IS23SC1604
16 KBIT SECURED串行EEPROM
特点
16K串行EEPROM安全功能
符合ISO / IEC 7816-3标准
同步协议
存储和验证安全码
四个保护区的应用
提供运输安全码
读/写/擦除单5V电源供电
操作
低功耗工作：
— 15
A
（最大值）待机电流
- 3毫安（最大）读取电流在300千赫
- （最大） 4毫安写入/擦除电流
2毫秒读取访问时间在300千赫;
5毫秒的写周期时间
300千赫的串行时钟速率
高ESD保护： > 4 KV
高可靠性：
百万次擦/写
- 数据保存10年
标准CMOS工艺
宽工作温度范围
- 0 ° C至+ 70 ° C商业级; -40 ° C至+ 85°C
产业
唯一的安全验证后，数据访问
CODE
设备在8永久失效
连续的失败尝试输入正确
安全码
独立的读/写/擦除访问保护
为每个应用程序区
允许的内存芯片，如果需要个性化
内部安全保险丝是否熔断。如果内部
安全保险丝熔断，最大的安全保护
存储器将总是被使能。
ISSI
描述
超前信息
2003年4月
IS23SC1604是一种低成本，低功耗，高度安全的
16K位（ 2K ×8）串行EEPROM 。它是使用制造
ISSI公司的先进CMOS技术。
IS23SC1604的安全特性提供了高水平的
内存的智能卡应用的安全防护。
所述存储器被划分成四个应用区。
每个应用程序区是由多个保护
未经授权的读/写/擦除安全码
进入该区域。此外，内部的安全保险丝
可用于卡发行者完全个性化
它装置释放到客户之前。
该器件还具有内部高电压充电
泵的存储器编程，百万写入/擦除
循环十多年的数据保留。
引脚配置： 8引脚塑料DIP
VCC
RST
CLK
FUS
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
GND
NC
I / O
PGM
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任
所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
公布的信息及订货产品之前。
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IS23SC1604
框图
ISSI
电源
RESET
HIGH-
电压
发电机
VCC
GND
2007 x 8
EEPROM
RST
PGM
CLK
地址译码器
FUS
安全逻辑
I / O
（漏极开路）
（在CLK ， FUS和PGM和RST内部上拉内部下拉电阻）
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IS23SC1604
引脚名称
(1)
ISO
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
PAD
8
7
6
5
4
3
2
1
垫名称
VCC
RST
CLK
FUS
GND
NC
I / O
PGM
描述
电源电压
RESET
ISSI
串行时钟和地址控制
安全保险丝垫
地
无连接
双向数据
编程控制
注意：
1.引脚CLK ， FUS和PGM有内部下拉电阻。 RST引脚具有内部上拉电阻。
引脚说明
符号
VCC
RST
联系方式Contact
C1
C2
名称和功能
电源电压
RESET ：
该器件的RST引脚可用来清除内部地址计数器。
当CLK为低电平时，在RST高电平到低电平的跳变复位地址
计数器为零时，以及存储器的第一个比特将被输出上的I / O后
RST下降的边缘。此外， RST引脚可用于将器件置于低
通过将RST高逻辑状态和两个PGM和功耗待机模式
FUS在逻辑低状态。当RST为高电平时，内部地址计数器
不与CLK进行递增。
串行时钟和地址控制：
这是该装置的数据时钟引脚。这是
用于时钟数据位进和流出的装置。它也递增
内部地址计数器。
安全保险丝垫：
该引脚由发卡行进行个性化设备
之前发布给客户。当FUS引脚驱动为逻辑高电平状态
和内部安全熔丝的状态为高电平（不吹） ，发行人可
个性化的记忆与成功的安全代码的全部内容
（ SC ）的验证。当FUS引脚驱动为逻辑低电平状态的状态
在内部安全的保险丝为高（不是吹） ，充分保护内存
使能和该装置的安全性特征可以由发行人进行测试。
该设备的个性化完成后，发行人应该吹
内部安全保险丝为逻辑低电平状态，以便充分保护的
记忆总是会不顾FUS引脚的状态启用。 （参考
