IS42S83200A
（ 4 - X银行8,388,608 - 字×8位）
IS42S16160A
（ 4 - X银行4,194,304 - 字×16位）
ISSI
2005年11月
256 MB同步DRAM
描述
IS42S83200A是一个同步
256Mb
SDRAM是
组织为4 - X银行8,388,608字×8位;和
IS42S16160A组织为4 - X银行4,194,304字X
16-bit.
所有输入和输出都引用到上升
CLK的边缘。
IS42S83200A
和
IS42S16160A
实现非常
高速时钟速率
高达166MHz的，
并
适用于主存储器或
图像
记忆中的计算机系统。
特点
项
TCLK
时钟周期时间
（分）
CL=2
CL=3
IS42S83200A/16160A
-6
-
6
42
15
CL=2
CL=3
-7
-
7
45
20
-
5.4
63
-75
10
7.5
45
20
6
5.4
67.5
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
mA
tRAS的活动，以预充电命令周期（分钟）。
（分）
tRCD的行列延时
TAC
TRC
Icc1
Icc6
从CLK访问时间
REF /主动命令时期
工作电流（单银行）
自刷新电流
（ MAX 。 ）
（分）
（ MAX 。 ）
IS42S83200A
IS42S16160A
-
5
60
-
130
3
-
130
3
-
3
（最大值） -6 ， -7 ， -75
- 单3.3V ± 0.3V电源
- 最大。时钟频率：
-6： 166MHz<3-3-3>
-7 ： 143MHz<3-3-3>
-75 ： 133MHz<3-3-3>
- 完全同步操作参考时钟上升沿
- 由BA0控制的4 -银行操作， BA1 （银行地址）
- / CAS延时： 2/3 （可编程）
- 突发长度 - 1/2/ 4/8 / FP （可编程）
- 突发类型 - 顺序和交错爆裂（可编程）
- 字节控制 - DQML和DQMU （ IS42S16160A ）
- 随机接入列
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 自动和自刷新
- 8192刷新周期/ 64ms的（ 4银行同步更新）
- LVTTL接口
- 行地址A0-12 /列地址A0-9 （ X8 ） / A0-8 （ X16 ）
- 包装：
400万， 54引脚薄型小外形封装（ TSOP II ） ，具有0.8mm引脚间距
-
无铅可用
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IS42S83200A
IS42S16160A
（ 4 - X银行8,388,608 - 字×8位）
（ 4 - X银行4,194,304 - 字×16位）
ISSI
引脚配置（顶视图）
x8
x16
VDD
DQ0
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
VDD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
DQML
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
DQMU
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VDDQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
400mil X 875mil 54pin 0.8mm间距TSOP （ II ）
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQ0-15
：主时钟
：时钟使能
：片选
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：数据I / O
DQM ， DQMU / L
A0-12
BA0,1
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
：输出禁用/写屏蔽
：地址输入
：银行地址输入
：电源
：电源的输出
：地面
：接地输出
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IS42S83200A
IS42S16160A
框图
（ 4 - X银行8,388,608 - 字×8位）
（ 4 - X银行4,194,304 - 字×16位）
ISSI
DQ0-7
I / O缓冲器
存储阵列
8192x1024x8
电池阵列
存储阵列
8192x1024x8
电池阵列
存储阵列
8192x1024x8
电池阵列
存储阵列
8192x1024x8
电池阵列
银行＃ 0
银行＃ 1
银行＃ 2
银行＃ 3
模式
注册
控制电路
地址缓冲器
时钟缓冲器
控制信号缓冲
A0-12
BA0,1
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQM
注意：图中显示了
IS42S83200A
该IS42S16160A配置单元阵列和DQ0-15的8192x512x16
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IS42S16160A
（ 4 - X银行8,388,608 - 字×8位）
（ 4 - X银行4,194,304 - 字×16位）
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引脚功能
CLK
输入
主时钟：
所有其它输入都参考CLK的上升沿
时钟使能：
CKE控制内部clock.When CKE为低，内部时钟
下面的循环停止。 CKE也可以用来选择
自动/自刷新。
之后，开始自刷新模式中， CKE变成异步输入。
只要CKE低自刷新保持。
片选：
当/ CS为高电平时，任何命令意味着任何操作。
的RAS /组合， / CAS ， /我们定义了基本的命令。
A0-12与BA0,1一起指定行/列地址。
该行地址是通过A0-12指定。
列地址由A0-9 （ X8 ） / A0-8 （ X16 ）指定。
A10也被用于指示预充电选项。当A10是在高一
读/写命令时，自动预充电被执行。当A10是
在高预充电命令，所有银行都预充电。
银行地址：
BA0,1指定该命令适用四家银行之一。
BA0,1必须ACT ， PRE ，读来设置，写入命令。
CKE
输入
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
输入
输入
A0-12
输入
BA0,1
输入
DQ0-7(x8),
DQ0-15(x16)
DQM(x8),
DQMU/L(x16)
VDD ， VSS
VDDQ ， VSSQ
输入/输出
数据在与数据输出被引用到CLK的上升沿。
嚣面膜/输出禁止：
当DQM （ U / L）是高突发写入，DIN当前周期
蒙面。当DQM （ U / L）是高突发读取，
Dout的下一个，但一个周期禁用。
电源，用于在存储器阵列和外围电路。
输入
电源
电源
VDDQ和VSSQ被提供给唯一的输出缓冲器。
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（ 4 - X银行8,388,608 - 字×8位）
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基本功能
该
IS42S83200A/16160A
提供了基本的
功能，
银行（行）激活，突发读取/写入，银行（行）
预充电，
和自动/自刷新。
每一个命令是由/ RAS控制信号定义，
/ CAS和/ WE在CLK的上升沿。除了3个信号，
/ CS ， CKE和A10作为片选，刷新OPT离子，
和预充电的选项，分别。
要知道的命令的详细的定义，
请参阅命令真值表。
CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
A10
芯片选择： L =选择， H =取消
命令
命令
命令
刷新选项@刷新命令
预充电选@预充电或读/写命令
定义基本的命令
激活（ ACT ） [ / RAS = L ， / CAS = / WE = H]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
读（READ ） [ / RAS = H ， / CAS = L ， / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。
后/ CAS延迟第一个输出数据出现。当A10 = H在此命令，
该银行被停用突发读取（自动预充电后，
READA ） 。
写（ WRITE） [ / RAS = H， / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。总
要写入的数据长度是由脉冲串长度设置。当A10 = H在此命令，
突发写入后，该银行被关闭（自动预充电，
WRITEA ） 。
预充电（PRE ） / RAS = L ， / CAS = H， / WE = L]
PRE command deactivates the active bank indicated by BA. This com
命令还终止突发的读/写操作。当A10 = H在此
命令，所有银行都取消（预充电所有，
PREA
).
自动刷新（ REFA ） [ / RAS = / CAS = L ， / WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址包括银行
地址是内部产生。该命令后，银行
自动预充电。
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