数据表号PD60262
IRS2181/IRS21814(S)PbF
特点
高端和低端驱动器
套餐
8引脚PDIP
IRS2181
14引脚PDIP
IRS21814
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+600 V
耐负瞬态电压的dV / dt
免疫的
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
欠压锁定两个通道
3.3 V和5 V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5 V偏置
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出源出/吸入电流能力1.4 A / 1.8 A
符合RoHS
8引脚SOIC
IRS2181S
14引脚SOIC
IRS21814S
描述
功能比较
交
该IRS2181 / IRS21814高
吨/吨OFF
输入
死区时间
传导
接地引脚
部分
电压，高速功率MOSFET
（纳秒）
逻辑
预防
（纳秒）
逻辑
和IGBT驱动器具有独立
2181
COM
HIN / LIN
no
无
180/220
高侧和低侧参考
21814
V
SS
/ COM
输出通道。专有的HVIC
2183
内置400
COM
HIN / LIN
是的
180/220
21834
程序400-5000
V
SS/
COM
和锁存免疫CMOS技
2184
内置400
COM
IN / SD
是的
680/270
吉斯使坚固耐用的单片
21844
程序400-5000
V
SS
/ COM
建设。逻辑输入的COM
兼容与标准CMOS或LSTTL输出，下降至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲
电流缓冲级，最小驱动器跨导。浮置沟道，可以用来驱动
一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置其工作频率高达600 V.
典型连接
高达600 V
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IRS2181
IRS21814
HO
V
CC
HIN
LIN
高达600 V
V
CC
HIN
LIN
V
B
V
S
TO
负载
（请参阅铅作业的正确的PIN
配置） 。这些图表显示
电气连接只。请参阅
我们的应用笔记和DesignTips的
正确的电路板布局。
V
SS
V
SS
COM
LO
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1
IRS2181/IRS21814(S)PbF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低边输出电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
逻辑地（ IRS21814只）
允许的偏移电压瞬变
（ 8引脚PDIP ）
分钟。
-0.3
V
B
- 20
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
620
（注1 ）
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
20
（注1 ）
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
P
D
包装功耗@ T
A
≤
+25 °C
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
W
RTH
JA
热阻，结到环境
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
°C
注1 ：所有的建筑材料都在25 V全面测试和内部20 V夹存在于每个供应。
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图中示出图1.对于正确的操作设备应在该使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置15 V差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低边输出电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN ）
逻辑地（ IRS21814只）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注2
V
S
10
0
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
5
125
单位
V
°C
注2 ：逻辑运算的V
S
-5 V至+600 V.逻辑状态保持V
S
-5 V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
www.irf.com
2
IRS2181/IRS21814(S)PbF
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15 V, V
SS
= COM ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25
°C.
符号
吨
花花公子
MT
tr
tf
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
分钟。
—
—
—
—
—
典型值。
180
220
0
40
20
马克斯。单位测试条件
270
330
35
60
35
ns
V
S
= 0 V
V
S
= 0 V
V
S
= 0 V或600 V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15 V, V
SS
= COM和T
A
= 25
°C
除非另有规定。在V
IL
, V
IH ，
我
IN
参数
参考V
SS
/ COM ，并适用于各自的输入导线HIN和LIN 。在V
O
, I
O,
和Ron参数
是参考COM并适用于各自的输出引线： HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.5
—
—
—
—
20
50
—
—
8.0
7.4
0.3
1.4
1.8
—
—
—
—
—
60
120
25
—
8.9
8.2
0.7
1.9
2.3
—
0.8
1.4
0.2
50
150
240
60
5.0
9.8
V
9.0
—
—
A
—
V
O
= 0 V,
PW
≤
10
s
V
O
= 15 V,
PW
≤
10
s
A
V
I
O
= 0 A
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600 V
V
IN
= 0 V或5 V
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10到20V
www.irf.com
3
IRS2181/IRS21814(S)PbF
铅定义
符号说明
HIN
LIN
VSS
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高侧栅极驱动器输出（ HO）逻辑输入，相位（ IRS2181 / IRS21814 ）
低侧栅极驱动器输出（ LO ）的逻辑输入，相位（ IRS2181 / IRS21814 ）
逻辑地（ IRS21814只）
高侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
低端回报
铅作业
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
IRS2181PbF
IRS2181SPbF
1
2
3
4
5
6
7
HIN
LIN
VSS
VB
HO
VS
COM
LO
VCC
1
4
13
1
2
3
HIN
LIN
VSS
VB
HO
VS
COM
LO
VCC
1
4
13
12
11
10
9
8
12
4
11
5
10
6
9
7
8
14引脚PDIP
14引脚SOIC
IRS21814PbF
www.irf.com
IRS21814SPbF
5
数据表号PD60252
IRS2184
/
IRS21844(S)PbF
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+600 V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
欠压锁定两个通道
3.3 V和5 V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5 V偏置
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出源出/吸入电流能力1.4 A / 1.8 A
符合RoHS
套餐
半桥驱动器
8引脚PDIP
IRS2184
14引脚PDIP
IRS21844
8引脚SOIC
IRS2184S
14引脚SOIC
IRS21844S
描述
该IRS2184 / IRS21844高电压
