IS41LV16257B
256K ×16 （ 4兆位）动态RAM
与快速页面模式
描述
ISSI
2005年4月
特点
快速访问和周期时间
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
刷新方式：
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
JEDEC标准引脚
单电源供电： 3.3V ± 10 ％
通过字节写和字节读取操作
两
CAS
无铅可用
该
ISSI
IS41LV16257B是262,144 ×16位高
性能CMOS动态随机存取
回忆。快速页模式允许512随机
与存取周期时间作为一个单一的行内访问
短按16位字12纳秒。字节写控制，
上下字节，使这些器件非常适用于
在16位和32位宽的数据总线系统使用。
这些特性使得IS41LV16257B非常适合
对于高频段宽度的图形，数字信号处理，
高性能计算系统和外围
应用程序。
该IS41LV16257B封装在一个40引脚， 400密耳
SOJ和TSOP （II型） 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-35
35
11
18
14
60
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
2005集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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IS41LV16257B
功能框图
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
ISSI
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
262,144 x 16
地址
缓冲器
A0-A8
销刀豆网络gurations
40引脚TSOP （ II型）
VDD
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
引脚说明
40引脚SOJ
VDD
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
A0-A8
I/O0-I/O15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
V
DD
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上塔地址
频闪
较低的列地址
频闪
动力
地
无连接
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VDD
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VDD
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IS41LV16257B
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
隐藏刷新
2)
RAS-只
刷新
CBR刷新
(3)
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
阅读L→H → L
写L→H → L
L
→ L
LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
UCAS
H
L
H
L
L
H
L
L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
ISSI
I / O
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.至少一个两个CAS信号必须是活动的（LCAS或
UCAS ） 。
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IS41LV16257B
功能说明
该IS41LV16257B针对高端的CMOS DRAM优化
高速带宽，低功耗的应用。在读或
写周期，每一位通过独特的解决
18个地址位。这些输入9位（ A0 - A8 ），在
时间。的行地址由行地址选通锁存
性（RAS） 。列地址由列锁存
地址选通（ CAS） 。
RAS
用于锁存所述第一9位
和
CAS
用于锁存后者9位。
该IS41LV16257B有两个
CAS
控制，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
输入在内部生成一个
CAS
以相同的方式发挥作用的信号给单
CAS
输入上的其他256K ×16 DRAM中。关键的区别
是，每个
CAS
控制其相应的I / O三态逻辑
（与结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制
I / O0 - I / O7和
UCAS
控制I / O8 - I / O15 。
该IS41LV16257B
CAS
函数由第一确定
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡LOW和最后一个
转换回HIGH 。两
CAS
控制给
IS41LV16257B两个字节读和字节写周期
的能力。
ISSI
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ，
为准过去。
刷新周期
保留数据， 512刷新周期需要在每
8毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器：
1.计时每512行地址（ A0通过
A8 ）与
RAS
至少每8毫秒。任何读，写，
读 - 修改 - 写或
RAS-只
周期刷新AD-
穿着一行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
而
控股
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新周期，一
内部9位计数器提供的行地址和
外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据访问
或设备的选择是允许的。因此，输出保持在
高阻态循环过程中。
存储周期
内存循环是通过将启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或中止
最低吨前
RAS
时间已经过期。一个新的周期
不能启动，直到最小的预充电时间t
RP
,
t
CP
是否已经过去。
POWER- ON
应用在V后
DD
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始化
包含循环周期（任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
跟踪与V
DD
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。列
地址必须持有经t指定的最小时间
AR
.
数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间取决于
这些参数之间的时序关系。
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IS41LV16257B
ISSI
等级
3.3V
3.3V
–0.5 t0 +4.6
–0.5 t0 +4.6
50
1
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
DD
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
COM 。
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何上述其他条件，这个业务部门所标明
规范是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND）
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
环境温度
电压
3.3V
3.3V
3.3
COM 。
分钟。
3.0
2.0
–0.3
0
典型值。
3.3
—
—
—
马克斯。
3.6
V
DD
+ 0.3
0.8
70
单位
V
V
V
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A8
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
=3.3V ± 10%.
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