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IS42S32160C

16Mx32

512Mb的同步DRAM

产品特点：

时钟频率为： 166 ， 133 MHz的

完全同步操作

内部流水线结构

可编程模式

- CAS ＃延迟： 2或3

- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页

- 突发类型：交错式或线性

电源V

DDQ

+3.3V ± 0.3V

LVTTL接口

自动刷新和自刷新

Individual byte controlled by DQM0-3

2009年1月

描述：

The ISSI's IS42S32160C is a 512Mb Synchronous

DRAM configured as a quad 4M x32 DRAM. It achieves

使用流水线架构的高速数据传送

具有同步接口。所有输入和输出显

的NAL被登记在时钟输入的上升沿，

CLK. The 512Mb SDRAM is internally configured by

stacking two 256MB, 16Mx16 devices. Each of the 4M

x32 banks is organized as 8192 rows by 512 columns

by 32 bits.

关键时序参数

参数

CLK周期时间

CAS延时= 2

CAS Latency = 3

CLK频率

CAS Latency = 2

CAS Latency = 3

从时钟存取时间

CAS Latency = 2

CAS Latency = 3

-6

6.0

100

166

6.5

5.4

-75

7.5

100

133

6.5

单位

兆赫

选项：

死了修订：C

配置（ S）： 16Mx32

包（ S）： 90球BGA （ 8x13mm ）

无铅封装

温度范围：商业和工业

地址表

参数

配置？

银行地址引脚

Autoprecharge销

行地址

列地址

刷新计数

16Mx32

4M x 32 x 4 banks

BA0, BA1

A10/AP

A0 – A12

A0 – A8

8192 / 64ms

通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得lat-

该设备规范之前依靠任何公开信息，并把订单产品前EST版本。

集成的芯片解决方案，公司

版本B

01/22/09

IS42S32160C

功能框图16Mbx16 SDRAM

CLK

CKE

RAS

CAS

DQML

DQMH

命令

解码器

＆放大器;

时钟

发电机

DATA IN

卜FF器

模式

刷新

调节器

DQ 0-15

自

刷新

调节器

A10

A12

A11

BA0

BA1

数据输出

卜FF器

DDQ

刷新

计数器

8192

行解码器

多路复用器

记忆细胞

ARRAY

ROW

地址

LATCH

ROW

地址

卜FF器

BANK 0

SENSE AMP I / O GATE

COLUMN

地址锁存

512

(x 16)

