IS42S16100C1
512K字×16位×2组（ 16兆位）
同步动态RAM
特点
时钟频率： 200 ， 166 ， 143 MHz的
完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
两个银行可以同时操作，
独立地
双内部银行通过控制A11
（银行选择）
单3.3V电源
LVTTL接口
可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
可编程突发序列：
顺序/交错
4096刷新周期每64毫秒
随机列地址每个时钟周期
可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
突发终止突发站，
预充电命令
字节由LDQM和UDQM控制
工业温度高达143 MHz的
包400万50针TSOP -II ， 60球FBGA
无铅封装选项
ISSI
2006年11月
描述
ISSI
的16Mb的同步DRAM IS42S16100C1是
组织为524,288字×16位×2 ，银行
改进的性能。该同步DRAM
使用流水线实现高速数据传输
架构。所有输入和输出信号的参考
时钟输入的上升沿。
销刀豆网络gurations
50引脚TSOP （ II型）
VDD
DQ0
DQ1
GNDQ
DQ2
DQ3
VDDQ
DQ4
DQ5
GNDQ
DQ6
DQ7
VDDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
DQ15
IDQ14
GNDQ
DQ13
DQ12
VDDQ
DQ11
DQ10
GNDQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
A0-A10
A11
A0-A7
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
地址输入
行地址输入
银行选择地址
列地址输入
数据DQ
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
CAS
WE
LDQM
UDQM
VDD
GND
VDDQ
GNDQ
NC
列地址选通命令
写使能
低再见，输入/输出面膜
上再见，输入/输出面膜
动力
地
电源的DQ引脚
地面DQ引脚
无连接
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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1
IS42S16100C1
引脚配置
ISSI
1 2 3 4 5 6 7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
封装代码： B 60球FBGA （顶视图） （10.1毫米× 6.4毫米身体， 0.65毫米球间距）
VSS DQ15
DQ14 VSSQ
DQ13 VDDQ
DQ12 DQ11
DQ10 VSSQ
DQ9 VDDQ
DQ8
NC
NC
NC
DQ0
VDD
VDDQ DQ1
VSSQ DQ2
DQ4
DQ3
VDDQ DQ5
VSSQ DQ6
NC
NC
LDQM
RAS
NC
NC
A0
A2
A3
DQ7
NC
WE
CAS
CS
NC
A10
A1
VDD
NC UDQM
NC
CKE
A11
A8
A6
VSS
CLK
NC
A9
A7
A5
A4
引脚说明
A0-A10
A0-A7
A11
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
行地址输入
列地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
WE
LDQM ， UDQM
V
DD
VSS
V
DDQ
VSS
Q
NC
写使能
X16输入/输出面膜
动力
地
电源的I / O引脚
地面的I / O引脚
无连接
2
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IS42S16100C1
引脚功能
PIN号
20至24
27 32
符号
A0-A10
TYPE
输入引脚
功能（详细）
ISSI
A0到A10是地址输入。 A0 - A10是在主动作为行地址输入
在读或写命令的命令输入， A0 -A7为地址栏输入
输入。 A10也用在其它的命令，以确定在预充电模式。如果
A10是预充电命令在低， A11所选择的银行进行预充电，
但如果A10为高电平时，两家银行将预充电。
当A10是高读取或写入命令周期，预充电启动
后自动突发访问。
这些信号成为操作码的模式寄存器设置命令中的一部分
输入。
A11是所述存储体选择信号。当A11为低电平时，选择Bank 0时
高，银行1被选中。该信号成为操作码的过程模式部分
注册set命令的输入。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
所述CKE输入决定了装置内的CLK输入是否被使能。当
是CKE高电平时，在CLK信号的下一个上升沿将是有效的，和LOW时，
无效的。当CKE为低电平时，器件会无论是在掉电模式下，
时钟暂停模式或自刷新模式。所述CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该设备
同步于该引脚的上升沿被获取。
该
CS
输入决定了装置内的指令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该
设备保持在以前的状态时
CS
为高。
DQ0到DQ15是DQ引脚。通过这些引脚DQ可以以字节为单位进行控制
使用LDQM和UDQM引脚。
LDQM和UDQM控制的DQ缓冲器的下限和上限字节。在读
模式， LDQM和UDQM控制输出缓冲器。当LDQM UDQM或为低，
相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去
到高阻抗状态时LDQM / UDQM为HIGH 。此功能
