Tc
≤
85°C)
工业（ -40°C
≤
Tc
≤
95°C; -40°C
≤
T
a
≤
85°C)
汽车， A1 （ -40°C
≤
Tc
≤
95°C; -40°C
≤
T
a
≤
85°C)
汽车， A2 （ -40°C
≤
TC ;牛逼
a
≤
105°C)
关键时序参数
速度等级
tRCD的
激进党
TRC
tRAS的
TCK @ CL = 3
TCK @ CL = 4
TCK @ CL = 5
TCK @ CL = 6
-25E
15
15
60
45
5
3.75
3
2.5
-3D
15
15
60
45
5
3.75
3
—
-37C
15
15
60
45
5
3.75
—
—
-5B
15
15
55
40
5
5
—
—
TC =情况下的温度，T
a
=环境温度
2012集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候没有合适的
通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得lat-
该设备规范之前依靠任何公开信息，并把订单产品前EST版本。
集成的芯片解决方案，公司不建议在生命支持应用中使用其任何产品，其中产品的故障或失效推理
巧妙地预期造成的生命支持系统的故障或显著影响其安全性或有效性。产品未被授权用于此类应用
除非集成芯片解决方案，公司收到书面保证，满意，认为：
。一）损伤或损坏的风险被最小化;
。 b）使用者承担所有风险;和
角）的潜在集成芯片解决方案的责任，公司将受到充分保护的情况下，
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08/16/2012
1
IS43 / 46DR83200A ， IS43 / 46DR16160A
概述
读取和写入访问的DDR2 SDRAM是迸发导向;存取开始在一个选定的位置，并继续
对于四个或八个在编程序列中的脉冲串长度。访问开始与Active注册
命令，然后接着是读或写命令。地址位注册重合的活性
命令用于选择银行和行访问（ BA0 - BA1选择银行; A0 - A12选择行） 。该
地址位注册一致的读或写命令被用来选择起始列位置
（A0 -A8为×16）和（A0 -A9为×8 ）的脉冲串接入和以确定是否自动预充电A10的命令是
签发。之前的正常运行，DDR2 SDRAM中必须被初始化。以下部分提供了详细的
信息包括设备初始化，寄存器定义，命令描述和设备操作。
功能框图
DMA - DMB
RDQS ，
RDQS
注意事项：
1. ：N =无。地址引脚 - 1
2. DQM ： M =没有。数据引脚 - 1
3.对于X8的设备：
DMA - DMB = DM ; DQSa - DQSb = DQS ;
DQSa
-
DQSb
=
DQS ;
RDQS ，
RDQS
只为X8提供
4.对于x16设备：
DMA - DMB = UDM ， LDM ; DQSa - DQSb = UDQS ， LDQS ;
DQSa
-
DQSb
=
UDQS ， LDQS
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IS43 / 46DR83200A ， IS43 / 46DR16160A
引脚说明表
符号
CK ，
CK
TYPE
输入
功能
时钟： CK和
CK
是差分时钟输入。所有的地址和控制输入信号
采样于CK的上升沿和下降沿的交叉
CK 。
输出（读取）数据被引用到CK的口岸和
CK
（两个方向
交叉） 。
时钟使能： CKE高激活，并且CKE低停用，内部时钟信号
与设备的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE LOW提供预充电
掉电和自刷新操作（所有银行闲置） ，或Active掉电（行
在任何银行ACTIVE ） 。 CKE是同步的POWER DOWN进入和退出，自
刷新条目。 CKE是异步的自刷新退出。之后VREF已成为
上的电源和初始化序列期间稳定的，它必须被保持
所述CKE接收器的正确操作。对于正确的自刷新出入境， VREF
必须保持到该输入端。 CKE必须保持高通量和读
写访问。输入缓冲器，但不包括CK ，
CK ，
ODT和CKE是在禁用
掉电。输入缓冲器，除CKE ，是在自刷新无效。
芯片选择：所有的命令都被屏蔽时，
CS
注册HIGH 。
CS
为
在具有多个队伍系统外部排名的选择。
CS
被认为是部分
命令代码。
片上终端： ODT （注册HIGH ）使终端电阻内部
到DDR2 SDRAM 。当启用时， ODT被施加到每个DQ ， DQS ，
的DQ ，
DM
