【PD - 9.1307BIRLZ34NHEXFET功率MOSFETllllll逻辑电平栅极驱动先进的】,IC型号IRLZ34N,IRLZ34N PDF资料,IRLZ34N经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 9.1307B

IRLZ34N

HEXFET

功率MOSFET

l

逻辑电平栅极驱动

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

D

V

DSS

= 55V

G

S

R

DS （ ON）

= 0.035

I

D

= 30A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，实现了

尽可能低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。在低热阻

和TO- 220封装低的成本导致其广泛

接受整个行业。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝。

马克斯。

30

21

110

68

0.45

±16

110

16

6.8

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

分钟。

––––

典型值。

––––

0.50

––––

马克斯。

2.2

––––

62

单位

° C / W

8/25/97

IRLZ34N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

55

––– –––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- --- 0.065 V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

––– ––– 0.035

V

GS

= 10V ，我

D

= 16A

––– ––– 0.046

V

GS

= 5.0V ，我

D

= 16A

–––

––– 0.060

V

GS

= 4.0V ，我

D

= 14A

1.0

––– 2.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

11

––– –––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 16A

––– ––– 25

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

––– ––– 250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

––– ––– 100

V

GS

= 16V

nA

––– ––– -100

V

GS

= -16V

––– ––– 25

I

D

= 16A

––– ––– 5.2

NC V

DS

= 44V

––– ––– 14

V

GS

= 5.0V ，见图。 6和13

–––

8.9 –––

V

DD

= 28V

––– 100 –––

I

D

= 16A

ns

–––

21 –––

R

G

= 6.5, V

GS

= 5.0V

–––

29 –––

R

D

= 1.8Ω ，见图。 10

铅之间，

––– 4.5 –––

6毫米（0.25英寸）。

nH

从包

––– 7.5 –––

而中心的模具接触

––– 880 –––

V

GS

= 0V

––– 220 –––

pF

V

DS

= 25V

–––

94 –––

= 1.0MHz的，见图。五

D

G

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

––– ––– 30

展示

A

G

整体反转

––– ––– 110

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 16A ，V

GS

= 0V

––– 76 110

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 16A

––– 190 290

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

D

S

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

V

DD

= 25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 610μH

R

G

= 25, I

AS

= 16A 。（参见图12）

注意事项：

I

SD

≤

图16A ， di / dt的

≤

270A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

T

J

≤

175°C

IRLZ34N

1000

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOT TOM 2.5V

顶部

1000

I

D

，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）

100

I

D

，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTT OM 2.5V

顶部

10

2 .5V

1

2.5 V

0.1

1

2 0μ s PU LSE W ID TH

T

J

= 25 °C

10

100

A

0.1

1

20 μ s PU LSE W ID TH

T

J

= 1 75°C

10

100

A

V

S

，漏到-S环境允许的V oltage （ V）

V

S

，漏 - 源V oltage （ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

R

S（O N）

，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SI站 CE

（N RM一个李泽四）

I

D

= 27 A

I

D

，，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）

2.5

100

T

J

= 2 5 ° C

T

J

= 1 7 5° C

10

2.0

1.5

1.0

1

0.5

0.1

2

3

4

5

6

V

DS

= 2 5 V

2 0 μ S·P ü L SE W ID TH

7

8

9

10

A

0.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

80

V

的s

= 10 V

100 120 140 160 180

A

V

的s

，尕德对S 0 urce V oltage （ V）

T

J

，结牛逼emperature （ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRLZ34N

1400

V

的s

，G一德以诚-S ü RCE V LTA克E（ V）

1200

V

GS

C

为s

C

RS s

C

ISS

OS s

=

0V ,

F = 1MH

C

gs

+ C

克

, C

ds

SH或TED

C

gd

C

ds

+ C

gd

15

I

D

= 16A

V

DS

= 44V

V

DS

= 28V

12

C，C的P是C ITA N c个E（ P F）

1000

800

9

C

SS

600

6

400

C

RSS

200

3

0

1

10

100

A

0

4

8

12

16

FO 测试CIR CU IT

SEE图UR ê 13

20

24

28

32

A

V

S

，漏 - 源V oltage （ V）

Q

G

，T otal门哈耶（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

I

S.D。

在C R é é V RSE RA ④此T（A ）

OPE ATIO N的TH是一个重新一个LIMITE

由R

S（O N）

100

I

D

，D RA C语言④此T（A ）

100

10 s

T

J

= 17 5°C

T

J

= 2 5°C

10

1 00s

10

1米s

1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

V

的s

= 0 V

1.8

A

1

T

C

= 25 °C

T

J

= 17 5°C

S荷兰国际集团乐脉

10

10米s

A

100

2.0

V

S.D。

，S环境允许到漏极电压（ V）

V

S

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRLZ34N

40

V

DS

V

GS

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

30

R

G

-

V

DD

5.0V

20

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

10

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( ° C)

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

逻辑电平的TrenchMOS

TM

晶体管

概述

N沟道增强模式的逻辑

在水平场效应功率晶体管

塑料封套使用“地沟”