对应于
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM控制
输入缓冲器。当LDQM或UDQM为低电平时，对应的缓冲器字节是
启用，并且数据可以被写入到该设备。当LDQM UDQM或为高，输入
数据被屏蔽，不能写入设备。
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
VDDQ是输出缓冲器的电源。
VDD是器件内部电源。
GNDQ是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
19
A11
输入引脚
16
34
CAS
CKE
输入引脚
输入引脚
35
18
CLK
CS
输入引脚
输入引脚
2, 3, 5, 6, 8, 9, 11
12, 39, 40, 42, 43,
45, 46, 48, 49
14, 36
DQ0到
DQ15
LDQM ，
UDQM
DQ引脚
输入引脚
17
15
7, 13, 38, 44
1, 25
4, 10, 41, 47
26, 50
RAS
WE
VDDQ
VDD
GNDQ
GND
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
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3
IS42S16100C1
功能框图
ISSI
命令
解码器
＆放大器;
时钟
发电机
行解码器
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A11
模式
注册
11
11
ROW
地址
卜FF器
记忆细胞
ARRAY
2048
11
BANK 0
DQM
SENSE AMP I / O GATE
A10
8
COLUMN
地址缓冲器
串计数器
COLUMN
地址锁存
DATA IN
卜FF器
16
16
256
列解码器
行解码器
多路复用器
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
刷新
调节器
自
刷新
调节器
DQ 0-15
8
256
SENSE AMP I / O GATE
刷新
计数器
数据输出
卜FF器
16
16
11
ROW
地址
LATCH
11
ROW
地址
卜FF器
2048
记忆细胞
ARRAY
VDD / VDDQ
GND / GNDQ
银行1
11
S16BLK.eps
4
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IS42S16100C1
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
最大
V
DDQ
最大
V
IN
V
OUT
P
MAX
I
CS
T
OPR
T
英镑
参数
最大电源电压
最大电源电压为输出缓冲
输入电压
输出电压
允许功耗
输出短路电流
工作温度
储存温度
COM
IND 。
等级
单位
ISSI
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
1
50
0至+70
-40至+85
W
mA
°C
°C
-55 + 150℃
DC推荐工作条件
(2)
(
在T
A
= 0至+ 70 ° C）
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
(3)
输入低电压
(4)
分钟。
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
DD
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
电容特性
(1,2)
（在T
A
= 0至+ 25 ° C， VDD = VDDQ = 3.3 ± 0.3V ， F = 1兆赫）
符号
C
IN
1
C
IN
2
CI / O
参数
输入电容： A0 -A11
输入电容（ CLK ， CKE ，
CS ， RAS ， CAS，WE ，
LDQM ， UDQM ）
数据输入/输出电容： DQ0 - DQ15
典型值。
—
—
—
马克斯。
4
4
5
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这
是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件的说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2.所有电压参考GND 。
3. V
IH
（MAX） = V
DDQ
+ 2.0V的脉冲宽度
≤
3纳秒。
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5
IS42S16100C1
512K字×16位×2组（ 16兆位）
同步动态RAM
特点
时钟频率： 200 ， 166 ， 143 MHz的
完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
两个银行可以同时操作，
独立地
双内部银行通过控制A11
（银行选择）
单3.3V电源
2.5V V
DD
可用选项
LVTTL接口
可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
可编程突发序列：
顺序/交错
4096刷新周期每64毫秒
随机列地址每个时钟周期
可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
突发终止突发站，
预充电命令
字节由LDQM和UDQM控制
工业温度高达143 MHz的
包400万50针TSOP II
无铅封装选项
ISSI
2004年7月
描述
ISSI
的16Mb的同步DRAM IS42S16100C1是
组织为524,288字×16位×2 ，银行
改进的性能。该同步DRAM
