【IS42S32200B512K位×32位×4 ，银行（ 64 MBIT ）同步动态RAM特点时钟频率】,IC型号IS42S32200B-6TLI,IS42S32200B-6TLI PDF资料,IS42S32200B-6TLI经销商,ic,电子元器件-51电子网

IS42S32200B

512K位×32位×4 ，银行（ 64 MBIT ）

同步动态RAM

特点

时钟频率： 166 ， 143 MHz的

完全同步;引用到的所有信号

时钟上升沿

隐藏行存取/预充电银行内部

单3.3V电源

LVTTL接口

可编程突发长度：

（ 1，2， 4，8，全页）

可编程突发序列：

顺序/交错

自刷新模式

4096刷新周期每64毫秒

随机列地址每个时钟周期

可编程

CAS

延迟（2,3时钟）

突发读取/写入和突发读/写单

作战能力

突发终止突发停止和预充电

命令

工业温度可用性

包400万86针TSOP II

无铅封装可用

ISSI

初步信息

2003年9月

概观

ISSI

的64Mb的同步DRAM IS42S32200B是

组织为524,288位×32位×4 -银行提高

性能。该同步DRAM实现高

使用流水线架构的高速数据传送。所有输入

并将其输出的信号参阅到所述时钟的所述个上升沿

输入。

引脚配置

（ 86引脚TSOP （ II型）

DQ0

DDQ

DQ1

DQ2

GNDQ

DQ3

DQ4

DDQ

DQ5

DQ6

GNDQ

DQ7

DQM0

CAS

RAS

BA0

BA1

A10/AP

DQM2

DQ16

GNDQ

DQ17

DQ18

DDQ

GND

DQ15

GNDQ

DQ14

DQ13

DDQ

DQ12

DQ11

GNDQ

DQ10

DQ9

DDQ

DQ8

GND

DQM1

CLK

CKE

DQM3

GND

DQ31

DDQ

DQ30

DQ29

GNDQ

DQ28

DQ27

DDQ

DQ26

DQ25

GNDQ

DQ24

GND

引脚说明

A0-A10

BA0 ， BA1

DQ0到DQ31

CLK

CKE

RAS

CAS

地址输入

银行选择地址

数据I / O

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

写使能

DQ19

DQ20

GNDQ

DQ21

DQ22

DDQ

DQ23

GND

DDQ

GND

动力

地

电源的DQ引脚

地面DQ引脚

无连接

DQM0到DQM3输入/输出面膜

恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户

之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。

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IS42S32200B

概述

64MB的SDRAM是高速CMOS ，动态

随机存取存储器的设计在3.3V操作

含67,108,864位内存系统。国内

配置为四组的DRAM ，具有同步

界面。每个16777216位银行的组织结构2048

行，256列32位。

64MB的SDRAM包括自动刷新模式，

和节电，省电模式。所有的信号都

登记在时钟信号CLK的上升沿。

所有输入和输出都是LVTTL兼容。

64MB的SDRAM有能力同步爆

在高数据速率的自动列地址的数据

一代，有能力内部银行之间的交错

隐藏预充电时间和能力，以随机

在更改地址栏上的每个时钟周期

突发存取。

在突发年底启动自定时行预充电

序列可与自动预充电

ISSI

功能启用。同时访问一个预充电一家银行

其他三家银行将隐藏预充电周期，

提供无缝，高速随机存取操作。

SDRAM的读取和写入访问被爆导向出发

在选定的位置，并继续进行编程

在编程顺序位置号。该

激活命令的登记开始访问，

其次是读或写命令。在ACTIVE

命令与注册地址位结合

用于选择和行要访问（ BA0 ， BA1

选择银行; A0 - A10选择行）。读或

在地址位一起写命令稳压

istered用于选择为起始列位置

突发的访问。

可编程的读或写突发长度由

1，2， 4 ，8个单元或整页，用一个脉冲串终止

选项。

功能框图

CLK

CKE

RAS

CAS

DQM0-3

命令

解码器

＆放大器;

时钟

发电机

DATA IN

卜FF器

模式

刷新

调节器

DQ 0-31

自

刷新

调节器

A10

BA0

BA1

数据输出

卜FF器

DDQ

GND / GNDQ

刷新

计数器

2048

行解码器

多路复用器

记忆细胞

ARRAY

ROW

地址

LATCH

ROW

地址

卜FF器

BANK 0

SENSE AMP I / O GATE

COLUMN

地址锁存

256

(x 32)