技术。该器件具有非常

低通态电阻，并具有

积分齐纳二极管提供ESD

保护高达2kV的。其目的是为

在开关模式电源使用

和通用切换

应用程序。

IRLZ34N

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 10 V

马克斯。

55

30

68

175

35

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

TAB

符号

d

g

s

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

V

DSS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

j

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

T

j

= 25 °C至175℃下

T

j

= 25 °C至175℃ ;

GS

= 20 k

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

分钟。

-

- 55

马克斯。

55

±

13

30

21

110

68

175

单位

V

A

W

C

热阻

符号参数

R

日J- MB

R

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

典型值。

-

60

马克斯。

2.2

-

单位

K / W

ESD限值

符号参数

V

C

静电放电

电容电压，所有引脚

条件

人体模型（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

1999年2月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

逻辑电平的TrenchMOS

TM

晶体管

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

g

fs

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

I

G

=

±1

毫安;

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

GS

= 5 V ;我

D

= 17 A

V

GS

= 10 V ;我

D

= 17 A

T

j

= 175C

正向跨导

V

DS

= 25 V ;我

D

= 15 A

门源漏电流V

GS

=

±5

V; V

DS

= 0 V

T

j

= 175C

零栅压漏

当前

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

T

j

= 175C

I

D

= 30 A; V

DD

= 44 V; V

GS

= 5 V

T

j

= -55C

分钟。

55

50

10

1.0

0.5

-

12

-

IRLZ34N

典型值。马克斯。单位

-

1.5

-

28

26

-

40

0.02

-

0.05

-

22.5

6

11

14

77

55

48

3.5

4.5

7.5

1050

205

113

-

2.0

-

2.3

46

35

74

-

1

20

10

500

-

21

110

80

65

-

1400

245

150

V

m

S

A

nC

ns

nH

pF

V

DD

= 30 V ;我

D

= 25 A;

V

GS

= 5 V ;

G

= 10

阻性负载

从测得的标签，模具中心

从测得的漏导致的模具中心

（ SOT78封装）

从源铅源测量

焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 25 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 34 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 34 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

-

典型值。马克斯。单位

-

0.95

1.0

40

0.16

30

110

1.2

-

A

V

ns

C

1999年2月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

逻辑电平的TrenchMOS

TM

晶体管

雪崩限值

符号参数

W

DSS

条件

分钟。

-

IRLZ34N

马克斯。

45

单位

mJ

漏源不重复的我

D

= 20 A; V

DD

≤

25 V; V

GS

= 5 V;

非钳位感应关关R

GS

= 50

;

T

mb

= 25 C

能源

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

1000

ID / A

RDS （ ON）= VDS / ID

TP =

1美国

10us

DC

100美

1毫秒

10ms

100ms

100

10

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

1

10

VDS / V

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

归一化电流降额

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

第Z / （K / W）

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

ID％

10

1 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0

T

t

P

D

t

p

D=

t

p

T

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0.01

1.0E-06

0.0001

0.01

T / S

1

100

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

5 V

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

1999年2月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

逻辑电平的TrenchMOS

TM

晶体管

IRLZ34N

漏极电流ID （ A）

100

10

7

80

5.0

4.6

VGS = 6.0 V

5.6

30

跨导， GFS （ S）

25

60

20

40

4.0

3.6

15

20

3.0

10

0

2

4

6

8

漏 - 源电压， VDS （V ）

10

5

0

10

20

30

40

50

漏极电流ID （ A）

60

70

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /毫欧

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

BUK959-60

45

2.5

VGS / V =

4

4.2

4.4

a

RDS（ON） normlised到25degC

40

2

35

4.6

4.8

5

1.5

30

1

25

0

10

20

30 ID / A

40

50

60

0.5

-100

-50

0

50

TMB /摄氏度

100

150

200

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

70

ID / A

60

50

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 17 A; V

GS

= 5 V

VGS （ TO ） / V

马克斯。

2

典型值。

BUK959-60

2.5

40

30

20

1.5

分钟。

1

0.5

10

TJ / C =

0

1

175

2

3

25

VGS / V

4

5

6

7

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

1999年2月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强模式

逻辑电平的TrenchMOS

TM

晶体管

IRLZ34N

1E-01

亚阈值传导

100

IF / A

80

1E-02

2%

典型值

98%

60

1E-03

TJ / C =

40

175

25

1E-04

1E-05

20

1E-05

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

0

0.5

VSDS / V

1

1.5

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

2.5

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

WDSS ％

120

110

100

90

80

2.0

数千pF的

1.5

70

60

50

40

30

1.0

西塞

0.5

科斯

CRSS

0.1

1

VDS / V

10

100

20

10

0

20

40

60

80

100

120

TMB / C

140

160

180

0

0.01

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

6

VGS / V

5

VDS = 14V

4

VDS = 44V

3

图15 。正常化雪崩能量等级。

W

DSS

（％）= F（T

mb

） ;条件：我

D

= 20 A

+

L

VDS

VGS

0

RGS

T.U.T.

