汽车MOSFET
典型应用
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PD -95152
电动助力转向系统（ EPS ）
防抱死制动系统（ ABS ）
雨刮控制
气候控制
电动门
LEAD -FREE
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
G
IRFBA1405PPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 5.0m
S
好处
l
l
l
l
l
l
I
D
= 174A
描述
专为汽车应用，这种条纹平面设计
HEXFET的
功率MOSFET采用了最新的处理技术，
实现极低的导通电阻每硅片面积。附加功能
这种MOSFET的是175
o
C结的工作温度，快速
开关速度和单和重复提高耐用性
雪崩。超级-220
TM
是已经被设计成一个包
具有相同的机械外形和引脚作为行业标准
的TO-220 ，但可以容纳相当大的硅芯片。其结果是
以上两者的TO-220显著增加电流处理能力
和更大的TO- 247封装。极低的结合
导通电阻的硅和超级-220
TM
包使得它非常适合于
减少了元件数量在multiparalled的TO-220的应用，减少
系统功耗，提升现有设计或者有TO- 247
性能在一个TO -220的轮廓。这个包已经被设计为
满足汽车， Q101 ，资格标准。
这些优点使该设计的一个非常有效和可靠的设备
在汽车应用中使用，各种其他应用程序。
Super-220
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
推荐夹力
马克斯。
174
123
680
330
2.2
± 20
560
看到图12a ， 12b中，15，16
5.0
-40 + 175
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
20
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
N
www.irf.com
1
09/14/04
IRFBA1405PPbF
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
10
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
1
0.1
10
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
T
J
= 175
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
T
J
= 25
°
C
I
D
= 169A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
100
2.0
1.5
10
1.0
0.5
1
4
6
8
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
10
12
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
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