使用流水线实现高速数据传输
架构。所有输入和输出信号的参考
时钟输入的上升沿。
销刀豆网络gurations
50引脚TSOP （ II型）
VDD
DQ0
DQ1
GNDQ
DQ2
DQ3
VDDQ
DQ4
DQ5
GNDQ
DQ6
DQ7
VDDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
DQ15
IDQ14
GNDQ
DQ13
DQ12
VDDQ
DQ11
DQ10
GNDQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
A0-A10
A11
A0-A7
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
地址输入
行地址输入
银行选择地址
列地址输入
数据DQ
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
CAS
WE
LDQM
UDQM
VDD
GND
VDDQ
GNDQ
NC
列地址选通命令
写使能
低再见，输入/输出面膜
上再见，输入/输出面膜
动力
地
电源的DQ引脚
地面DQ引脚
无连接
2004集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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1
IS42S16100C1
引脚功能
PIN号
20至24
27 32
符号
A0-A10
TYPE
输入引脚
功能（详细）
ISSI
A0到A10是地址输入。 A0 - A10是在主动作为行地址输入
在读或写命令的命令输入， A0 -A7为地址栏输入
输入。 A10也用在其它的命令，以确定在预充电模式。如果
A10是预充电命令在低， A11所选择的银行进行预充电，
但如果A10为高电平时，两家银行将预充电。
当A10是高读取或写入命令周期，预充电启动
后自动突发访问。
这些信号成为操作码的模式寄存器设置命令中的一部分
输入。
A11是所述存储体选择信号。当A11为低电平时，选择Bank 0时
高，银行1被选中。该信号成为操作码的过程模式部分
注册set命令的输入。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
所述CKE输入决定了装置内的CLK输入是否被使能。当
是CKE高电平时，在CLK信号的下一个上升沿将是有效的，和LOW时，
无效的。当CKE为低电平时，器件会无论是在掉电模式下，
时钟暂停模式或自刷新模式。所述CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该设备
同步于该引脚的上升沿被获取。
该
CS
输入决定了装置内的指令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该
设备保持在以前的状态时
CS
为高。
DQ0到DQ15是DQ引脚。通过这些引脚DQ可以以字节为单位进行控制
使用LDQM和UDQM引脚。
LDQM和UDQM控制的DQ缓冲器的下限和上限字节。在读
模式， LDQM和UDQM控制输出缓冲器。当LDQM UDQM或为低，
相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去
到高阻抗状态时LDQM / UDQM为HIGH 。此功能
对应于
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM控制
输入缓冲器。当LDQM或UDQM为低电平时，对应的缓冲器字节是
启用，并且数据可以被写入到该设备。当LDQM UDQM或为高，输入
数据被屏蔽，不能写入设备。
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
VDDQ是输出缓冲器的电源。
VDD是器件内部电源。
GNDQ是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
19
A11
输入引脚
16
34
CAS
CKE
输入引脚
输入引脚
35
18
CLK
CS
输入引脚
输入引脚
2, 3, 5, 6, 8, 9, 11
12, 39, 40, 42, 43,
45, 46, 48, 49
14, 36
DQ0到
DQ15
LDQM ，
UDQM
DQ引脚
输入引脚
17
15
7, 13, 38, 44
1, 25
4, 10, 41, 47
26, 50
RAS
WE
VDDQ
VDD
GNDQ
GND
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
2
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07/21/04
IS42S16100C1
功能框图
ISSI
命令
解码器
＆放大器;
时钟
发电机
行解码器
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A11
模式
注册
11
11
ROW
地址
卜FF器
记忆细胞
ARRAY
2048
11
BANK 0
DQM
SENSE AMP I / O GATE
A10
8
COLUMN
地址缓冲器
串计数器
COLUMN
地址锁存
DATA IN
卜FF器
16
16
256
列解码器
行解码器
多路复用器
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
刷新
调节器
自
刷新
调节器
DQ 0-15
8
256
SENSE AMP I / O GATE
刷新
计数器
数据输出
卜FF器
16
16
11
ROW
地址
LATCH
11
ROW
地址
卜FF器
2048
记忆细胞
ARRAY
VDD / VDDQ
GND / GNDQ
银行1
11
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IS42S16100C1