银行控制逻辑

串计数器

列解码器

COLUMN

地址缓冲器

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IS42S32200B

引脚功能

符号

A0-A10

PIN号

25至27

60至66

TYPE

输入引脚

功能（详细）

地址输入： A0 - A10在活动进行采样

ISSI

命令（行地址A0 - A10）和读/写命令（ A0 -A7

与A10限定自动预充电）选择一个位置从存储器阵列的

在各个银行。预充电命令时A10采样

确定是否所有银行都必须预充电（ A10 HIGH）或选择银行

BA0 ， BA1 （ LOW ）。地址输入也是一个LOAD期间提供操作码

模式寄存器命令。

输入引脚

银行选择地址： BA0和BA1定义哪些银行ACTIVE ， READ ，

写或预充电命令被应用。

CAS ，

在与结合

RAS

和

WE ，

形成设备的命令。见

"Command真相Table"对设备命令的详细信息。

BA0 ， BA1

CAS

CKE

22,23

所述CKE输入确定CLK输入是否被使能。下一个上升沿

CLK信号的时候是CKE高的和无效的低电平时，将是有效的。当

CKE为低电平时，器件会在两种省电模式下，时钟挂起模式，

或自刷新模式。 CKE是一个异步输入。

CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该

装置被同步于该引脚的上升沿取得。

该

输入决定了装置内的指令输入是否被使能。

指令输入时启用

低，与残疾人

为HIGH 。该

设备保持在以前的状态时

为高。

DQ0到DQ15是DQ引脚。通过这些引脚DQ可以以字节为单位进行控制

使用DQM0 - DQM3销

CLK

输入引脚

DQ0 2 ，4，5 ，7，8 ， 10,11,13

DQ31 74,76,77,79,80,82,83,85

45,47,48,50,51,53,54,56

31,33,34,36,37,39,40,42

DQM0

DQM3

16,28,59,71

DQ引脚

输入引脚

DQMx控制THEL奥尔和DQ缓冲区的高位字节。在读取模式下，

输出缓冲器都发生在高阻状态。在写周期的输入数据

蒙面。当DQMx被采样到高，是一个输入掩码信号写入访问

和输出使能信号，用于读访问。通过DQ7 DQ0被控制

DQM0 。 DQ8 throughDQ15由DQM1控制。 DQ16通过DQ23是

通过DQM2控制。 DQ24通过DQ31是由DQM3控制。

RAS ，

与联

CAS

和

WE ，

形成设备的命令。看到"Command

真相Table"项目对设备命令的详细信息。

WE ，

与联

RAS

和

CAS ，

形成设备的命令。看到"Command

真相Table"项目对设备命令的详细信息。

DDQ

是输出缓冲器的电源。

是设备内部电源。

GND

是输出缓冲器地面。

GND是设备内部的地面上。

RAS

DDQ

GND

3,9,35,41,49,55,25,81

1,15,29,43

6,12,32,38,46,52,78,84

44,58,72,86

输入引脚

电源引脚

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功能

（详细）

A0 - A10是在有效采样地址输入

（行地址A0 - A10）和读/写命令（ A0 -A7

与A10定义自动预充电）。在A10采样

预充电命令，以确定是否所有银行都来

预充电（ A10 HIGH）或选择BA0银行，

BA1 （ LOW ）。地址输入还提供操作码

在一个加载模式寄存器命令。

银行选择地址（ BA0和BA1 ）定义了银行

ACTIVE ，读，写或预充电命令是

被应用。

CAS ，

在与结合

RAS

和

WE ，

形成

设备的命令。请参阅“命令真值表”为

在设备命令的详细信息。

在CKE输入确定的CLK输入是否

启用。 CLK信号的一个上升沿将

有效时，是CKE高和无效时低。当

CKE是低电平时，该设备将在任一电源关闭

模式，时钟挂起模式，或自刷新

模式。 CKE是一个异步输入。

CLK是主时钟输入此设备。以外

CKE ，所有输入到该设备中synchroni-被收购

矩阵特殊积与该引脚的上升沿。

在CS输入决定输入的命令是否

在设备内启用。输入命令启用

当CS为低，与残疾人CS为高电平。该

设备保持以前的状态，当CS为高电平。 DQ0

通过DQ7由DQM0控制。 DQ8通过DQ15

通过DQM1控制。 DQ16通过DQ23控制

通过DQM2 。 DQ24通过DQ31是由DQM3控制。在

读模式， DQMx控制输出缓冲器。当DQMx是

低，相应的缓冲器字节使能，并且当

高禁用。输出进入高阻抗

状态时DQMx高。此功能对应

OE在传统的DRAM 。在写入模式下， DQMx控制

