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初步
数据表号PD60303
IRS20955(S)PbF
受保护的数字音频驱动程序
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
浮动PWM输入可轻松半桥
履行
可编程双向过电流保护
具有自复位功能
可编程预置死区时间改善THD
表演
高噪声抗扰度
±100
V额定输出高达500瓦的输出功率
3.3 V / 5 V逻辑兼容输入
可在高达800千赫
符合RoHS
产品概述
V
OFFSET
(最大)
栅极驱动器
可选死区时间
传播延迟
OC保护延迟
关闭传播
延迟
I
o+
I
o-
±
100 V
1.0 A
1.2 A
15纳秒, 25纳秒,
35纳秒,为45nS
90纳秒
500纳秒(最大)
250纳秒(最大)
描述
该IRS20955是一种高电压,高速MOSFET驱动器
带有浮动PWM输入设计的D类音频
放大器应用。
双向电流检测功能可以检测过流
在没有积极的和消极的负载电流条件
任何外部分流电阻。内置的保护控制
模块提供了对过一个安全的保护程序
目前的状况和可编程复位定时器。
内部死区时间生成模块能够准确
门开关和最佳死区时间设置好
音频性能,如低的THD和低音频
本底噪声。
16引脚PDIP
16引脚SOIC
典型连接
IRS20955 (S)
VDD
惩教署
IN
PWM
VSS
NC
VREF
OCSET
DT
CSH
VB
HO
VS
NC
VCC
LO
COM
+B
音箱
(详情请参阅铅
分配正确的
引脚配置。这
图中显示了
电气连接
只)
VCC
12V
-B
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1
IRS20955(S)PbF
初步
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有电压参数
是绝对的电压参考V
SS
;所有电流为流入任何铅。热敏电阻和功率
耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得
.
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CSH
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
V
惩教署
V
DT
V
OCSET
V
REF
I
DDZ
I
CCZ
I
BSZ
I
OREF
D V
S
/ DT
D V
SS
/ DT
D V
SS
/ DT
P
D
R
TH , JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源电压(注1)
高侧浮动输出电压
CSH管脚的输入电压
低端固定电源电压(注1)
低边输出电压
浮动的输入电源电压
浮动的输入电源电压(注1)
PWM输入电压
CSD引脚输入电压
DT引脚输入电压
OCSET引脚的输入电压
VREF引脚电压
浮动输入电源齐纳二极管钳位电流(注1)
低端电源齐纳二极管钳位电流(注1)
浮动电源齐纳钳位电流(注1)
参考输出电流
允许V
S
压摆率
允许V
SS
压摆率(注2 )
允许V
SS
压摆率在上电时(注3 )
最大功率耗散
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
分钟。
-0.3
V
B
-20
Vs-0.3
Vs-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
(见我
DDZ
)
V
SS
-0.3
V
SS
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
220
V
B
+0.3
V
B
+0.3
V
B
+0.3
20
V
CC
+0.3
210
V
DD
+0.3
V
DD
+0.3
V
DD
+0.3
V
CC
+0.3
V
CC
+0.3
V
CC
+0.3
10
10
10
5
50
50
50
1.0
115
150
150
300
单位
V
mA
V / ns的
W
° C / W
°C
注1 :
V
DD
-
V
SS
,
V
CC
-COM和
V
B
-
V
S
包含内部并联稳压二极管。请注意,这些电压的评分
可通过夹紧电流加以限制。
注2 :对于10 V:V步信号的上升沿和下降沿
ss
= 15 V至200 V.
注3 : V
ss
从0 V至200 V.斜了
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2
IRS20955(S)PbF
初步
推荐工作条件
对于正确的操作,该设备应低于推荐条件内使用。在VS和COM偏移评级
与供应偏置在我进行测试
DD
= 5毫安, V
CC
= 12 V和V
B
-V
S
=12 V.
符号
V
B
V
S
I
DDZ
V
SS
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
惩教署
V
DT
I
OREF
V
OCSET
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
浮动输入电源齐纳钳位电流
浮动的输入电源电压的绝对值
高侧浮动输出电压
低端固定电源电压
低边输出电压
PWM输入电压
CSD引脚输入电压
DT引脚输入电压
参考输出电流COM (注2 )
OCSET引脚的输入电压
环境温度
分钟。
Vs+10
注1
1
0
Vs
10
0
V
SS
0
0.3
0.5
-40
马克斯。
Vs+18
100
5
200
V
B
18
V
CC
V
DD
V
CC
0.8
5
125
单位
V
mA
V
mA
V
°C
注1 :逻辑操作的V
S
等于-5 V至持有V 200 V.逻辑状态
S
等于-5 V.到-V
BS
.