年龄，高速功率MOSFET和
功能比较
交
IGBT驱动器与依赖高边
吨/吨OFF
死区时间
输入
传导
接地引脚
部分
侧和低侧参考输出信
逻辑
预防
（纳秒）
（纳秒）
逻辑
内尔斯。专有的HVIC和锁存器
2181
COM
HIN / LIN
no
无
180/220
免疫CMOS技术使
21814
V
SS
/ COM
坚固耐用的单片式结构。
2183
内置400
COM
HIN / LIN
是的
180/220
21834
程序400-5000
V
SS/
COM
逻辑输入是用标准的兼容
2184
内置400
COM
IN / SD
是的
680/270
准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3
21844
程序400-5000
V
SS
/ COM
V逻辑。输出驱动器具有
高脉冲电流缓冲级，最小驱动器跨导。浮置沟道可以是
用于驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在其中工作频率高达600 V的高侧配置
典型连接
V
CC
高达600 V
V
CC
IN
SD
V
B
HO
V
S
LO
高达600 V
TO
负载
IN
SD
COM
IRS2184
V
CC
IN
SD
V
CC
IN
SD
DT
V
SS
R
DT
V
SS
HO
V
B
V
S
IRS21844
TO
负载
（请参阅铅作业的正确
配置）。这些图显示
电气连接只。请参考
我们的应用笔记和DesignTips
正确的电路板布局。
COM
LO
www.irf.com
1
IRS2184/IRS21844(S)PbF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数
是参照COM绝对的电压。热电阻和功耗额定值下测板
安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
DT
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低边输出电压
可编程死区时间引脚电压（ IRS21844只）
逻辑输入电压（IN & SD ）
逻辑地（ IRS21844只）
允许的偏移电压瞬变
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 20
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
620 （注1 ）
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
20 （注1 ）
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
P
D
包装功耗@ T
A
≤
+25
°C
W
RTH
JA
热阻，结到环境
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
°C
注1 ：所有的建筑材料都在25 V全面测试和内部20 V夹存在于每个供应。
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图中示出图1.对于正确的操作设备应在该使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置15 V差分所有电源进行测试。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
DT
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低边输出电压
逻辑输入电压（IN & SD ）
可编程死区时间引脚电压（ IRS21844只）
逻辑地（ IRS21844只）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注2
V
S
10
0
V
SS
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
V
CC
5
125
单位
V
°C
注2 ：逻辑运算的V
S
-5 V至+600 V.逻辑状态保持V
S
-5 V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
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2
IRS2184/IRS21844(S)PbF
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15 V, V
SS
= COM ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25°C ， DT = V
SS
除非另有规定ED 。
符号
吨
花花公子
TSD
Mton
Mtoff
tr
tf
DT
MDT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
延迟匹配， HS & LS开启
延迟匹配， HS & LS关闭
开启上升时间
关断下降时间
死区时间： LO关断何导通（ DT
LO- HO） &
何关断到LO开启（ DT
HO- LO ）
死区时间匹配DT =
LO - 何
- DT
HO- LO
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
280
4
—
—
典型值。
680
270
180
0
0
40
20
400
5
0
0
马克斯。单位测试条件
900
400
270
90
40
60
35
520
6
50
600
s
ns
V
S
= 0 V
R
DT
= 0
R
DT
= 200 k
R
DT
=0
R
DT
= 200 k
ns
V
S
= 0 V
V
S
= 0 V或600 V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15 V, V
SS
= COM ， DT = V
SS
和T
A
= 25
°C
除非另有规定。在V
IL
, V
IH ，
我
IN
参数是参考V
SS
/ COM和适用于相应的输入导线：IN和SD 。在V
O
, I
O,
和
罗恩参数参考COM和适用于各个输出引线： HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
SD ， TH +
V
SD ， TH-
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入端的电压为何&逻辑“0”的LO
逻辑“0”输入电压为何&逻辑“1”的LO
SD输入正向阈值
SD输入负门槛
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.5
—
2.5
—
—
—
—
20
0.4
—
—
8.0
7.4
0.3
1.4
1.8
—
—
—
—
—
—
—
60
1.0
25
—
8.9
8.2
0.7
1.9
2.3
—
0.8
—
0.8
1.4
0.2
50
150
1.6
60
5.0
9.8
9.0
V
—
—
A
—
V
O
= 0 V,
PW
≤
10
s
V
O
= 15 V,
PW
≤
10
s
A
mA
A
V
I
O
= 0 A
I
O
= 20毫安
V
B
= V
S
= 600 V
V
IN
= 0 V或5 V
IN = 5 V ， SD = 0 V
IN = 0 V ， SD = 5 V
V
CC
= 10到20V
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3
IRS2184/IRS21844(S)PbF
铅定义
符号说明
IN
SD
DT
VSS
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高侧和低侧栅极驱动器输出（HO和LO ） ，同相何逻辑输入
（仅供参考，以COM为IRS2184和VSS的IRS21844 ）
关机逻辑输入（参考
COM的IRS2184和VSS的IRS21844 ）
可编程死区时间领先，引用到VSS 。 （ IRS21844只）
逻辑地（ IRS21844只）
高侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
低端回报
铅作业
1
2
3
4
IN
SD
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
1
2
3
4
IN
SD
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
IRS2184PbF
1
2
3
4
5
6
7
IN
SD
VSS
DT
COM
LO
VCC
VB
HO
VS
IRS2184SPbF
1
4
13
12
11
10
9
8
1
2
3
4
5
6
7
IN
SD
VSS
DT
COM
LO
VCC
VB
HO
VS
1
4
13
12
11
10
9
8
14引脚PDIP
14引脚SOIC
IRS21844PbF
www.irf.com
IRS21844SPbF
5
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