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PD - 96284
IRF7815PbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
同步MOSFET用于笔记本
处理器电源
l
同步整流MOSFET的
在隔离式DC -DC转换器
网络系统
好处
l
非常低R
DS （ ON）
在10V V
GS
l
低栅电荷
l
充分界定雪崩电压
和电流
l
20V V
GS
马克斯。门评级
R
DS （ ON）
最大
QG （典型值）。
150V 43米@V
GS
= 10V 25NC
V
DSS
:
8
7
S
S
S
G
1
2
3
4
A
A
D
D
D
D
6
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
马克斯。
150
± 20
5.1
4.1
41
2.5
1.6
0.02
-55到+ 150
单位
V
f
功耗
f
功耗
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
c
A
W
W / ℃，
°C
线性降额因子
工作结
存储温度范围
热阻
参数
R
θJL
R
θJA
结到漏极引线
结到环境
f
g
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记
通过
9页
www.irf.com
1
12/01/09
IRF7815PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gs
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
分钟。典型值。马克斯。单位
150
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
8.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.17
34
4.0
-12.2
–––
–––
–––
–––
–––
25
6.5
1.3
7.8
7.4
9.8
8..7
10
1.02
8.4
3.2
14
8.3
1647
129
30
–––
–––
43
5.0
–––
20
250
100
-100
–––
38
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
pF
nC
nC
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
m
V
毫伏/°C的
A
nA
S
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.1A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 50V ，我
D
= 3.1A
V
DS
= 75V
V
GS
= 10V
I
D
= 3.1A
参见图。 6 ， 16A & 16B
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 75V, V
GS
= 10V
ns
I
D
= 3.1A
R
G
= 1.8
参见图。 15A & 15B
V
GS
= 0V
V
DS
= 75V
= 1.0MHz的
马克斯。
529
3.1
e
雪崩特性
E
AS
I
AR
d
单位
mJ
A
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
41
213
2.3
A
41
1.3
62
320
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 3.1A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.1A ，V
DD
= 75V
的di / dt = 300A / μs的
e
e
2
www.irf.com
IRF7815PbF
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
1
5.0V
1
0.1
5.0V
0.01
0.1
≤60s
脉冲宽度TJ = 25℃
1
10
100
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
VDS = 50V
≤60s
脉冲宽度
10
2.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID = 5.1A
VGS = 10V
2.0
T J = 150℃
1
T J = 25°C
1.5
1.0
0.1
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7815PbF
100000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + Cgd的，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + Cgd的
14.0
ID = 3.1A
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 120V
VDS = 75V
VDS = 30V
10000
C，电容（pF ）
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
5
10
15
20
25
30
35
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
10
T J = 150℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
10
10msec
1msec
1
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
VSD ，源极到漏极电压（V ）
T A = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
0
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7815PbF
6
5
ID ，漏电流（ A）
6.0
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
5.0
4
3
2
1
0
25
50
75
100
125
150
T A ，环境温度（ ° C）
4.0
ID =为100uA
ID = 150uA
ID = 250uA
ID = 1.0毫安
ID = 1.0A
3.0
2.0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
图10 。
阈值电压与温度的关系
100
D = 0.50
热响应（Z thJA ）° C / W
10
1
0.1
0.01
0.001
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
A
τ
4
τ
A
RI（ ° C / W）
2.8482
16.4171
20.8292
9.8220
τi
（秒）
0.012383
36.75014
5.677801
0.525832
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
CI-
τi /日
CI-
τi /日
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja + T A
1
10
100
0.0001
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
www.irf.com
5
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推荐型号
ICS844008AYI-15LF
IT150-S
ICL7621BCSD
IDT74FCT162H272ETPAB
IRFB20N50K
IRF530A
IDT75K62234
ICL7641CCJD
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IDT74LVC573APY
ICS525RI-07LFT
IDT54FCT16260ETEB
IS64C25616AL-12CTLA3
IS23SC1604-X3I
ISL54212IRTZ-T
IDT7140LA55FG
IGP-28111J-40
ID203
IAM4810T1N
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF7815PBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF7815PBF
Infineon Technologies
2418+
2000
SOIC-8
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRF7815PBF
Infineon Technologies
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19000
8-SO
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IRF7815PBF
Infineon Technologies
24+
10000
8-SO
原厂一级代理，原装现货
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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INFINEON/英飞凌
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ir
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联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
IRF7815PBF
IR
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21000
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电话：18913062888
联系人：陈先生
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5000
8-SOIC (0.154\
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电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
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32000
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