IRLZ34S ， IRLZ34L ， SiHLZ34S ， SiHLZ34L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 5 V
35
7.1
25
单身
D
特点
60
0.05
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
先进的工艺技术
表面贴装（ IRLZ34S ， SiHLZ34S ）
小尺寸通孔（ IRLZ34L ， SiHLZ34L ）
175 ° C的工作温度
快速开关
全额定雪崩
符合RoHS指令2002/95 / EC
描述
Vishay的第三代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
快swichting速度和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
一个非常有效和可靠的装置，用于在很宽的使用
各种应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性和功耗最高
在一个典型的表面为2.0W安装应用程序。
通孔版（ IRLZ34L ， SiHLZ34L ）可
对低调的申请。
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK （ TO-263 ）
G
G
D
S
G
D
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ），无卤素和无
铅（Pb ）免费
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHLZ34S-GE3
-
-
I
2
PAK （ TO- 262 ）
-
IRLZ34LPbF
SiHLZ34L-E3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
当前
a
V
GS
在5 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
60
± 10
30
21
110
0.59
128
88
3.7
4.5
- 55 + 175
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 285微亨中，R 9 = 25
,
I
AS
= 30 A（见图12 ） 。
C.我
SD
30 A ， di / dt的
200 A / μs的，V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 90418
S11-1044 -REV 。 D， 30日， 11
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
IRLZ34S ， IRLZ34L ， SiHLZ34S ， SiHLZ34L
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
40
1.7
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
铅之间，
而中心的模具接触
V
DD
= 30 V，I
D
= 30 A,
R
g
= 6
,
R
D
= 1
,
参见图。 10
b
V
GS
= 5 V
I
D
= 30 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
V
GS
= 0, I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 10 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 5 V
V
GS
= 4 V
I
D
= 18 A
b
I
D
= 15 A
b
60
-
1.0
-
-
-
-
-
12
-
0.07
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
± 100
25
250
0.05
0.07
-
V
V /°C的
V
nA
μA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
S
V
DS
= 25 V，I
D
= 18 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1600
660
170
-
-
-
14
170
30
56
7.5
-
-
-
35
7.1
25
-
-
-
-
-
nH
ns
nC
pF
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
-
-
-
-
-
-
-
-
120
700
30
A
110
1.6
180
1300
V
ns
nC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 30 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 30 A ， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
300微秒;占空比
2 %.
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2
文档编号： 90418
S11-1044 -REV 。 D， 30日， 11
本文如有更改，恕不另行通知。
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IRLZ34S ， IRLZ34L ， SiHLZ34S ， SiHLZ34L
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 175 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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V
DS
V
GS
R
g
R
D
D.U.T.
+
- V
DD
5V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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PD - 9.905A
IRLZ34S/L
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
表面贴装（ IRLZ34S ）
通孔低调（ IRLZ34L ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 0.050
G
I
D
= 30A
S
描述
国际整流器第三代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRLZ34L ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2白
T O服务-2 6 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
30
21
110
3.7
88
0.59
± 10
220
4.5
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
V / ns的
°C
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.7
40
单位
° C / W
8/25/97
IRLZ34S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
60
–––
–––
–––
1.0
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.05
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 18A
0.07
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 15A
2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 18A
25
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 10V
nA
-100
V
GS
= -10V
35
I
D
= 30A
7.1
NC V
DS
= 48V
25
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
V
DD
= 30V
–––
I
D
= 30A
–––
R
G
= 6.0
–––
R
D
= 1.0Ω ，见图。 10
铅之间，
7.5
nH
–––
而中心的模具接触
1600 –––
V
GS
= 0V
660 –––
pF
V
DS
= 25V
170 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
典型值。
–––
0.07
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
170
30
56
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– –––
30
展示
A
G
整体反转
––– ––– 110
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 30A ，V
GS
= 0V
––– 120 180
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 30A
--- 700 1300 NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 290μH
R
G
= 25, I
AS
= 30A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRLZ34数据和测试条件
I
SD
≤
30A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
PD - 9.905A
IRLZ34S/L
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
表面贴装（ IRLZ34S ）
通孔低调（ IRLZ34L ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 0.050
G
I
D
= 30A
S
描述
国际整流器第三代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRLZ34L ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2白
T O服务-2 6 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
30
21
110
3.7
88
0.59
± 10
220
4.5
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
V / ns的
°C
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.7
40
单位
° C / W
8/25/97
IRLZ34S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
60
–––
–––
–––
1.0
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.05
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 18A
0.07
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 15A
2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 18A
25
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 10V
nA
-100
V
GS
= -10V
35
I
D
= 30A
7.1
NC V
DS
= 48V
25
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
V
DD
= 30V
–––
I
D
= 30A
–––
R
G
= 6.0
–––
R
D
= 1.0Ω ，见图。 10
铅之间，
7.5
nH
–––
而中心的模具接触
1600 –––
V
GS
= 0V
660 –––
pF
V
DS
= 25V
170 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
典型值。
–––
0.07
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
170
30
56
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– –––
30
展示
A
G
整体反转
––– ––– 110
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 30A ，V
GS
= 0V
––– 120 180
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 30A
--- 700 1300 NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 290μH
R
G
= 25, I
AS
= 30A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRLZ34数据和测试条件
I
SD
≤
30A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
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