输入缓冲器。当DQMx为低电平时，对应的

缓冲器字节使能，并且数据可以被写入到该设备。

当DQMx为高电平时，输入数据被屏蔽而不能

写入器件。

RAS ，

与联

CAS

和

，形成器件

命令。请参阅“命令真值表”项为

在设备命令的详细信息。

在与结合

RAS

和

CAS

，形成器件

命令。请参阅“命令真值表”项为

在设备命令的详细信息。

DDQ

是输出缓冲器的电源。

是设备内部电源。

GND

是输出缓冲器地面。

GND是设备内部的地面上。

ISSI

读

READ命令选择银行从BA0 ， BA1

输入并启动突发读取访问活动行。

输入A0 -A7提供了起始列位置。当

A10为高电平时，该命令的功能为自动

预充电命令。当自动预充电是

选择时，被访问的行会在预充电

在读的最后破裂。该行将保持开放

随后的访问时，自动预充电不

选择。 DQ的读出的数据是受逻辑电平上

在DQM输入两个时钟更早。当一个给定的DQM

信号注册HIGH ，相应的DQ的意志

是高阻两个时钟后。 DQ公司将提供有效的数据

当DQM信号被登记为低电平。

写

突发写入访问活动行启动与

写命令。 BA0 ， BA1输入选择银行，并

起始列的位置由输入A0 - A7的设置。

不管是不是自动预充电时是阻止 -

通过A10开采。

被访问的行会在年底进行预充电

在写突发，如果自动预充电选择。如果

自动预充电没有被选择，则该行仍将

打开后续访问。

存储器阵列中写入相应的输入数据

DQ上的和DQM的输入逻辑电平出现在同一

时间。数据将被写入存储器时， DQM信号

低。当DQM为高电平时，相应的数据输入端

将被忽略，并且一写将不会被执行到

字节/列位置。

预充电

在预充电命令用于停用

开行特定的银行或开行的所有银行。

BA0 ， BA1 ，可用于选择银行被预充电

或者他们被视为“无关” 。 A10确定

一个或所有银行是否被预充电。执行后

该命令时，所选银行的下一个命令（多个）

在周期t的流逝之后被执行

，这是

要求银行预充电时间。一旦银行有

预充电，它是在空闲状态中，并且必须

任何读取或写入的命令是之前被激活

颁发给该银行。

自动预充电

在自动预充电功能，可确保

预充电是在一个发起在最早有效阶段

爆裂。此功能允许个人银行预充电

而无需显式命令。 A10以使

在同一个spe-一起自动预充电功能

cific读或写命令。对于每个单独的

读或写命令，自动预充电或者是

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IS42S32200B

启用或禁用。自动预充电不适

除了在全页突发模式。一旦竣工

读或写突发，银行/行预充电的

被寻址时自动执行。

ISSI

BURST TERMINATE

自动刷新命令

此命令执行自动刷新操作。

该行地址和银行进行自动刷新都

此操作过程中生成的。在规定期限（T

)

需要一个单一的刷新操作，并且没有其他

命令可以在此期间被执行。这个化合物

命令执行至少4096次，每次64毫秒。中

一个自动刷新命令，地址位是“无关

关心“ 。这个命令相当于CBR自动刷新。

该BURST TERMINATE命令强行终止

突发读取并通过截取或者写操作

固定长度或整页突发和最近

注册读或写命令前BURST

终止。

COMMAND INHIBIT

COMMAND INHIBIT防止新的命令被

执行。在正在进行的操作不会受到影响，除了

从在CLK信号是否启用

无操作

当

低，中的NOP指令防止不必要的

从在空闲或正在等待注册的命令

状态。

自刷新

在自刷新操作时，该行地址，以

被刷新，银行和刷新间隔是

自动生成的内部。自刷新即可

用于保留数据在SDRAM中没有外部

计时，即使在系统的其余部分被断电。

通过滴加开始自刷新操作

CKE引脚从高电平变为低电平。在自刷新

运行所有其他输入到SDRAM成为“不

关心“ .The设备必须保持在自刷新模式的

最低期限等于t

RAS

或可保持在自刷新

模式之外that.The SELF-无限期

刷新操作继续，只要所述CKE销

保持低电平并且也没有必要对外部控制

任何其他pins.The下一个命令不能被执行

直到设备内部回收期（T

）是否已经过去。

一旦CKE变成HIGH ，中的NOP命令必须是

发出（最少两个时钟），以用于提供时间

正在进行的任何内部刷新完成。后

自刷新，这是因为不可能确定AD-

最后一排的连衣裙被刷新，自动刷新

应立即对所有地址进行。

加载模式寄存器

在LOAD MODE值寄存器命令模式

寄存器是从A0 - A10加载。该命令只能

当所有银行都空闲的发行。

主动命令

当激活的命令被激活， BA0 ， BA1

输入选择一组将被访问，并且地址

在A0 - A10输入选择行。直到预充电

命令被发送到银行，该行保持打开

访问。

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