信号。如果电子病历（1 ）被编程为禁用的ODT的ODT管脚将被忽略。
输入命令：
RAS ， CAS
和
WE
（随着
CS ）
定义命令是
输入。
输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。输入数据被屏蔽
当DM是在写访问取样与输入数据的高重合。 DM
被采样的DQS的两个边缘。虽然DM引脚的输入而已， DM装
匹配DQ和DQS装载。对于x8的，糖尿病的功能由EMRS启用
命令到EMR （1） 〔A11〕 。
银行地址输入： BA0 - BA1确定哪个银行的积极，读，写或
预充电命令被应用。银行地址也确定模式
寄存器或扩展模式寄存器中的一个是在一个MRS或要被访问
EMRS指令周期。
地址输入：提供行地址激活命令和列
地址和自动预充电位读/写命令，选择一个位置
在各个银行的存储器阵列。在一个预充电A10被采样
命令，以确定是否预充电适用于一个银行（A10低）或所有
银行（A10高） 。如果只有一家银行被预充电，该行被选中BA0 -
BA1 。地址输入也是在MRS或EMRS命令提供的操作码。
CKE
输入
CS
输入
ODT
RAS ， CAS ， WE
输入
输入
DM （ X8 ）或
UDM ， LDM （ X16 ）
输入
BA0 - BA1
输入
A0 - A12
输入
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IS43 / 46DR83200A ， IS43 / 46DR16160A
符号
DQ0-7 X8
DQ0-15 X16
TYPE
输入/
产量
功能
数据输入/输出：双向数据总线。
数据选通：与读出的数据，输入具有写入数据输出。边沿对齐的读数据，
集中在写入数据。该数据选通信号DQS的（n）可以在单端模式中使用
或搭配可选的互补信号
DQS （N ）
以提供差分对
信令系统中读取和写入操作。在EMR的控制位（ 1 ） [ A10 ]
启用或禁用所有补充数据选通信号。
输入/
产量
x8
DQS对应于数据上的DQ0 - DQ7
RDQS对应于DQ0 - DQ7的读数据，并且由EMRS启用
命令到EMR （1） 〔A11〕 。
x16
LDQS对应于数据上的DQ0 - DQ7
UDQS对应于DQ8 - DQ15数据
NC
VDDQ
VSSQ
VDDL
VSSDL
VDD
VSS
VREF
供应
供应
供应
供应
供应
供应
供应
无连接：无内部电气连接是否存在。
DQ电源： 1.8 V +/- 0.1 V
DQ地面
DLL电源： 1.8 V +/- 0.1 V
DLL地面
电源： 1.8 V +/- 0.1 V
地
参考电压
DQS （ DQS ）
RDQS ， （ RDQS ） X8
UDQS ， （ UDQS ）
LDQS ， （ LDQS ） X16
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引脚配置
封装代码： B 60球TW- BGA （俯视图） （8.00毫米× 10.5毫米身体， 0.8毫米球间距）
1 2 3 4 5 6 7 8 9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
VDD
RDQS
VSS
DQ6
VSSQ
DM / RDQS
VSSQ
的DQ
VDDQ
的DQ
VSSQ DQ7
VDDQ DQ1 VDDQ
DQ4
VSSQ DQ3
VSS
WE
BA1
A1
A5
A9
NC
VDDQ DQ0 VDDQ
DQ2
VSSDL
RAS
CAS
A2
A6
A11
NC
VSSQ DQ5
CK
CK
CS
A0
A4
A8
NC
VSS
VDD
VDD
ODT
VDDL VREF
CKE
NC
BA0
A10
VSS
A3
A7
VDD
A12
不填充
引脚名称
A0到A12
BA0 ， BA1
DQ0到DQ7
DQS ， / DQS
/ CS
CKE
CK ， / CK
DM
RDQS ， / RDQS
功能
地址输入
BANK SELECT
数据输入/输出
差分数据选通信号
芯片选择
时钟使能
差分时钟输入
写数据面膜
差分冗余数据选通
引脚名称
ODT
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VREF
VDDL
VSSDL
NC
功能
ODT控制
电源电压为内部电路
地上的内部电路
电源电压为DQ电路
地面DQ电路
输入参考电压
电源电压为DLL电路
地面的DLL电路
无连接
/ RAS ， / CAS ， / WE命令输入
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