银行控制逻辑

串计数器

COLUMN

地址缓冲器

列解码器

功能框图16Mbx32 SDRAM

CLK

CKE ＃

01死

命令

地址

02死

DQ0 -DQ31

集成的芯片解决方案，公司

启示录

01/22/09

IS42S32160C

针

说明

符号

TYPE

描述

CLK

CKE

输入

钟： CLK

由系统clock.All SDRAM的输入信号进行采样的正沿从动

CLK.CLK也递增内部突发计数器和控制输出寄存器。

时钟使能： CKE

激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CLK signal.If CKE变低同步

chronously与时钟（设置和保持时间相同，其它输入），内部时钟被暂停

从下一个时钟周期和输出的状态和突发地址只要被冻结为所述CKE

仍然low.When所有银行都处于空闲状态，停用时钟控制入门到

关机和自刷新modes.CKE是同步的，除了设备进入电源后，

下来，自刷新模式，在CKE变成异步直到退出以相同的模式。

输入缓冲器，包括CLK ，被禁止在关机和自刷新模式，提供

低待机功耗。

银行选择： BS0

和BS1确定哪个银行BankActivate ，读，写，或BankPrecharge

命令被应用。

地址输入： A0 -A12

在BankActivate命令期间进行采样（行地址A0 - A12 ）和

读/写命令（列地址A0- A8与A10定义自动预充电），选择一个

在各个bank.During一个预充电命令的位置， A10被采样，以确定是否所有

银行将被预充电（ A10 =高）。

地址输入时也一个模式寄存器设置为操作码。

BS0 ， BS1输入

A0 -A12输入

CS ＃

输入

芯片选择： CS ＃

使（采样为低电平）和禁用（采样HIGH ）命令decoder.All

当CS ＃采样HIGH.CS ＃为外部银行选择上的命令被屏蔽

多banks.It系统被认为是命令代码的一部分。

行地址选通：中

RAS ＃信号定义结合的操作命令与

CAS ＃和WE ＃信号，并锁定在CLK.When RAS ＃和CS ＃正边缘AS-i

牢固插入“LOW”和CAS ＃是断言“高”，无论是BankActivate命令或预充电

命令被选中的WE＃ signal.When在WE ＃被认定为“高”的BankActivate的COM

命令被选中，由BS指定的银行接通到活动状态。当在WE ＃是

置为“低”的预充电命令被选中，由BS指定的银行被切换到

在预充电操作之后的空闲状态。

列地址选通：中

CAS ＃信号定义结合的操作命令与

RAS＃和WE＃信号，并锁存于CLK的上升沿。当RAS ＃保持“高”，

CS ＃是断言“低”栏目的访问是通过断言CAS ＃启动“低”。然后，阅读或

写命令由WE＃置“低”或“高”。

写使能：该

WE＃信号的定义结合的操作命令与RAS ＃和

CAS＃信号，并锁存于CLK.The WE＃的输入的上升沿被用于选择

BankActivate或预充电命令和读或写命令。

数据输入/输出面膜： DQM0 - DQM3

字节是具体的非持久性的I / O缓冲区的控制。在I / O

缓冲器置于高阻抗状态时的DQM采样HIGH.Input数据时掩蔽DQM

在写cycle.Output数据被屏蔽采样为高电平（双时钟延迟）时， DQM是

在读周期采样为高。 DQM3口罩DQ31 - DQ24 ， DQM2口罩DQ23 - DQ16 ， DQM1

口罩DQ15 - DQ8和DQM0口罩DQ7 - DQ0 。

RAS ＃

输入

CAS ＃

输入

WE＃

输入

DQM0-3输入

DQ0-31输入/

数据I / O ：在

DQ0-31的输入和输出数据与CLK的上升沿同步。

产量

在I / O是字节屏蔽期间读取和写入。

集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774

启示录

01/22/09

IS42S32160C

引脚配置

封装代码： B 90球FBGA （顶视图）（8.00毫米× 13.00毫米身体， 0.8毫米球间距）

1 2 3 4 5 6 7 8 9

引脚说明

A0-A12

A0-A8

BA0 ， BA1

DQ0到DQ31

CLK

CKE

RAS

CAS

行地址输入

列地址输入

银行选择地址

数据I / O

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

DQM0-DQM3

VSS

DDQ

VSS

写使能

X32输入/输出面膜

动力

地

电源的I / O引脚

地面的I / O引脚

无连接

DQ26 DQ24

VSS

VDD DQ23 DQ21

VDDQ VSSQ DQ19

DQ22 DQ20 VDDQ

DQ17 DQ18 VDDQ

A10

BA0

CAS

VDD

DQ6

DQ1

DQ16 VSSQ

DQM2 VDD

BA1

A11

RAS

DQ28 VDDQ VSSQ

VSSQ DQ27 DQ25

VSSQ DQ29 DQ30

VDDQ DQ31

VSS DQM3

CLK

DQM1

CKE

A12

VSS

DQM0

DQ7 VSSQ

DQ5 VDDQ

DQ3 VDDQ

VDDQ DQ8

VSSQ DQ10 DQ9

VSSQ DQ12 DQ14

DQ11 VDDQ VSSQ

DQ13 DQ15

VSS

VDDQ VSSQ DQ4

VDD

DQ0

DQ2

集成的芯片解决方案，公司

启示录

01/22/09

IS42S32160C

操作模式

完全同步操作执行到锁存命令在CLK的上升沿。事实表所示

操作命令。

真值表

命令

BankActivate

BankPrecharge

PrechargeAll

写

(1),(2)

状态

空闲

(3)

任何

活跃

(3)

CKEN - 1 CKE

DQM

(6)

BS0,1

A10 A12, A11

A9-0

行地址

COLUMN

地址

(A0 ~A8)

COLUMN

地址

(A0 ~A8)

CS ＃ RAS ＃ CAS ＃ WE＃

写和自动预充电活动

(3)

读

阅读和AutoPrecharge

模式寄存器

无操作

突发停止

设备取消

自动刷新

SelfRefresh入口

SelfRefresh退出

活跃

(3)

活跃

(3)

设置IDLE

任何

活跃

(4)

任何

空闲

（ SelfRefresh ）

时钟挂起模式进入活跃

掉电模式进入

任何

(5)

操作码

时钟挂起模式退出活动

掉电模式退出

任何

（掉电）

数据写入/输出使能活动

数据面膜/输出禁止活动

注意：

1， V =有效， X =唐'吨照顾， L =逻辑低， H =逻辑高

2. CKEN信号提供命令时，输入电平。

CKEN -1信号被输入一个级别时钟周期中提供的命令之前。

3.这是由BS信号指定银行的状态。

4.设备状态是1,2,4,8和全页突发操作。

5.掉电模式不能在突发操作输入。

当这个命令是断言，在突发周期，设备状态时钟挂起模式。

6. DQM0-3

集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774

启示录

01/22/09