R 01

分流

VDD

-

-ID/100

2

1

0

5

10

QG / NC

15

20

25

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;条件：我

D

= 30 A;参数V

DS

图16 。雪崩能量测试电路。

2

W

DSS

=

0.5

LI

D

BV

DSS

/ （ BV

DSS

V

DD

)

1999年2月

5

启1.000

PD - 9.1307B

IRLZ34N

HEXFET

功率MOSFET

l

逻辑电平栅极驱动

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

D

V

DSS

= 55V

G

S

R

DS （ ON）

= 0.035

I

D

= 30A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，实现了

尽可能低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。在低热阻

和TO- 220封装低的成本导致其广泛

接受整个行业。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝。

马克斯。

30

21

110

68

0.45

±16

110

16

6.8

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

分钟。

––––

典型值。

––––

0.50

––––

马克斯。

2.2

––––

62

单位

° C / W

8/25/97

IRLZ34N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

55

––– –––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- --- 0.065 V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

––– ––– 0.035

V

GS

= 10V ，我

D

= 16A

––– ––– 0.046

V

GS

= 5.0V ，我

D

= 16A

–––

––– 0.060

V

GS

= 4.0V ，我

D

= 14A

1.0

––– 2.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

11

––– –––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 16A

––– ––– 25

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

––– ––– 250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

––– ––– 100

V

GS

= 16V

nA

––– ––– -100

V

GS

= -16V

––– ––– 25

I

D

= 16A

––– ––– 5.2

NC V

DS

= 44V

––– ––– 14

V

GS

= 5.0V ，见图。 6和13

–––

8.9 –––

V

DD

= 28V

––– 100 –––

I

D

= 16A

ns

–––

21 –––

R

G

= 6.5, V

GS

= 5.0V

–––

29 –––

R

D

= 1.8Ω ，见图。 10

铅之间，

––– 4.5 –––

6毫米（0.25英寸）。

nH

从包

––– 7.5 –––

而中心的模具接触

––– 880 –––

V

GS

= 0V

––– 220 –––

pF

V

DS

= 25V

–––

94 –––

= 1.0MHz的，见图。五

D

G

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

––– ––– 30

展示

A

G

整体反转

––– ––– 110

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 16A ，V

GS

= 0V

––– 76 110

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 16A

––– 190 290

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

D

S

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

V

DD

= 25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 610μH

R

G

= 25, I

AS

= 16A 。（参见图12）

注意事项：

I

SD

≤

图16A ， di / dt的

≤

270A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

T

J

≤

175°C

IRLZ34N

1000

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOT TOM 2.5V

顶部

1000

I

D

，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）

100

I

D

，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTT OM 2.5V

顶部

10

2 .5V

1

2.5 V

0.1

1

2 0μ s PU LSE W ID TH

T

J

= 25 °C

10

100

A

0.1

1

20 μ s PU LSE W ID TH

T

J

= 1 75°C

10

100

A

V

S

，漏到-S环境允许的V oltage （ V）

V

S

，漏 - 源V oltage （ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

R

S（O N）

，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SI站 CE

（N RM一个李泽四）

I

D

= 27 A

I

D

，，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）

2.5

100

T

J

= 2 5 ° C

T

J

= 1 7 5° C

10

2.0

1.5

1.0

1

0.5

0.1

2

3

4

5

6

V

DS

= 2 5 V

2 0 μ S·P ü L SE W ID TH

7

8

9

10

A

0.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

80

V

的s

= 10 V

100 120 140 160 180

A

V

的s

，尕德对S 0 urce V oltage （ V）

T

J

，结牛逼emperature （ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRLZ34N

1400

V

的s

，G一德以诚-S ü RCE V LTA克E（ V）

1200

V

GS

C

为s

C

RS s

C

ISS

OS s

=

0V ,

F = 1MH

C

gs

+ C

克

, C

ds

SH或TED

C

gd

C

ds

+ C

gd

15

I

D

= 16A

V

DS

= 44V

V

DS

= 28V

12

C，C的P是C ITA N c个E（ P F）

1000

800

9

C

SS

600

6

400

C

RSS

200

3

0

1

10

100

A

0

4

8

12

16

FO 测试CIR CU IT

SEE图UR ê 13

20

24

28

32

A

V

S

，漏 - 源V oltage （ V）

Q

G

，T otal门哈耶（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

I

S.D。

在C R é é V RSE RA ④此T（A ）

OPE ATIO N的TH是一个重新一个LIMITE

由R

S（O N）

100

I

D

，D RA C语言④此T（A ）

100

10 s

T

J

= 17 5°C

T

J

= 2 5°C

10

1 00s

10

1米s

1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

V

的s

= 0 V

1.8

A

1

T

C

= 25 °C

T

J

= 17 5°C

S荷兰国际集团乐脉

10

10米s

A

100

2.0

V

S.D。

，S环境允许到漏极电压（ V）

V

S

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRLZ34N

40

V

DS

V

GS

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

30

R

G

-

V

DD

5.0V

20

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

10

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( ° C)

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