PD - 95552B
特点
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l
HEXFET
功率MOSFET
D
IRLR2908PbF
IRLU2908PbF
V
DSS
= 80V
R
DS （ ON）
= 28m
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
G
S
I
D
= 30A
描述
这HEXFET 功率MOSFET采用了最新的加工技术
实现极低的导通电阻每硅片面积。附加功能
这HEXFET功率MOSFET是175 ° C的结温工作，
低RθJC ，开关速度快，提高了重复性雪崩额定值。
这些功能结合起来，使这个设计非常高效，
可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D-朴是专为表面用汽相装配，红外，
或波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5
瓦是可能的典型的表面贴装应用。
I- PAK
D- PAK
IRLU2908PbF
IRLR2908PbF
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （参见图9）中
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
马克斯。
39
28
30
150
120
0.77
± 16
180
250
看到图12a ， 12b中， 15,16
2.3
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
h
峰值二极管恢复的dv / dt
e
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
雪崩电流
i
d
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
典型值。
马克斯。
1.3
40
110
单位
° C / W
j
–––
–––
–––
www.irf.com
1
10/01/10
IRLR/U2908PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
80
–––
–––
–––
1.0
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.085
22.5
25
–––
–––
–––
–––
–––
–––
22
6.0
11
12
95
36
55
4.5
7.5
1890
260
35
1920
170
310
–––
–––
28
30
2.5
–––
20
250
200
-200
33
9.1
17
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
nH
ns
nC
nA
V
S
A
V
m
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 23A
V
GS
= 4.5V ，我
D
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 23A
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
f
= 20A
f
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 23A
V
DS
= 64V
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 40V
I
D
= 23A
R
G
= 8.3
V
GS
= 4.5V
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
G
f
D
S
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至64V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
75
210
39
A
150
1.3
110
310
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 23A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 23A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
f
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
笔记
通过
在第11页
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
2
www.irf.com
IRLR/U2908PbF
40
35
30
ID ，漏电流（ A）
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
3.0
ID = 38A
2.5
VGS = 4.5V
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
2.0
（归一化）
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.01
单脉冲
（热反应）
t
2
注意事项：
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
t
1
/ t
2
+T
C
J
= P
DM
X Z
thJC
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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