IDTQS3R861
高速CMOS 10位低电阻总线开关
工业温度范围
快速切换
制品
高速CMOS 10位低
与抗性的总线开关
流通引脚排列
IDTQS3R861
产品特点：
描述：
增强型N沟道场效应管，没有内在二极管到Vcc
2.5Ω双向开关连接输入输出
零传播延迟，零地反弹
冲钳位二极管上的所有开关和控制输入
采用SOIC和QSOP封装
该QS3R861提供了一组10高速CMOS TTL兼容
总线开关。该QS3R861的非常低的导通电阻（ 2.5Ω ），允许
输入，而不会增加传播延迟和无连接
产生额外的接地反弹噪声。该总线使能（ BE ）信号
导通的开关。
低开的QS3R861的性使其非常适用于PCI可热
堵塞或热交换应用。
该QS3R861的特点是工作在-40 ° C至+ 85°C 。
应用范围：
热交换，热对接（ PCI和低电阻
紧凑型PCI应用程序）
电压转换（ 5V至3.3V ）
电源保护
减小电容isloation
总线隔离
时钟门控
功能框图
A
0
B
0
A
9
B
9
BE
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
工业温度范围
1
c
1999集成设备技术有限公司
1999年11月
DSC-5543/2
IDTQS3R861
高速CMOS 10位低电阻总线开关
工业温度范围
电源特性
符号
I
CCQ
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
每输入高功率电源电流
(3)
每MHz的动态电源电流
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
, f = 0
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ， F = 0
V
CC
=最大值， A和B引脚开路，
BE
INPUT切换@占空比为50％
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.典型值是在V
CC
= 5V和T
A
= 25°C.
3.每TTL驱动的输入端（V
IN
= 3.4V ，只控制输入） 。 A和B引脚不利于
ΔIcc 。
3.该电流仅适用于控制输入和表示在特定的频率进行切换内部电容所需的电流。 A和B投入不产生显著
交流或直流电流，因为他们过渡。此参数是保证，但未经生产测试。
典型值。
(2)
0.2
马克斯。
3
2.5
0.25
单位
A
mA
毫安/ MHz的
开关特性在工作范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5V ± 10%
C
负载
= 50pF的，R
负载
= 500Ω ，除非另有说明。
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
参数
数据传输延迟
(2)
A到B ， B到A
开关导通延迟
BE
为A或B
开关关断延迟
(2)
BE
为A或B
民
.
(1)
1.5
1.5
典型值。
马克斯。
0.12
(3)
5.6
4.5
单位
ns
ns
ns
注意事项：
1.最低金额的保证，但未经生产测试。
2.此参数是保证，但未经生产测试。
3.总线开关有助于无传播延迟大于所述开关的导通电阻和负载电容的RC延迟等。时间常数为单独的开关
为0.12ns在C中的顺序
L
= 50pF的。由于该时间常数比上升小得多和下降的典型的驱动信号时，它增加了非常小的传播延迟的
系统。根据总线开关的传播延迟，在一个系统中使用时，是通过在开关的驱动侧的驱动电路及其与负载相互作用所决定
从动侧。
4
IDTQS3R861
高速CMOS 10位低电阻总线开关
工业温度范围
订购信息
IDTQS XXXXX
设备类型
XX
包
X
过程
空白
工业级（-40° C至+ 85°C ）
SO
Q
QG
3R861
小外形集成电路
四分之一大小外形包装
QSOP - 格林
高速CMOS 10位低电阻总线开关
与流向排列
公司总部
2975斯坦德路
圣克拉拉， CA 95054
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5
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