注2 :额定电压为V
REF
为5 V.我
OREF
以0.3mA - 0.8毫安决定对V总外部电阻值
REF
为6.3千欧
16.7 kΩ的。
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3
IRS20955(S)PbF
初步
电气特性
V
CC
,V
BS
= 12 V,I
DD
= 5毫安, V
SS
=20 V, V
S
= 0 V ,C
L
= 1 nF的和T
A
=25
°C
除非另有规定ED 。
符号定义
低端电源
UV
CC+
UV
CC-
I
QCC
V
CLAMPL
UV
BS +
UV
BS-
I
QBS
I
LKH
V
CLAMPH
UV
DD+
UV
DD-
I
检疫侦缉犬
V
CLAMPM
I
LKM
V
CC
供应UVLO门限阳性
V
CC
供应UVLO门限负
低端静态电流
低端齐纳二极管钳位电压
高端以及UVLO积极
门槛
高端以及UVLO负
门槛
高端静态电流
高侧到低压侧的泄漏电流
高边齐纳二极管钳位电压
V
DD
, V
SS
浮动电源UVLO
正阈值
V
DD
, V
SS
浮动电源UVLO
负阈值
浮动输入静态电流
浮动输入齐纳二极管钳位
电压
浮动输入侧的低侧漏
当前
逻辑高输入阈值电压
逻辑低电平输入阈值电压
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
8.4
8.2
-
19.6
8.0
7.8
-
-
19.6
8.2
7.7
-
9.8
-
2.3
-
-
-
典型值
8.9
8.7
-
20.4
8.5
8.3
-
-
20.4
8.7
8.2
-
10.2
-
1.9
1.9
-
-
最大
9.4
9.2
3
21.6
9.0
单位
V
mA
V
测试条件
V
DT
= V
CC
I
CC
± 5毫安
高侧浮动电源
V
8.8
1
50
21.6
9.2
8.7
1
10.8
50
-
1.5
40
1
V
mA
V
A
mA
A
V
V
B
=V
S
=200 V
I
BS
± 5毫安
V
SS
=0 V
V
SS
=0 V
V
DD
=9.5 V +V
SS
I
DD
± 5毫安
V
DD
=V
SS
=200 V
浮动输入电源
浮动PWM输入
V
IH
V
IL
I
IN +
I
IN-
V
A
V
IN
=3.3 V
V
IN
= V
SS
保护
V
REF
V
TH , OCL
V
日OCH
V
th,1
V
th,2
I
CSD +
I
CSD-
t
SD
t
OCH
t
OCL
参考输出电压
在VS中低端OC门槛
在V高端OC门槛
CSH
CSD引脚关断阈发布
惩教署自销复位阈值
CSD引脚放电电流
CSD脚充电电流
从关断传播延迟
V
惩教署
& GT ; V
SS
+ V
日OCH
to
关闭
从V传输延迟时间
CSH
& GT ;
V
日OCH
关机
从Vs>传播延迟时间
V
TH , OCL
关机
输出高短路电流
(来源)
低输出短路电流(漏)
低电平输出电压
LO - COM , HO - VS
4.8
1.1
1.1+ V
S
0.62 x垂直
DD
0.26 x垂直
DD
70
70
-
-
-
5.1
1.2
1.2+ V
S
0.70× V
DD
0.30 x垂直
DD
100
100
-
-
-
5.4
1.3
1.3+ V
S
0.78 x垂直
DD
0.34 x垂直
DD
130
130
250
500
500
ns
V
I
OREF
-0.5毫安
OCSET = 1.2 V,
图。 3
V
S
=200 V,
图。 4
V
SS
=0 V
A
V
SD
= V
SS
+5 V
图。 2
图。 4
图。 3
栅极驱动器
I
o+
I
o-
V
OL
-
-
-
1.0
1.2
-
-
-
0.1
V
A
V
O
= 0 V , PW<10微秒
V
O
= 12 V , PW<10微秒
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4
IRS20955(S)PbF
初步
电气特性(续)
V
CC
,V
BS
= 12 V,I
DD
= 5毫安, V
SS
=20 V, V
S
= 0 V ,C
L
= 1 nF的和T
A
=25
°C
除非另有规定ED 。
V
OH
t
r
t
f
t
on,1
t
off,1
t
on,2
t
off,2
DT1
DT2
DT3
DT4
V
DT1
V
DT2
V
DT3
高电平输出电压
VCC - LO , VB - 何
开启上升时间
关断下降时间
高侧和低侧的导通
传播延迟,输入浮动
高侧和低侧截止
传播延迟,输入浮动
高侧和低侧的导通
传播延迟,非浮输入
高侧和低侧截止
传播延迟,非浮输入
死区时间: LO关断何开启
( DT
LO- HO
) &何关断到LO开启
( DT
HO- LO
)
死区时间: LO关断何开启
( DT
LO- HO
) &何关断到LO开启
( DT
HO- LO
)
死区时间: LO关断何开启
( DT
LO- HO
) &何关断到LO开启
( DT
HO- LO
)
死区时间: LO关断何开启
( DT
LO- HO
) &何关断到LO开启
( DT
HO- LO
)V
DT
= V
DT4
DT模式选择的阈值2
DT模式选择的阈值3
DT模式选择的阈值4
-
-
-
-
-
-
-
8
15
20
25
0.51(V
cc
)
0.32(V
cc
)
0.21(V
cc
)
-
15
10
105
90
105
90
15
25
35
45
0.57(V
cc
)
0.36(V
cc
)
0.23(V
cc
)
1.4
-
-
-
-
-
-
22
35
50
60
0.63(V
cc
)
0.40(V
cc
)
0.25(V
cc
)
V
ns
V
DT
= V
CC,
V
S
= 100 V,
V
SS
= 100 V
V
DT
= V
CC,
V
S
= 100V,
V
SS
COM
V
DT
& GT ; V
DT1,
V
SS
COM
V
DT1
& GT ; V
DT
& GT ; V
DT2,
V
SS
COM
V
DT2
& GT ; V
DT
& GT ; V
DT3,
V
SS
COM
V
DT3
& GT ; V
DT
& GT ; V
DT4,
V
SS
COM
V
I
O
=0 A
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
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