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PD - 96055

IRLR7807ZCPbF

IRLU7807ZCPbF

应用

高频率同步降压

转换为计算机处理器电源

LEAD -FREE

好处

HEXFET

功率MOSFET

DSS

30V

DS （ ON）

最大Q

（典型值）

13.8m

7.0nC

非常低的RDS（on ），在4.5V V

超低栅极阻抗

充分界定雪崩电压

和电流

D- PAK

IRLR7807ZCPbF

I- PAK

IRLU7807ZCPbF

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

= 100°C

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

单位

最大功率耗散

线性降额因子

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

170

± 20

0.27

-55 + 175

W / ℃，

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装）

结到环境

典型值。

马克斯。

3.75

110

单位

° C / W

–––

笔记

通过

在第11页

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02/23/06

IRLR/U7807ZCPbF

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

DSS

ΒV

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

政府飞行服务队

gs1

gs2

godr

OSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

)

输出充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

1.35

–––

14.5

1.8

-4.5

–––

7.0

1.8

0.7

2.7

1.8

3.4

4.0

7.1

9.8

3.5

780

180

100

–––

条件

= 0V时，我

= 250A

毫伏/ ℃参考至25℃ ，我

= 1毫安

毫欧V

= 10V ，我

= 15A

13.8

18.2

2.25

–––

1.0

150

100

-100

–––

= 0V

= 15V

= 1.0MHz的

= 15V, V

= 0V

= 15V, V

= 4.5V

= 12A

钳位感性负载

= 15V

= 4.5V

= 12A

参照图16

毫伏/°C的

= 24V, V

= 0V

= 24V, V

= 0V ，T

= 125°C

= 20V

= -20V

= 15V ，我

= 12A

= 4.5V ，我

= 12A

= V

, I

= 250A

雪崩特性

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

典型值。

–––

马克斯。

4.0

单位

重复性雪崩能量

–––

二极管的特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 12A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 12A ，V

= 15V

的di / dt = 100A / μs的

170

1.0

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

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1000

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.7V

2.5V

BOTTOM 2.25V

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.7V

2.5V

BOTTOM 2.25V

顶部

0.1

2.5V

0.01

2.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.001

0.1

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.0

2.0

ID ，漏 - 源电流

(Α)

T J = 25°C

T J = 175℃

100.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID = 30A

VGS = 10V

1.5

10.0

1.0

VDS = 10V

20μs的脉冲宽度

0.1

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

0.5

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

短

ID = 12A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VDS = 24V

VDS = 15V

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

100

CRSS

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

100.0

T J = 175℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

100sec

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

1.0

10.0

1msec

10msec

100.0

1000.0

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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不限按包

2.5

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

ID ，漏电流（ A）

2.0

ID = 250μA

1.5

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

1.0

-75 -50 -25

100 125 150 175

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

热响应（Z thJC ）

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

1.796

0.000267

1.112

0.842

0.000607

0.004249

0.01

单脉冲

（热反应）

CI-

τi /日

CI = I /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.001

1E-006

1E-005

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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