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD MAX
V
DDQ MAX
V
IN
V
OUT
P
MAX
I
CS
T
OPR
T
英镑
参数
最大电源电压
最大电源电压为输出缓冲
输入电压
输出电压
允许功耗
输出短路电流
工作温度
储存温度
COM
IND 。
等级
单位
ISSI
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
1
50
0至+70
-40至+85
W
mA
°C
°C
-55 + 150℃
DC推荐工作条件
(2)
(
在T
A
= 0至+ 70 ° C）
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
(3)
输入低电压
(4)
分钟。
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
DD
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
电容特性
(1,2)
（在T
A
= 0至+ 25 ° C， VDD = VDDQ = 3.3 ± 0.3V ， F = 1兆赫）
符号
C
IN
1
C
IN
2
CI / O
参数
输入电容： A0 -A11
输入电容（ CLK ， CKE ，
CS ， RAS ， CAS，WE ，
LDQM ， UDQM ）
数据输入/输出电容： DQ0 - DQ15
典型值。
—
—
—
马克斯。
4
4
5
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这
是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件的说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2.所有电压参考GND 。
3. V
IH
（MAX） = V
DDQ
+ 2.0V的脉冲宽度
≤
3纳秒。
4
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07/21/04
IS42S16100C1
ISSI
速度
分钟。
–5
–5
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5
5
—
0.4
170
160
140
160
3
4
2
3
40
30
30
170
150
130
150
170
150
130
150
120
100
70
90
120
100
70
90
1
单位
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
m
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
符号参数
I
IL
输入漏电流
I
OL
V
OH
V
OL
I
CC1
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
VDD ，与销比其他
在0V测试针
输出漏电流
输出时， 0V
≤
V
OUT
≤
VDD
输出高电压I级
OUT
= -2毫安
输出低电压I级
OUT
= 2毫安
工作电流
(1,2)
一家银行工作，
CAS
延时= 3
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分）
I
OUT
= 0毫安
预充电待机CurrentCKE
≤
V
IL
(
最大
)
t
CK
= t
CK
(
民
)
（掉电模式）
主动待机电流
CKE
≥
V
IH
(
民
)
（在非掉电模式）
工作电流
（在突发模式）
(1)
t
CK
= t
CK
(
民
)
I
OUT
= 0毫安
t
CK
=
∞
t
CK
= t
CK
(
民
)
t
CK
=
∞
CAS
延时= 3
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC3N
I
CC3NS
I
CC4
COM 。
COM 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
COM 。
COM 。
IND 。
COM 。
COM 。
COM 。
IND 。
COM 。
COM 。
COM 。
IND 。
COM 。
COM 。
COM 。
IND 。
CAS
延时= 2
I
CC5
自动刷新当前
t
RC
= t
RC
(
民
)
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
I
CC6
自刷新电流
CKE
≤
0.2V
-5
-6
-7
-7
—
—
—
—
—
—
—
-5
-6
-7
-7
-5
-6
-7
-7
-5
-6
-7
-7
-5
-6
-7
-7
—
注意事项：
1.这些是在最小循环时间的值。由于电流瞬变，这些值减小，周期时间
增加。还注意的是，至少为0.01 μF的旁路电容应V之间插入
DD
和GND为每
内存芯片来抑制电源噪声电压（电压降），由于这些瞬态电流。
2.电流Icc
1
和ICC
4
依赖于输出负载。该最大值的Icc
1
和ICC
4
与输出开路状态而异。
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5
IS42S16100C1
512K字×16位×2组（ 16兆位）
同步动态RAM
特点
时钟频率： 200 ， 166 ， 143 MHz的
完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
两个银行可以同时操作，
独立地
双内部银行通过控制A11
（银行选择）
单3.3V电源
2.5V V
DD
可用选项
LVTTL接口
可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
