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TYPE
IPD088N04L摹
的OptiMOS
3电源晶体管
特点
快速开关MOSFET的开关电源
优化技术的DC / DC转换器
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
N沟道逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
100 ％雪崩测试
无铅电镀;符合RoHS标准
IPD088N04L摹
TYPE
无铅电镀;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
40
8.8
50
V
m
A
包
记号
PG-TO252-3
088N04L
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩电流，单脉冲
3)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
1)
价值
50
39
47
33
350
50
10
±20
单位
A
I
D，脉冲
I
AS
E
AS
V
GS
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=50 A,
R
GS
=25
mJ
V
J- STD20和JESD22
1.0版
第1页
2007-12-06
IPD088N04L摹
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
符号条件
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
价值
47
-55 ... 175
55/175/56
单位
W
°C
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=16 A
V
DS
=40 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=40 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=30 A
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A
栅极电阻
跨
2)
3)
4)
-
-
-
-
-
-
3.2
75
50
K / W
40
1.2
-
-
-
0.1
-
2
1
V
A
-
-
-
-
-
10
10
10.1
7.3
1.3
76
100
100
12.6
8.8
-
-
S
nA
m
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=50 A
38
参见图3详细信息
参见图13更详细的信息
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1.0版
第2页
2007-12-06
IPD088N04L摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
g
V
DD
=20 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0 4.5 V
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0到10伏
V
DD
=20 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=20 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
-
5.6
2.6
2.3
5.2
21
3.4
10
-
-
-
-
28
-
13
V
nC
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=20 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=20 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1600
390
19
4.4
2.8
18
3.2
2100
520
-
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
Q
G（同步）
Q
OSS
-
-
19
15
-
-
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=50 A,
T
j
=25 °C
V
R
=20 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.94
39
350
1.2
A
V
反向恢复电荷
Q
rr
-
18
-
nC
5)
参见图16栅极电荷参数定义
1.0版
第3页
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IPD088N04L摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
50
60
40
50
40
30
P
合计
[W]
I
D
[A]
20
10
0
0
50
100
150
200
30
20
10
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
1 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
10
2
10 s
0.5
1
100 s
DC
0.2
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.1
0.05
0.02
10
1
1毫秒
10毫秒
0.1
0.01
单脉冲
10
0
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.01
0
0
0
0
0
0
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
1.0版
第4页
2007-12-06
IPD088N04L摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
200
10 V
5V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
16
3.5 V
4V
14
4.5 V
160
12
R
DS （ ON）
[m
]
120
4.5 V
10
5V
I
D
[A]
8
10 V
80
4V
6
4
40
3.5 V
2
3.2 V
3V
2.8 V
0
0
1
2
0
3
0
20
40
60
80
100
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
120
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
120
100
100
80
80
60
g
fs
[S]
175 °C
25 °C
I
D
[A]
60
40
40
20
20
0
0
1
2
3
4
5
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
[V]
I
D
[A]
1.0版
第5页
2007-12-06
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