PD - 97485
IRF6706S2TRPbF
IRF6706S2TR1PbF
l
符合RoHS和无卤素
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
超低封装电感
l
优化高频开关
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
优化控制FET应用
l
兼容现有的表面贴装技术
l
100 ％通过Rg测试
D
G
S
D
的DirectFET ？功率MOSFET
典型值（除非另有规定）
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
4.4nC
R
DS （ ON）
3.0m@10V
R
DS （ ON）
5.2m@4.5V
25V最大± 20V最大
13nC
Q
gs2
1.8nC
Q
rr
21nC
Q
OSS
9.5nC
V
GS （ TH）
1.8V
适用的DirectFET外形及其基材大纲
S1
S2
SB
M2
M4
S1
的DirectFET ？等距
L4
L6
L8
描述
该IRF6706S2TRPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装
实现中，有一个微8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包改进的性能。 DirectFET封装的
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流兼容
焊接技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。采用DirectFET封装
年龄允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6706S2TRPbF具有低栅极电阻和低电荷连同超低封装电感提供显著降低
开关损耗。减少损失，使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代
处理器工作于更高的频率。该IRF6706S2TRPbF进行了优化同步降压控制FET插座
从12伏总线转换器操作。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
15
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
25
±20
17
13
63
130
42
13
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
10
20
ID = 13A
VDS = 20V
VDS = 13V
A
mJ
A
ID = 17A
10
T J = 125°C
5
0
0
2
4
6
T J = 25°C
8
10
12
14
16
18
20
30
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.50mH ，R
G
= 25, I
AS
= 13A.
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1
03/31/2010
IRF6706S2TR/TR1PbF
绝对最大额定值
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
P
T
J
T
英镑
功耗
功耗
功耗
峰值焊接温度
工作结
存储温度范围
e
e
f
参数
马克斯。
1.8
1.3
26
270
-55 + 175
单位
W
°C
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
结到PCB安装
线性降额因子
el
jl
kl
fl
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
0.012
马克斯。
82
–––
–––
5.7
–––
单位
° C / W
e
W / ℃，
100
D = 0.50
热响应（Z thJA ）
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
τ
1
τ
1
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
R
4
R
4
R
5
R
5
R
6
R
6
R
7
R
7
R
8
R
8
R
9
R
9
τ
A
τ
A
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
τ
4
τ
4
τ
5
τ
5
τ
6
τ
6
τ
7
τ
7
τ
8
τ
8
CI-
τi /日
CI-
τi /日
0.1
单脉冲
（热反应）
0.01
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
RI（ ° C / W）
0.003820
0.276771
0.698517
0.247425
4.481050
2.958857
12.34091
36.31499
24.50391
τi
（秒）
0.002036
0.147512
0.372293
0.131872
2.388293
1.577000
6.577408
19.35502
13.06
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝
10
100
1000
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图3 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
（在较低的脉冲宽度第Z
JA
& ZTH
JC
结合）
注意事项：
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
T
C
同的部分热电偶inContact公司与顶部（漏极）进行测定。背部和小夹散热器。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
二手双面散热，安装垫大的散热器。
表面安装1英寸方铜
板（静止空气中） 。
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
背部和小夹散热器。 （静止空气中）
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3
IRF6706S2TR/TR1PbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
2.5V
1
2.5V
0.1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
1
100
1000
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
2.0
图5 。
典型的输出特性
ID = 17A
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
T J = 175℃
T J = 25°C
T J = -40°C
典型的RDS（on ） （正火）
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
V GS = 10V
1.5
V GS = 4.5V
10
1.0
1
0.1
1
2
3
4
5
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图6 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
25
T J = 25°C
20
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
西塞
1000
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
OSS = C DS + C GD
C，电容（pF ）
15
科斯
10
CRSS
5
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
0
25
50
75
100
125
150
ID ，漏电流（ A）
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
4
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IRF6706S2TR/TR1PbF
1000
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
ISD ，反向漏电流（ A）
100
100
T J = 175℃
T J = 25°C
T J = -40°C
10
10
1msec
10msec
DC
1
1
VGS = 0V
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
T A = 25°C
T J = 150℃
单脉冲
0.01
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图10 。
典型的源漏二极管正向电压
典型VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）
70
60
图11 。
最大安全工作区
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
T J ，温度（° C）
ID = 25μA
ID = 250μA
ID = 1.0毫安
ID = 1.0A
ID ，漏电流（ A）
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
100
图13 。
典型的阈值电压与结
温度
180
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
政府飞行服务队，正向跨导（ S）
80
T J = 25°C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
ID
顶部
2.3A
5.6A
BOTTOM 13A
60
T J = 175℃
40
20
V DS = 4.5V
380μs脉宽
2
0
0
10
20
30
40
50
60
125
150
175
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
开始T J ，结温（ ° C）
图14 。
典型值。正向跨导
与漏电流
图15 。
最大雪崩能量
与漏电流
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5
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