IS23SC1604安全级别，也吹内部安全保险丝）。
地
无连接
串行数据输入和输出：
这个引脚，其中数据位被移入和
出器件时一个时钟脉冲加到CLK引脚。
编程控制：
该引脚置为高电平来启动存储器写入或
擦除操作。
CLK
C3
FUS
C4
GND
NC
I / O
PGM
C5
C6
C7
C8
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IS23SC1604
IS23SC1604 OPERATIONS
上电复位（ POR ）
当电源电压被首次施加到器件上，
设备启动POR 。所有的内部标志清晰
（参见IS23SC1604内部标志的定义） ，和
内部地址计数器被重置为零。
ISSI
RESET
随着CLK低， RST高到低的跳变
复位地址计数器为零。下降沿之后
RST的，该设备输出存储器中的第一个位
I / O引脚。在复位操作会对任何没有影响
内部标志（见交流测试负载） 。
比较操作锁定了用户的输入安全/
擦除键位到装置在CLK的上升沿
并在接下来的下落进行位比较
CLK的边缘。比较和读取操作
以相同的方式执行。该器件与众不同之
这两个操作通过测试的地址之间
计数器安全/擦除键码的位置和
相应的安全状态/删除键的代码有效
比较标志（见读时序图） 。
写
如果写访问一个存储位被启用，内容
的位可以写在一个“0”值由perform-
荷兰国际集团下面的顺序：选择PGM （逻辑高电平
状态） ，在I / O引脚输入“0” ，从低端的变化CLK
到HIGH ，取消PGM （逻辑低状态） ，等待5毫秒
编程延迟，然后从带CLK的下
HIGH到LOW完成写操作。新
该位的状态将是在写的结束输出
CLK的数据verifica-下降沿之后的操作
化（请参阅比较时序图） 。
地址
寻址是通过一个内部地址计数器处理
该递增在CLK的下降沿。当
计数器继续递增过去16383 ，该
计数器将返回到零。柜台也可以
通过复位操作清零。
读
如果一个存储位读访问被启用，状态
该位可通过增加读出装置的
地址计数器的位位置。该装置
在输出后的I / O引脚读位的状态
该递增的最后一个时钟脉冲的下降沿
地址计数器读出位的位置。然而，如果
读访问存储器位受到抑制，状态
数据位将不会被输出， I / O引脚将
置于高阻抗状态'1' （见复位时序
图）。
抹去
如果擦除访问存储器位被启用，内容
的位可被写在同一个'1'的值与
擦除操作。虽然擦除单进行
位，则擦除操作写入FFH整个字节
其中包含了擦除的比特，因为存储器是
组织成8位的字节。擦除操作可
通过执行下面的顺序执行：选择
PGM （逻辑高电平状态） ，在I / O引脚，改变输入“1”
从低到高的CLK ，取消PGM （逻辑低电平
状态） ，等待5毫秒的延迟编程，然后
把CLK下来HIGH到LOW完成
擦除操作。位的新状态将输出
在擦除操作中的下降沿后的端
CLK进行数据验证（见时序比较Dia-
克） 。
比较
比较操作可以让用户输入安全/
清除键码的安全性/清除键码valida-
化的读/写/擦除访问受保护的应用程序
区（参阅安全/擦除密钥验证码
操作）。
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IS23SC1604
设备操作
(1)
手术
RESET
FUS
X
PGM
X
RST
CLK
0
描述
ISSI
地址计数器被复位到零，并且
存储器的第一个位是落下后输出
RST的边缘。
地址计数器递增，并且在第一
位，如果在时钟的下降沿之后，输出
读取访问权限位的位置被启用。
用的内部位比较输入位
内存（安全/删除键码验证） 。
地址计数器增加在下降
CLK的边缘。输入位被锁存到器件
在CLK的上升沿与位的比较
完成对CLK的下一个下降沿。
对于写操作（写为“0”到当前
地址） ， “0”被放置在I / O之前的上升
CLK的边缘。对于字节擦除操作（写入FFH
到包含当前位）的字节， “1”是
放置在I / O CLK的上升沿之前。 CLK
必须保持为高电平期间存储器编程5毫秒。
当前地址的新的内容将是
CLK的验证下降沿后输出。
INC / READ
X
0
0
INC / CMP
X
0
0
擦/写
X
1
0
VERIFY
待机
X
0
0
0
0
1
X
该装置被置于待机模式。在这
模式中，地址计数器将不被递增
与时钟脉冲时， RST为高。
注意：
1， X =无关。
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