可编程突发序列：
顺序/交错
4096刷新周期每64毫秒
随机列地址每个时钟周期
可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
突发终止突发站，
预充电命令
字节由LDQM和UDQM控制
工业温度高达143 MHz的
包400万50针TSOP II
无铅封装选项
ISSI
2004年7月
描述
ISSI
的16Mb的同步DRAM IS42S16100C1是
组织为524,288字×16位×2 ，银行
改进的性能。该同步DRAM
使用流水线实现高速数据传输
架构。所有输入和输出信号的参考
时钟输入的上升沿。
销刀豆网络gurations
50引脚TSOP （ II型）
VDD
DQ0
DQ1
GNDQ
DQ2
DQ3
VDDQ
DQ4
DQ5
GNDQ
DQ6
DQ7
VDDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
DQ15
IDQ14
GNDQ
DQ13
DQ12
VDDQ
DQ11
DQ10
GNDQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
A0-A10
A11
A0-A7
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
地址输入
行地址输入
银行选择地址
列地址输入
数据DQ
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
CAS
WE
LDQM
UDQM
VDD
GND
VDDQ
GNDQ
NC
列地址选通命令
写使能
低再见，输入/输出面膜
上再见，输入/输出面膜
动力
地
电源的DQ引脚
地面DQ引脚
无连接
2004集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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1
IS42S16100C1
引脚功能
PIN号
20至24
27 32
符号
A0-A10
TYPE
输入引脚
功能（详细）
ISSI
A0到A10是地址输入。 A0 - A10是在主动作为行地址输入
在读或写命令的命令输入， A0 -A7为地址栏输入
输入。 A10也用在其它的命令，以确定在预充电模式。如果
A10是预充电命令在低， A11所选择的银行进行预充电，
但如果A10为高电平时，两家银行将预充电。
当A10是高读取或写入命令周期，预充电启动
后自动突发访问。
这些信号成为操作码的模式寄存器设置命令中的一部分
输入。
A11是所述存储体选择信号。当A11为低电平时，选择Bank 0时
高，银行1被选中。该信号成为操作码的过程模式部分
注册set命令的输入。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
所述CKE输入决定了装置内的CLK输入是否被使能。当
是CKE高电平时，在CLK信号的下一个上升沿将是有效的，和LOW时，
无效的。当CKE为低电平时，器件会无论是在掉电模式下，
时钟暂停模式或自刷新模式。所述CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该设备
同步于该引脚的上升沿被获取。
该
CS
输入决定了装置内的指令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该
设备保持在以前的状态时
CS
为高。
DQ0到DQ15是DQ引脚。通过这些引脚DQ可以以字节为单位进行控制
使用LDQM和UDQM引脚。
LDQM和UDQM控制的DQ缓冲器的下限和上限字节。在读
模式， LDQM和UDQM控制输出缓冲器。当LDQM UDQM或为低，
相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去
到高阻抗状态时LDQM / UDQM为HIGH 。此功能
对应于
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM控制
输入缓冲器。当LDQM或UDQM为低电平时，对应的缓冲器字节是
启用，并且数据可以被写入到该设备。当LDQM UDQM或为高，输入
数据被屏蔽，不能写入设备。
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
VDDQ是输出缓冲器的电源。
VDD是器件内部电源。
GNDQ是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
19
A11
输入引脚
16
34
CAS
CKE
输入引脚
输入引脚
35
18
CLK
CS
输入引脚
输入引脚
2, 3, 5, 6, 8, 9, 11
12, 39, 40, 42, 43,
45, 46, 48, 49
14, 36
DQ0到
DQ15
LDQM ，
UDQM
DQ引脚
输入引脚
17
15
7, 13, 38, 44
1, 25
4, 10, 41, 47
26, 50
RAS
WE
VDDQ
VDD
GNDQ
GND
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
2
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IS42S16100C1
功能框图
ISSI
命令
解码器
＆放大器;
时钟
发电机
行解码器
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A11
模式
注册
11
11
ROW
地址
卜FF器
记忆细胞
ARRAY
2048
11
BANK 0
DQM
SENSE AMP I / O GATE
A10
8
COLUMN
地址缓冲器
串计数器
COLUMN
地址锁存
DATA IN
卜FF器
16
16
256
列解码器
行解码器
多路复用器
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
刷新
调节器
自
刷新
调节器
DQ 0-15
8
256
SENSE AMP I / O GATE
刷新
计数器
数据输出
卜FF器
16
16
11
ROW
地址
LATCH
11
ROW
地址
卜FF器
2048
记忆细胞
ARRAY
VDD / VDDQ
GND / GNDQ
银行1
11
S16BLK.eps
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3
IS42S16100C1
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD MAX
V
DDQ MAX
V
IN
V
OUT
P
MAX
I
CS
T
OPR
T
英镑
参数
最大电源电压
最大电源电压为输出缓冲
输入电压
输出电压
允许功耗
输出短路电流
工作温度
储存温度
COM
IND 。
等级
单位
ISSI
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
1
50
0至+70
-40至+85
W
mA
°C
°C
-55 + 150℃
DC推荐工作条件
(2)
(
在T
A
= 0至+ 70 ° C）
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
(3)
输入低电压
(4)
分钟。
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
DD
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
电容特性
(1,2)
（在T
A
= 0至+ 25 ° C， VDD = VDDQ = 3.3 ± 0.3V ， F = 1兆赫）
符号
C
IN
1
C
IN
2
CI / O
参数
输入电容： A0 -A11
输入电容（ CLK ， CKE ，
CS ， RAS ， CAS，WE ，
LDQM ， UDQM ）
数据输入/输出电容： DQ0 - DQ15
典型值。
—
—
—
马克斯。
4
4
5
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这
是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件的说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2.所有电压参考GND 。
3. V
IH
（MAX） = V
DDQ
+ 2.0V的脉冲宽度
≤
3纳秒。
4
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IS42S16100C1
ISSI
速度
分钟。
–5
–5
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5
5
—
0.4
170
160
140
160
3
4
2
3
40
30
30
170
150
130
150
170
150
130
150
120
100
70
90
120
100
70
90
1
单位
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
m
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
符号参数
I
IL
输入漏电流
I
OL
V
OH
V
OL
I
CC1
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
VDD ，与销比其他
在0V测试针
输出漏电流
输出时， 0V
≤
V
OUT
≤
VDD
输出高电压I级
OUT
= -2毫安
输出低电压I级
OUT
= 2毫安
工作电流
(1,2)
一家银行工作，
CAS
延时= 3
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分）
I
OUT
= 0毫安
预充电待机CurrentCKE
≤
V
IL
(
最大
)
t
CK
= t
CK
(
民
)
（掉电模式）
主动待机电流
CKE
≥
V
IH
(
民
)
（在非掉电模式）
工作电流
（在突发模式）
(1)
t
CK
= t
CK
(
民
)
I
OUT
= 0毫安
t
CK
=
∞
t
CK
= t
CK
(
民
)
t
CK
=
∞
CAS
延时= 3
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC3N
I
CC3NS
I
CC4
COM 。
COM 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
COM 。
COM 。
IND 。
COM 。
COM 。
COM 。
IND 。
COM 。
COM 。
COM 。
IND 。
COM 。
COM 。
COM 。
IND 。
CAS
延时= 2
I
CC5
自动刷新当前
t
RC
= t
RC
(
民
)
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
I
CC6
自刷新电流
CKE
≤
0.2V
-5
-6
-7
-7
—
—
—
—
—
—
—
-5
-6
-7
-7
-5
-6
-7
-7
-5
-6
-7
-7
-5
-6
-7
-7
—
注意事项：
1.这些是在最小循环时间的值。由于电流瞬变，这些值减小，周期时间
增加。还注意的是，至少为0.01 μF的旁路电容应V之间插入
DD
和GND为每
内存芯片来抑制电源噪声电压（电压降），由于这些瞬态电流。
2.电流Icc
1
和ICC
4
依赖于输出负载。该最大值的Icc
1
和ICC
4
与输出开路状态而异。
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